硅基相控阵激光雷达芯片；信息光电子芯片。

　　

1. 信息光电子芯片；
2. 硅基相控阵激光雷达；  

0805Z2-半导体材料与器件

半导体激光器及集成器件
硅基激光相控阵雷达芯片

2000-09--2003-06   山东大学   博士
1997-09--2000-06   山东大学   硕士
1993-09--1997-06   山东大学   学士

山东大学 --20030701 研究生毕业

-- 工学博士学位

   

2011-06~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2005-10~2011-06,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2003-07~2005-10,中国科学院半导体研究所, 博士后

国家级科技领军人才

中国电子学会发明二等奖“基于量子阱激光器的气体检测系统关键技术研究”。第一完成人。

培养二十多名博士研究生，其中一位同学获得中国科学院院长奖学金，两位同学获得中国科学院优秀毕业论文，五位同学获得半导体所长奖学金，三位同学获得半导体所优秀毕业生。

（ 1 ） 电泵激光器及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113644549A

（ 2 ） 光子晶体微腔硅基激光器及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113328338A

（ 3 ） 光学神经网络芯片及其计算方法, 发明专利, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN112232487A

（ 4 ） 光学神经网络芯片及其计算方法, 发明专利, 2021, 第 8 作者, 专利号: CN112232487A

（ 5 ） 光学神经网络卷积层芯片、卷积计算方法和电子设备, 发明专利, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111753977A

（ 6 ） 低损耗硅基激光器, 发明专利, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111564758A

（ 7 ） 大规模单片集成的硅基III-V族电泵激光器及其制备方法, 专利授权, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN111313237B

（ 8 ） 硅基Ⅲ-Ⅴ族红外光电探测器阵列的制备方法, 专利授权, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN110265503A

（ 9 ） 电注入硅基III-V族边发射纳米线激光器及其制备方法, 发明专利, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109638648A

（ 10 ） 电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法, 发明专利, 2018, 第 8 作者, 专利号: CN108736314A

（ 11 ） 基于外腔式自反馈的窄线宽半导体激光器, 发明专利, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107181166A

（ 12 ） 一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器, 专利授权, 2020, 第 8 作者, 专利号: CN108988124B

（ 13 ） 硅基电注入激光器及其制备方法, 专利授权, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN107069430A

（ 14 ） 多波长硅基混合集成slot激光器集成光源及其制备方法, 发明专利, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN106921112A

（ 15 ） 多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法, 发明专利, 2017, 第 6 作者, 专利号: CN106887790A

（ 16 ） 宽光谱晶闸管激光器的制备方法, 专利授权, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN107069427A

（ 17 ） 多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法, 专利授权, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN108110613A

（ 18 ） 一种多波长硅基微腔激光器阵列及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 6 作者, 专利号: CN108110618A

（ 19 ） 一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器, 发明专利, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN106356716A

（ 20 ） 基于外腔式窄线宽分布式布拉格反射半导体激光器, 发明专利, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN106129806A

（ 21 ） 基于MMI耦合器的InP基少模光子集成发射芯片, 发明专利, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105388564A

（ 22 ） InP基波分-模分复用少模光通信光子集成发射芯片, 发明专利, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN105068189A

（ 23 ） 以石墨烯为饱和吸收体的键合的锁模激光器, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104319613A

（ 24 ） 石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: CN104319630A

（ 25 ） METHOD OF MANUFACTURING SI-BASED HIGH-MOBILITY GROUP III-V/GE CHANNEL CMOS, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: US20150024601(A1)

（ 26 ） Method of manufacturing Si-based high-mobility group III-V/Ge channel CMOS, 发明专利, 2015, 第 4 作者, 专利号: US8987141B2

（ 27 ） 一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103811305A

（ 28 ） 一种PiNiN结构晶闸管激光器, 发明专利, 2014, 第 6 作者, 专利号: CN103647217A

（ 29 ） 一种硅基微腔激光器的制作方法, 发明专利, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103579902A

（ 30 ） 分布反馈式激光器及其制备方法, 发明专利, 2014, 第 8 作者, 专利号: CN103545711A

（ 31 ） 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103346092A

（ 32 ） 硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103390591A

（ 33 ） 高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103311106A

（ 34 ） 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103258796A

（ 35 ） 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103165446A

（ 36 ） 一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103177939A

（ 37 ） 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法, 发明专利, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103107096A

（ 38 ） 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103177971A

（ 39 ） 在Si基上制备InP基HEMT的方法, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103137477A

（ 40 ） 在硅上集成HEMT器件的方法, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103077892A

（ 41 ） 在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103065973A

（ 42 ） ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN103117222A

（ 43 ） 硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法, 发明专利, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102957095A

（ 44 ） 改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法, 发明专利, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN102882129A

（ 45 ） 可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器, 发明专利, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102684071A

（ 46 ） 一种制作双波长分布反馈集成激光器的方法, 发明专利, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102651535A

（ 47 ） 在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法, 发明专利, 2012, 第 6 作者, 专利号: CN102638000A

（ 48 ） 基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102570305A

（ 49 ） 锗基赝砷化镓衬底的制备方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102543693A

（ 50 ） 制备硅基砷化镓材料的方法, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102534768A

（ 51 ） 采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法, 发明专利, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102570309A

（ 52 ） 制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法, 发明专利, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102545054A

（ 53 ） 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102364772A

（ 54 ） 水汽探测用激光芯片的制造方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102364771A

（ 55 ） 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102243994A

（ 56 ） 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102244007A

（ 57 ） 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102263015A

（ 58 ） 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102162968A

（ 59 ） 分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102044844A

（ 60 ） 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法, 发明专利, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101882756A

（ 61 ） 异质掩埋激光器的制作方法, 发明专利, 2010, 第 5 作者, 专利号: CN101888060A

（ 62 ） 一种制备高速电吸收调制器的方法, 发明专利, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101738748A

（ 63 ） 低介电常数BCB树脂的固化方法, 发明专利, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101625983A

（ 64 ） 取样光栅分布布拉格反射半导体激光器的制作方法, 发明专利, 2010, 第 3 作者, 专利号: CN101621179A

（ 65 ） 倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法, 发明专利, 2009, 第 5 作者, 专利号: CN101614843A

（ 66 ） 选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法, 发明专利, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN101471541A

（ 67 ） 模式相干的双模半导体激光器结构, 发明专利, 2008, 第 5 作者, 专利号: CN101316024A

（ 68 ） 吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法, 发明专利, 2009, 第 3 作者, 专利号: CN100468090C

（ 69 ） 吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅的制作方法, 发明专利, 2008, 第 3 作者, 专利号: CN101101345A

（ 70 ） 掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法, 发明专利, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN101071935A

（ 71 ） 用于光时分复用系统的单片集成光发射器的制作方法, 发明专利, 2007, 第 2 作者, 专利号: CN1905297A

（ 72 ） 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法, 发明专利, 2006, 第 3 作者, 专利号: CN1874088A

（ 73 ） 窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法, 发明专利, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1870368A

（ 74 ） 制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法, 发明专利, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN1838493A

（ 75 ） 基于级联电吸收调制器产生超短光脉冲的测试夹具及方法, 发明专利, 2006, 第 2 作者, 专利号: CN1834600A

（ 76 ） 一种高效半导体纳米材料的制备方法, 发明专利, 2004, 第 6 作者, 专利号: CN1142088C

（ 77 ） 一种高效半导体纳米材料的应用, 发明专利, 2004, 第 6 作者, 专利号: CN1494945

（ 78 ） 一种高效半导体纳米材料的制备方法及其应用, 发明专利, 2001, 第 6 作者, 专利号: CN1316381A

（ 79 ） 一种用氧化锌作为高亮度发光二极管芯片窗口层的生长方法, 发明专利, 2004, 第 6 作者, 专利号: CN1149685C

（ 80 ） 一种用氧化锌作为高亮度发光二极管芯片窗口层的生产方法, 发明专利, 2000, 第 6 作者, 专利号: CN1271966A

（ 81 ） 利用掺杂技术减薄高亮度发光二极管芯片窗口层的方法, 发明专利, 2000, 第 6 作者, 专利号: CN1271967A

   

（1） Wide Range Controllable Direction Single Emission Peak Microstructured Lasers Array, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2024, 第 9 作者
（2） A MZI-based optical neural network for image classification, OPTICA APPLICATA, 2024, 第 10 作者  通讯作者
（3） Mixed precision quantization of silicon optical neural network chip, Optics Communications, 2024, 第 4 作者  通讯作者
（4） Analysis of High-Order Surface Gratings Based on Micron Lasers on Silicon, PHOTONICS, 2024, 第 6 作者  通讯作者
（5） Design of a photonic unitary neural network based on MZI arrays, OPTICA APPLICATA, 2024, 第 8 作者  通讯作者
（6） Large-scale integrated focal plane array for two-dimensional scanning, Optical Fiber Communication Conference, 2024, 第 10 作者  通讯作者
（7） Design of Vernier ring for external cavity laser with high side mode suppression ratio and wide tuning range, OPTICS COMMUNICATIONS, 2024, 第 9 作者  通讯作者
（8） Analysis of the Influence of Fabrication Errors on the Far-Field Performance of Si and Si 3 N 4 Antennas, PHOTONICS, 2024, 第 10 作者  通讯作者
（9） Numerical simulation of electrically-pumped overgrown III-V microwire lasers on silicon, Optics Communications, 2024, 第 8 作者  通讯作者
（10） 128-channel optical phased array with large field of view and low main-lobe attenuation, Engineering Research Express, 2024, 第 7 作者  通讯作者
（11） Focal Plane Array Chip With Integrated Transmit Antenna and Receive Array for LiDAR, JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2024, 第 8 作者  通讯作者
（12） A Large-Scale Passive Optical Phase Array With 1024 Channels, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2023, 第 11 作者
（13） Two-Dimensional Beam Scanning of Passive Optical Phased Array Based on Silicon Nitride Delay Line, JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2023, 第 8 作者  通讯作者
（14） Noise quantization simulation analysis of optical convolutional networks, OPTICA APPLICATA, 2023, 第 10 作者  通讯作者
（15） A SiN antenna based on grating���waveguide���grating structure for unidirectional and uniform emission, OPTICS COMMUNICATIONS, 2023, 第 9 作者  通讯作者
（16） SiN optical phased array based on slab waveguide, Photonics Asia, 2023, 第 7 作者  通讯作者
（17） Improvement of Power and Efficiency of High-Mesa Semi-Insulating InP: Fe Buried Heterostructure Lasers with Wide Bandgap Layers, PHOTONICS, 2023, 第 6 作者
（18） Two-dimensional scanning of silicon-based focal plane array with field-of-view splicing technology, OPTICS EXPRESS, 2023, 第 9 作者  通讯作者
（19） Photonic Binary Convolutional Neural Network Based on Microring Resonator Array, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2023, 第 8 作者  通讯作者
（20） Highly directional Si antenna based on dual-layer gratings for optical phased array, Photonics Asia, 2023, 第 9 作者  通讯作者
（21） Broadened Low Anomalous Dispersion in Athermal Aluminum Nitride Hybrid Waveguides, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2022, 第 7 作者  通讯作者
（22） Multicore Photonic Complex-Valued Neural Network with Transformation Layer, PHOTONICS, 2022, 第 8 作者  通讯作者
（23） Adoption of large aperture chirped grating antennas in optical phase array for long distance ranging, OPTICS EXPRESS, 2022, 第 8 作者
（24） III-V Microwires with Reversed Ridge Waveguides Selectively Grown on Pre-Patterned Si Substrates, CRYSTALS, 2022, 第 7 作者  通讯作者
（25） Selective Growth of Energy-Band-Controllable In1-xGaxAsyP1-y Submicron Wires in V-Shaped Trench on Si, CRYSTALS, 2022, 第 8 作者  通讯作者
（26） A Microstructured Laser With Modulated Period for Beam Control, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2022, 第 7 作者
（27） Lens-assisted beam steering chip based on micro-ring optical switch array, Photonics Asia, 2022, 第 7 作者  通讯作者
（28） Improved SPGD Algorithm for Optical Phased Array Phase Calibration, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2022, 第 7 作者
（29） High-Q photonic crystal cavities for nanolasers on patterned silicon-on-insulator substrates, OPTICS COMMUNICATIONS, 2022, 第 7 作者
（30） A Widely Tunable Three-Section DBR Lasers for Multi-Species Gas Detection, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2021, 第 2 作者  通讯作者
（31） A beam scanner based on an on-chip optical switch array with high emission efficiency, SPIE/COS Photonics Asia 2021, 2021, 第 1 作者
（32） Photonics Asia-A broadband athermal waveguide with low anomalous dispersion, SPIE/COS Photonics Asia 2021, 2021, 第 1 作者  通讯作者
（33） A SiN-Si dual-layer optical phased array with high radiation efficiency and large steering range, SPIE/COS Photonics Asia 2021, 2021, 第 1 作者  通讯作者
（34） 1024-channel Passive optical phased array with high angular resolution, ACP-OSA 2021, 2021, 第 1 作者  通讯作者
（35） Training and Inference of Optical Neural Networks with Noise and Low-Bits Control, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2021, 第 10 作者  通讯作者
（36） SiN-Si dual layer grating coupler to increase the input optical power of Si-based photonic integrated circuit, SPIE/COS Photonics Asia 2021, 2021, 第 1 作者  通讯作者
（37） Design of III-V submicron lasers with reversed ridge waveguides on patterned Si-SOI substrates, SPIE/COS Photonics Asia 2021, 2021, 第 1 作者
（38） 512-Channel Optical Phased Array with Large Field of View and High Resolution, ACP-OSA 2021, 2021, 第 1 作者  通讯作者
（39） Quantum wells micro-ring resonator laser emitting at 1746 nm for gas sensing, Quantum wells micro-ring resonator laser emitting at 1746 nm for gas sensing, CHINESE OPTICS LETTERS, 2021, 第 9 作者
（40） Unidirectional SiN antenna based on dual-layer gratings for LiDAR with optical phased array, OPTICS COMMUNICATIONS, 2021, 第 9 作者  通讯作者
（41） Demonstration of 128-Channel Optical Phased Array With Large Scanning Range, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2021, 第 10 作者
（42） Photonic Unitary Neural Network Chip with Complex-valued Transformation Layer, ACP-OSA 2021, 2021, 第 1 作者  通讯作者
（43） A SiN-Si Dual-layer Directional Coupler, ACP/IPOC 2020, 2020, 第 1 作者  通讯作者
（44） Silicon-based Optical Neural Network Chip Based on Coherent Detection, ACP/IPOC 2020, 2020, 第 1 作者  通讯作者
（45） Design and fabrication of a SiN-Si dua-layer optical phased array chip, PHOTONICS RESEARCH, 2020, 第 11 作者  通讯作者
（46） Design and fabrication of a SiN-Si dual-layer optical phased array chip, PHOTONICS RESEARCH, 2020, 第 11 作者
（47） A 1766 nm Micro-Ring Laser with InGaAsInGaAsP Quantum Wells for Potential Gas Sensing, ACP/IPOC 2020, 2020, 第 1 作者
（48） A densely integrated micro-ring optical switch network for beam steering, ACP/IPOC 2020, 2020, 第 1 作者  通讯作者
（49） 硅基集成激光雷达技术, Silicon-Based Integrated LiDAR Technology, 中兴通讯技术, 2020, 第 3 作者
（50） Large scanning range optical phased array with a compact and simple optical antenna, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2020, 第 8 作者
（51） Four-Channel Hybrid Silicon Laser Array with low power consumption for on-chip optical interconnects, 2019 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO), 2019, 第 6 作者
（52） 4-lambda hybrid nGaAsP-Si evanescent laser array with low power consumption for on-chip optical interconnects, PHOTONICS RESEARCH, 2019, 第 12 作者
（53） Plasmonic valley chiral states in graphene based plasmonic crystals, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2019, 第 8 作者
（54） Two-dimensional Large-angle Scanning Optical Phased Array with Single Wavelength Beam, 2019 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO), 2019, 第 10 作者  通讯作者
（55） 4-λ hybrid InGaAsP-Si evanescent laser array with low power consumption for on-chip optical interconnects, 4-�� hybrid InGaAsP-Si evanescent laser array with low power consumption for on-chip optical interconnects, 光子学研究:英文版, 2019, 第 12 作者
（56） III-V compound materials and lasers on silicon, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2019, 第 9 作者  通讯作者
（57） 4-λ hybrid InGaAsP-Si evanescent laser array with low power consumption for on-chip optical interconnects, 4-�� hybrid InGaAsP-Si evanescent laser array with low power consumption for on-chip optical interconnects, 光子学研究:英文版, 2019, 第 12 作者
（58） InGaAs/InP multi-quantum-well nanowires with a lower optical leakage loss on v-groove- patterned SOI substrates, OPTICSEXPRESS, 2019, 第 9 作者  通讯作者
（59） Hybrid Square/Rhomb-Rectangular Semiconductor Lasers for Ethylene Detection, 2019 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO), 2019, 第 6 作者
（60） III–V/Si Hybrid Laser Array with DBR on Si Waveguide, III-V/Si Hybrid Laser Array with DBR on Si Waveguide, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2019, 第 6 作者  通讯作者
（61） A large misalignment tolerance multi-branch waveguide for high efficiency coupling, OPTICS COMMUNICATIONS, 2019, 第 4 作者
（62） Improving the performance of optical antenna for optical phased arrays through high- contrast grating structure on SOI substrate, OPTICS EXPRESS, 2019, 
（63） Ⅲ–Ⅴcompound materials and lasers on silicon, ���������compound materials and lasers on silicon, 半导体学报：英文版, 2019, 第 9 作者
（64） A flexible control on electromagnetic behaviors of graphene oligomer by tuning chemical potential, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2018, 第 7 作者
（65） Electrically and Optically Bistable Operation in an Integration of a 1310nm DFB Laser and a Tunneling Diode, Electrically and Optically Bistable Operation in an Integration of a 1310 nm DFB Laser and a Tunneling Diode, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018, 第 10 作者  通讯作者
（66） Electrically and Optically Bistable Operation in an Integration of a 1310 nm DFB Laser and a Tunneling Diode, Electrically and Optically Bistable Operation in an Integration of a 1310 nm DFB Laser and a Tunneling Diode, 中国物理快报：英文版, 2018, 第 10 作者
（67） Investigation of InGaAs/GaAs Quantum Well Lasers with Slightly Doped Tunnel Junction, SEMICONDUCTORS, 2018, 第 7 作者  通讯作者
（68） InGaAs/InP Multi-quantum-well Nanowires Directly Grown on SOI Substrates and Optical Property Characterizations, 2018 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO), 2018, 第 8 作者  通讯作者
（69） A monolithic integrated InP few-mode transmitter, 2018 CONFERENCE ON LASERS AND ELECTRO-OPTICS (CLEO), 2018, 第 6 作者
（70） Pseudospin Dependent One-Way Transmission in Graphene-Based Topological Plasmonic Crystals, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2018, 第 8 作者
（71） Inclined emitting slotted single-mode laser with 1.7 degrees vertical divergence angle for PIC applications, OPTICS LETTERS, 2018, 第 4 作者
（72） InP-based directly modulated monolithic ntegrated few-mode transmitter, InP-based directly modulated monolithic ntegrated few-mode transmitter, 光子学研究：英文版, 2018, 第 6 作者
（73） Improving the Performance of the Optical Antenna for Integrated LIDAR with Optical Phased Arrays through High Contrast Grating Structure on SOI Substrate, SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 8, 2018, 第 10 作者
（74） InP-based directly modulated monolithic integrated few-mode transmitter, PHOTONICSRESEARCH, 2018, 第 6 作者
（75） Monolithic integration of InGaAs/InP multiple quantum wells on SOI substrates for photonic devices, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 第 9 作者  通讯作者
（76） Dynamic tailoring of electromagnetic behaviors of graphene plasmonic oligomers by local chemical potential, PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2018, 第 9 作者
（77） Symmetry-Breaking Effect on the Electromagnetic Properties of Plasmonic Trimers Composed of Graphene Nanodisks, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2018, 第 8 作者
（78） Coupling of Whispering-Gallery Modes in the Graphene Nanodisk Plasmonic Dimers, PLASMONICS, 2017, 第 8 作者
（79） 隧道结级联量子阱锁模激光器, Tunnel Junction Cascade Quantum Well Mode-Locked Laser, 光学学报, 2017, 第 9 作者
（80） Realization of conical dispersion and zero-refractive-index in graphene plasmonic crystal, OPTICS EXPRESS, 2017, 第 7 作者
（81） 基于近红外波段激光光谱吸收的丙烷探测研究, Research of propane detecting based on near-infrared laser spectral absorption, 激光技术, 2017, 第 7 作者
（82） Mode Coupling Properties of the Plasmonic Dimers Composed of Graphene Nanodisks, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2017, 第 8 作者
（83） A Silicon Co-Integrated Light Source Module, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2017, 第 10 作者  通讯作者
（84） Electromagnetic field coupling characteristics in graphene plasmonic oligomers: from isolated to collective modes, PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2017, 第 8 作者
（85） Improving the Performance of Narrow Linewidth Semiconductor Laser through Self-Injection Locking, 30TH ANNUAL CONFERENCE OF THE IEEE PHOTONICS SOCIETY (IPC), 2017, 第 6 作者
（86） Ultra-compact tunable graphene-based plasmonic multimode interference power splitter in mid infrared frequencies, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2017, 第 8 作者
（87） 1.8-��m DBR Lasers With Over 11-nm Continous Wavelength Tuning Range for Multi-Species Gas Detection, ACP conference, 2017, 第 1 作者  通讯作者
（88） Topologically protected edge states in graphene plasmonic crystals, OPTICSEXPRESS, 2017, 第 9 作者
（89） Dynamically Tunable Plasmon-Induced Transparency in On-chip Graphene-Based Asymmetrical Nanocavity-Coupled Waveguide System, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2017, 第 8 作者
（90） Double Dirac point in a photonic graphene, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2017, 第 8 作者
（91） Asymmetric quantum well broadband thyristor laser, Asymmetric quantum well broadband thyristor laser, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2017, 第 9 作者  通讯作者
（92） Ultra-compact tunable graphene-based plasmonic multimode interference power splitter in mid infrared frequencies, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2017, 第 8 作者
（93） Hybrid single-mode laser based on graphene Bragg gratings on silicon, OPTICS LETTERS, 2017, 第 13 作者
（94） Optimization of the Fano Resonance Lineshape Based on Graphene Plasmonic Hexamer in Mid- Infrared Frequencies, NANOMATERIALS, 2017, 第 9 作者
（95） Investigation of beam splitter in a zero-refractive-index photonic crystal at the frequency of Diraclike point, SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 第 8 作者
（96） 复式晶格二维石墨烯等离子激元晶体的能带结构与态密度, Energy-Band Structure and Densityof States of Composite Lattice Two-Dimensional Graphene Plasmon Polariton Crystals, 激光与光电子学进展, 2017, 第 8 作者
（97） Investigation of the tunable plasmonic whispering gallery mode properties for graphene monolayer nanodisk cavities, OPTIK, 2016, 第 8 作者
（98） Nanoscale spatial phase modulation of GaAs growth in V-grooved trenches on Si (001) substrate, Nanoscale spatial phase modulation of GaAs growth in V-grooved trenches on Si (001) substrate, Chinese Physics B, 2016, 第 7 作者  通讯作者
（99） Design and fabrication of 1.55 ��m broad area slotted single-mode Fabry-Perot lasers, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 7 作者
（100） Design and fabrication of 1.55 mu m broad area slotted single-mode Fabry-Perot lasers, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2016, 第 7 作者  通讯作者
（101） Investigation of plasmonic whispering gallery modes of graphene equilateral triangle nanocavities, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2016, 第 8 作者
（102） A Monolithically Integrated InP-based Few-mode Laser, 2016 ASIA COMMUNICATIONS AND PHOTONICS CONFERENCE (ACP), 2016, 第 5 作者
（103） Online Detection System on Acetylene with Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy Method, SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS, 2016, 第 4 作者
（104） Plasmonic mode analysis of deep subwavelength graphene nanoribbon waveguides, JOURNALOFNANOPHOTONICS, 2016, 第 9 作者
（105） The Comparison of Current Ratio I-ON/I-OFF and Mobility Between SiGe Substrate and GaAs Substrate In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 第 9 作者  通讯作者
（106） Investigation of plasmonic whispering gallery modes of graphene equilateral triangle nanocavities, SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2016, 第 8 作者
（107） Catalyst-free growth of InP nanowires on patterned Si (001) substrate by using GaAs buffer layer, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 第 6 作者  通讯作者
（108） Nanoscale spatial phase modulation of GaAs growth in V-grooved trenches on Si (001) substrate, Nanoscale spatial phase modulation of GaAs growth in V-grooved trenches on Si (001) substrate, 中国物理B：英文版, 2016, 第 7 作者
（109） Ridge InGaAs/InP multi-quantum-well selective growth in nanoscale trenches on Si (001) substrate, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 
（110） Analysis of mode characteristics and output efficiency of graphene equilateral triangle nanocavity with vertex output waveguide, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2016, 第 7 作者
（111） The Comparison of Current Ratio ION/IOFF and Mobility Between SiGe Substrate and GaAs Substrate In���.������Ga���.������As Channel MOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 第 9 作者
（112） A Hybrid Single-Mode Laser Based on Slotted Silicon Waveguides, PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, IEEE, 2016, 第 11 作者
（113） A Hybrid Single-Mode Laser Based on Slotted Silicon Waveguides, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2016, 第 11 作者  通讯作者
（114） 1550 nm Evanescent Hybrid InGaAsP-Si Laser with Buried Ridge Stripe Structure, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2016, 第 8 作者  通讯作者
（115） Strain-driven synthesis of ���112��� direction InAs nanowires in V-grooved trenches on Si using InP/GaAs buffer layers, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2016, 第 7 作者  通讯作者
（116） Investigation of the Band Structure of Graphene-Based Plasmonic Photonic Crystals, NANOMATERIALS, 2016, 第 8 作者
（117） High-Performance In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs with High Current Ratio on/ off Grown on Semi-insulating GaAs Substrates by MOCVD, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 7 作者
（118） Distributed Bragg reflector laser (1.8 ��m) with 10 nm wavelength tuning range, CHINESE OPTICS LETTERS, 2015, 第 8 作者
（119） Ultrabroad Band Rainbow Capture and Releasing in Graded Chemical Potential Distributed Graphene Monolayer, PLASMONICS, 2015, 第 9 作者
（120） A Buried Ridge Stripe Structure InGaAsP-Si Hybrid Laser, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2015, 第 9 作者
（121） A Directional-Emission 1060nm GaAs-InGaAs microcylinder laser, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2015, 第 10 作者  通讯作者
（122） A GaAs-based Hybrid Integration of a Tunneling Diode and a 1060-nm Semiconductor Laser, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2015, 第 7 作者
（123） Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio Trapping, Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio Trapping, 中国物理快报：英文版, 2015, 
（124） Evaluation of growth mode and optimization of growth parameters for GaAs epitaxy in V-shaped, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 第 8 作者
（125） High-Mobility In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs Grown on Ge/Si Virtual Substrate by MOCVD, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 第 9 作者
（126） Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio Trapping, Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio Trapping, Chinese Physics Letters, 2015, 第 8 作者  通讯作者
（127） Selective Area Growth of GaAs in V-Grooved Trenches on Si(001) Substrates by Aspect-Ratio, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2015, 第 8 作者
（128） Distributed Bragg reflector laser (1.8 mu m) with 10 nm wavelength tuning range, CHINESE OPTICS LETTERS, 2015, 第 8 作者
（129） Evaluation of growth mode and optimization of growth parameters for GaAs epitaxy in V-shaped trenches on Si, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 第 8 作者  通讯作者
（130） High-Performance In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs with High Current RatioIon/IoffGrown on Semi-insulating GaAs Substrates by MOCVD, High-Performance In_(0.23)Ga_(0.77)As Channel MOSFETs with High Current Ratio I_(on)/I_(off) Grown on Semi-insulating GaAs Substrates by MOCVD, Chinese Physics Letters, 2015, 第 7 作者  通讯作者
（131） Epitaxy of GaAs thin film with low defect density and smooth surface on Si substrate, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2014, 第 2 作者
（132） 4-�� InGaAsP-Si distributed feedback evanescent lasers with varying silicon waveguide width, Optics Express, 2014, 第 1 作者  通讯作者
（133） 4-lambda InGaAsP-Si distributed feedback evanescent lasers with varying silicon waveguide width, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 8 作者
（134） Growth of High-Quality GaAs on Ge by Controlling the Thickness and Growth Temperature of Buffer Layer, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 第 2 作者  通讯作者
（135） Growth of High-Quality GaAs on Ge by Controlling the Thickness and Growth Temperature of Buffer Layer, Growth of High-Quality GaAs on Ge by Controlling the Thickness and Growth Temperature of Buffer Layer, 中国物理快报：英文版, 2014, 第 2 作者
（136） 1.55 mu m high speed low chirp electroabsorption modulated laser arrays based on SAG scheme, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 3 作者
（137） High quality GaAs nanowires epitaxy in patterned Si substrates, NANOPHOTONICS AND MICRO/NANO OPTICS II, 2014, 第 2 作者
（138） Ultrashort pulse generation by semiconductor mode-locked lasers at 760 nm, OPTICS EXPRESS, 2014, 第 8 作者
（139） Ultrabroad stimulated emission from quantum well laser, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 10 作者  通讯作者
（140） 980-nm external-cavity passively mode-locked laser with extremely narrow RF linewidth, PROCEEDINGS OF SPIE - THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, 2013, 第 8 作者
（141） A Hybrid InGaAsP���Si Evanescent Laser by Selective Area Metal Bonding Method, IEEE Photonic Technology Letters, 2013, 第 1 作者  通讯作者
（142） A Chirped Subwavelength Grating With Both Reflection and Transmission Focusing, IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2013, 第 8 作者
（143） 1.06-��m InGaAs/GaAs multiple-quantum-well optical thyristor lasers with a PiNiN structure., OPTICS LETTERS, 2013, 
（144） Influence of Substrate Temperature on Stress and Morphology Characteristics of Co Doped ZnO Films Prepared by Laser-Molecular Beam Epitaxy, Influence of Substrate Temperature on Stress and Morphology Characteristics of Co Doped ZnO Films Prepared by Laser-Molecular Beam Epitaxy, Journal of Materials Sciences and Technology, 2013, 第 4 作者
（145） A 1.65 ��m three-section distributed Bragg reflector (DBR) laser for CH4 gas sensors, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2013, 第 7 作者
（146） Influence of Substrate Temperature on Stress and Morphology Characteristics of Co Doped ZnO Films Prepared by Laser-Molecular Beam Epitaxy, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2013, 第 4 作者
（147） Wavelength and Mode-Spacing Tunable Dual-Mode Distributed Bragg Reflector Laser, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2013, 第 6 作者
（148） 半导体锁模激光器的最新研究进展, Recent Progress of Semiconductor Mode-Locked Lasers, 激光与光电子学进展, 2013, 第 3 作者
（149） Polarization of the edge emission from Ag/InGaAsP Schottky plasmonic diode, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 
（150） Hybrid InGaAsP-Si Evanescent Laser by Selective-Area Metal-Bonding Method, PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2013, 
（151） 1.82-\mu m distributed feedback lasers with InGaAs/InGaAsP multiple-quantum wells for a H2O sensing system, CHINESE OPTICS LETTERS, 2013, 第 2 作者  通讯作者
（152） 1.82-��m distributed feedback lasers with InGaAs/InGaAsP multiple-quantum wells for a H_2O sensing system, CHINESE OPTICS LETTERS, 2013, 第 2 作者
（153） 1.82-��m Distributed Feedback Lasers with InGaAs/InGaAsP Multiple-Quantum Wells for H2O sensing system, Chinese Optics Letters, 2012, 
（154） Dual-depletion-region lumped electroabsorption modulator for low capacitance and expected high bandwidth, 2011 ASIA COMMUNICATIONS AND PHOTONICS CONFERENCE AND EXHIBITION (ACP), 2012, 第 4 作者
（155） Bonding InGaAsP/ITO/Si Hybrid Laser With ITO as Cathode and Light-Coupling Material, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2012, 第 9 作者
（156） DC Characterizations of MQW Tunnel Diode and Laser Diode Hybrid Integration Device, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2012, 第 6 作者
（157） 基于STM32和FPGA的激光甲烷检测系统设计, Design of laser methane detecting system based onSTM32 and FPGA, 传感器与微系统, 2012, 第 3 作者
（158） A novel four-section DBR tunable laser with dual-wavelength lasing, SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS V, 2012, 第 5 作者
（159） 基于FPGA的数字锁相放大器在气体探测中的应用, 计算机测量与控制, 2012, 第 4 作者
（160） 半导体激光器在氧气探测中的应用及关键技术, Application and key technologies of semiconductor laser in the detection of oxygen, 激光与红外, 2011, 第 2 作者
（161） An InP-Based Dual-Depletion-Region Electroabsorption Modulator with Low Capacitance and Predicted High Bandwidth, An inp-based dual-depletion-region electroabsorption modulator with low capacitance and predicted high bandwidth, Chinese Physics Letters, 2011, 第 6 作者
（162） A Sampled Grating DBR Laser Monolithically Integrated by Using SOAs with 22mW Output Power and 51ITU 100GHz Channels over 43nm, A sampled grating dbr laser monolithically integrated by using soas with 22 mw output power and 51 itu 100 ghz channels over 43 nm, Chinese Physics Letters, 2011, 第 5 作者
（163） Dual-depletion-region lumped electroabsorption modulator for low capacitance and expected high bandwidth, PROCEEDINGS OF SPIE- THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, 2011, 第 4 作者
（164） Design and Characterization of Evanescently Coupled Uni-Traveling Carrier Photodiodes with a Multimode Diluted Waveguide Structure, Design and Characterization of Evanescently Coupled Uni-Traveling Carrier Photodiodes with a Multimode Diluted Waveguide Structure, Chinese Physics Letters, 2010, 第 2 作者
（165） A Selective Area Metal Bonding Method for Si Photonics Light Sources, 2010 7TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS (GFP), 2010, 第 8 作者
（166） 端面反射对SG-DBR激光器性能的影响, Influence of the output facets reflection on the properties of sampled grating DBR lasers, 光电子．激光, 2010, 第 2 作者
（167） Monolithic integration of electroabsorption modulators and tunnel injection distributed feedback lasers using quantum well intermixing, Monolithic integration of electroabsorption modulators and tunnel injection distributed feedback lasers using quantum well intermixing, CHINESE PHYSICS B, 2010, 第 2 作者
（168） All-optical clock recovery for 20 gb/s using an amplified feedback dfb laser, JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2010, 第 2 作者
（169） Monolithic optical gates based on integration of evanescently-coupled uni-traveling-carrier photodiodes and electroabsorption modulators, Monolithic optical gates based on integration of evanescently-coupled uni-traveling-carrier photodiodes and electroabsorption modulators, 中国物理：英文版, 2010, 第 4 作者
（170） Design and Characterization of Evanescently Coupled Uni-Traveling Carrier Photodiodes with a Multimode Diluted Waveguide Structure, CHINESE PHYSICS LETTERS, 27 (2): ART. NO. 028501 FEB 2010, 2010, 
（171） A Selective-Area Metal Bonding InGaAsP-Si Laser, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2010, 第 4 作者
（172） Monolithic integration of widely tunable sampled grating DBR laser with tilted semiconductor optical amplifier, Monolithic integration of widely tunable sampled grating DBR laser with tilted semiconductor optical amplifier, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2010, 第 7 作者
（173） High Characteristic Temperature InGaAsP/InP Tunnel Injection Multiple-Quantum-Well Lasers, High Characteristic Temperature InGaAsP/InP Tunnel Injection Multiple-Quantum-Well Lasers, Chinese Physics Letters, 2010, 第 3 作者
（174） Monolithic integration of electroabsorption modulators and tunnel injection distributed feedback lasers using quantum well intermixing, Monolithic integration of electroabsorption modulators and tunnel injection distributed feedback lasers using quantum well intermixing, 中国物理：英文版, 2010, 第 2 作者
（175） Monolithic optical gates based on integration of evanescently-coupled uni-traveling-carrier photodiodes and electroabsorption modulators, Monolithic optical gates based on integration of evanescently-coupled uni-traveling-carrier photodiodes and electroabsorption modulators, Chinese Physics B, 2010, 第 4 作者
（176） 40-Gbps Low Chirp Electroabsorption Modulated Distributed Feedback Laser, PROCEEDINGS OF SPIE-THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING VOL.7219, 2009, 
（177） Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding, Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding, 中国物理快报：英文版, 2009, 第 3 作者
（178） High-performance electroabsorption modulator, High-performance electroabsorption modulator, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2009, 第 2 作者
（179） InP Based PD/EAM Integrated Photonic Switch, InP Based PD/EAM Integrated Photonic Switch, Chinese Physics Letters, 2009, 第 3 作者
（180） Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding, Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding, Chinese Physics Letters, 2009, 第 3 作者
（181） InP Based PD/EAM Integrated Photonic Switch, InP Based PD/EAM Integrated Photonic Switch, 中国物理快报：英文版, 2009, 第 3 作者
（182） 一种利用光电流和光透过曲线测量电吸收调制器插入损耗因素的方法, A method to analyze insertion loss of electroabsorption-modulator using photocurrent and power transmission vs.wavelength, 物理学报, 2009, 第 5 作者
（183） Integratable and High Speed Complex-Coupled MQW-DFB Lasers Fabricated on Semi-Insulating Substrates, Integratable and High Speed Complex-Coupled MQW-DFB Lasers Fabricated on Semi-Insulating Substrates, 中国物理快报：英文版, 2009, 第 4 作者
（184） 40-gb/s low chirp electroabsorption modulator integrated with dfb laser, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2009, 第 2 作者
（185） High-performance electroabsorption modulator, High-performance electroabsorption modulator, 半导体学报, 2009, 第 2 作者
（186） A high-efficiency high-power evanescently coupled UTC-photodiode, A high-efficiency high-power evanescently coupled UTC-photodiode, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2009, 第 5 作者
（187） 单片集成探测器和电吸收调制器光逻辑门, A Novel Optical Gate by Integration of a Photodiode and an Electroabsorption Modulator, 半导体学报, 2008, 第 2 作者
（188） Photoluminescence and lasing properties of InAs/GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition, Photoluminescence and lasing properties of inas/gaas quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition, CHINESE PHYSICS B, 2008, 第 3 作者
（189） Monolithic Integration of a Widely Tunable Laser with SOA Using Quantum-Well Intermixing, 半导体学报, 2008, 第 5 作者
（190） 单片集成探测器和电吸收调制器光逻辑门, A Novel Optical Gate by Integration of a Photodiode and an Electroabsorption Modulator, 半导体学报, 2008, 第 2 作者
（191） Monolithic Integration of Sampled Grating DBR with Electroabsorption Modulator by Combining Selective-Area-Growth MOCVD and Quantum-Well Intermixing, Monolithic Integration of Sampled Grating DBR with Electroabsorption Modulator by Combining Selective-Area-Growth MOCVD and Quantum-Well Intermixing, Chinese Physics Letters, 2008, 第 3 作者
（192） 量子阱混杂单片集成宽可调谐激光器与半导体光放大器, Monolithic Integration of a Widely Tunable Laser with SOA Using Quantum-Well Intermixing, 半导体学报, 2008, 第 4 作者
（193） Monolithic Integration of Sampled Grating DBR with Electroabsorption Modulator by Combining Selective-Area-Growth MOCVD and Quantum-Well Intermixing, Monolithic Integration of Sampled Grating DBR with Electroabsorption Modulator by Combining Selective-Area-Growth MOCVD and Quantum-Well Intermixing, 中国物理快报：英文版, 2008, 第 3 作者
（194） Photoluminescence and lasing properties of InAs/GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition, Photoluminescence and lasing properties of InAs/GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition, 中国物理：英文版, 2008, 第 3 作者
（195） 用于产生微波信号的分布反馈激光器与Y形波导单片集成器件的研究, Investigation on Monolithic Integration of Distributed Feedback Lasers and Y-Branch for Microwave Generation, 半导体学报, 2007, 第 4 作者
（196） Butt-coupled movpe growth for high-performance electro-absorption modulator integrated with a dfb laser, JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 第 2 作者
（197） 采用单边大光腔结构改善电吸收调制器的光场分布, Improving the optical profile of electroabsorption modulator using single-sided large optical cavity structure, 物理学报, 2007, 第 3 作者
（198） Improving the optical profile of electroabsorption modulator using single-sided large optical cavity structure, ACTA PHYSICA SINICA, 2007, 第 3 作者
（199） High-Power Electroabsorption Modulator Using Intrastep Quantum Well, High-Power Electroabsorption Modulator Using Intrastep Quantum Well, Chinese Physics Letters, 2007, 第 2 作者
（200） Monolithically Integrated Transceiver with Novel Y-Branch by Bundle Integrated Waveguide for Fibre Optic Gyroscope, Monolithically Integrated Transceiver with Novel Y-Branch by Bundle Integrated Waveguide for Fibre Optic Gyroscope, 中国物理快报：英文版, 2007, 第 5 作者
（201） Monolithically Integrated Transceiver with Novel Y-Branch by Bundle Integrated Waveguide for Fibre Optic Gyroscope, Monolithically integrated transceiver with novel y-branch by bundle integrated waveguide for fibre optic gyroscope, Chinese Physics Letters, 2007, 第 5 作者
（202） High-Power Electroabsorption Modulator Using Intrastep Quantum Well, High-Power Electroabsorption Modulator Using Intrastep Quantum Well, 中国物理快报：英文版, 2007, 第 2 作者
（203） Material growth and device fabrication of highly strained InGaAs/InGaAsP long wavelength distributed feedback lasers, ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 第 1 作者  通讯作者
（204） 用于10Gb/s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源, Electroabsorption-modulated laser light-source module using selective area growth for 10 Gb/s transmission, 物理学报, 2006, 第 2 作者
（205） Material growth and device fabrication of highly strained InGaAs/InGaAsP long wavelength distributed feedback lasers, ACTA PHYSICA SINICA, 2006, 第 1 作者  通讯作者
（206） 大应变量子阱长波长半导体激光器的研制, 2005, 第 1 作者
（207） 1．74μm压应变InGaAs／InGaAsP量子阱分布反馈激光器, Compressively Strained InGaAs/InGaAsP Quantum Well Distributed Feedback Laser at 1.74��m, 半导体学报, 2005, 第 1 作者
（208） 1．74μm压应变InGaAs／InGaAsP量子阱分布反馈激光器, Compressively Strained InGaAs/InGaAsP Quantum Well Distributed Feedback Laser at 1.74��m, 半导体学报, 2005, 第 1 作者
（209） Effect of growth interruption and strain buffer layer on PL performance of AlGaAs／GaAs／InGaAs quantum well for 1065 nm wavelength lasers, Effect of growth interruption and strain buffer layer on PL performance of AlGaAs/GaAs/InGaAs quantum well for 1065 nm wavelength lasers, 稀有金属：英文版, 2004, 第 1 作者
（210） 晶片键合在AlGaInP发光二极管中的应用, 激光与光电子学进展, 2003, 第 1 作者
（211） 晶片链合在AlGaInP发光二极管中的应用, Application of wafer bonding in AlGaInP high brightness LED devices, 激光与光电子学进展, 2003, 第 1 作者
（212） Growth of Strain-compensated InGaAs/GaAsP multiple quantum wells by MOVPE, Growth of strain-compensated InGaAs/GaAsP multiple quantum wells by MOVPE, 中国光学快报：英文版, 2003, 第 6 作者
（213） GaAs衬底厚度对发光二极管稳定性的影响, Influence of Substrate Thickness on the Stabilization of Light Emitting Doides, 量子电子学报, 2003, 第 3 作者
（214） InGaAs／AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响, Quantum Confinement Effect 011 PL Spectrum of InGaAs/AlGaAs Multi-quantum Wells, 量子电子学报, 2003, 第 4 作者
（215） 大应变In0．3Ga0．7As／GaAs量子阱激光器的生长和研究, Growth and Study of High Strain In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs Quantum Well Laser Diode Device, 量子电子学报, 2003, 第 1 作者
（216） 生长InGaAs/Alj0.2Ga0.8As应变多量子阱sheng zhang InGaAs Alj0 2Ga0 8As ying bian duo liang zi jing, MOCVD Growth of InGaAs/Al0.2Ga0.8As Strained Multi-quantum Wells, JOURNAL OF OPTOELECTRONICS·LASER, 2003, 第 4 作者
（217） MOCVD生长1．06μm InGaAs／GaAs量子阱LDs, MOCVD Growth of InGaAs/GaAs Quantum Well for 1 064 nm LDs, 光电子．激光, 2003, 第 1 作者
（218） AlGaAs／AlAs体系DBR的MOCVD生长及表征, AlGaAs/AlAs DBR Growth by MOCVD and Its Uniformity, 光电子．激光, 2002, 第 1 作者
（219） 可见光共振腔发光二极管的研究进展, Progress in Visible Light Resonant Cavity Light-emitting Diodes, 激光与光电子学进展, 2002, 第 7 作者
（220） 用MOCVD方法生长940nm应变多量子阱发光二极管, MOCVD Growth of 940 nm Strained Multi-quantum Well Light Emitting Diodes, 光电子．激光, 2002, 第 5 作者
（221） 异常掺杂引起的AlGaInP同型结结构, The AlGaInP Homotype Junction Induced by Abnormal Doping, 光电子．激光, 2002, 第 5 作者
（222） 应变无Al有源层InGaAsp／InGaP／In0.5（GaAI）0.5P／GaAs大功率激光二级管, Al-free Strained Active Region InGaAsp/InGaP/In_(0.5) (GaAl)_(0.5)P/GaAs High Power Laser Diodes, 光电子．激光, 2002, 第 2 作者
（223） 磷化物半导体纳米材料的合成和表面性质, 中国科学：A辑, 2001, 第 1 作者
（224） GaP纳米复合发光材料的制备和性质, 功能材料, 2001, 第 6 作者
（225） 磷化物半导体纳米材料的合成和表面性质, 中国科学：A辑, 2001, 第 5 作者
（226） GaP纳米复合发光材料的合成及性质, 材料科学与工程学报, 2000, 第 1 作者
（227） 温致变色的GaP纳米晶水溶液性质研究, Study on Color Change of GaP Nanocrystals Water-solution with Temperature, 人工晶体学报, 2000, 第 1 作者
（228） ZnS纳米复合材料的制备及性质, 山东大学学报：自然科学版, 2000, 第 2 作者

已指导学生

刘震  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

米俊萍  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李梦珂  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李士颜  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王嘉琪  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王梦琦  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

戴兴  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

孔祥挺  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李召松  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李亚节  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨正霞  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

孟芳媛  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨文宇  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

马建滨  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

于红艳  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

罗光振  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

崔浪林  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王瑞廷  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

陈力成  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

田家琛  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

马鹏飞  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

吕晨  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

辛亦凡  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王梦琦  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

于磊  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

魏汉骏  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨文文  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

邱浩天  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李贞耀  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

正在承担的项目：

国家自然科学基金重点项目“硅基激光雷达芯片关键技术研究”项目负责人

国家重点研发计划 “有源红外气体传感材料与器件及应用”项目首席；

中国科学院前沿重点研究项目 “硅基大规模混合集成的量子阱激光器研究”项目负责人；

“光子集成芯片联合实验室”，单片集成激光雷达芯片，项目负责人；

已经结题的项目：

国家科技重大专项“硅基高迁移率材料与新器件集成技术研究”，首席科学家。

国家“863” 计划项目“ROF用多功能电吸收光调制器”，负责人。

国家“863” 计划项目“基于量子阱激光器的气体检测系统关键技术研究”，负责人。

国家“863”计划项目“多波长硅基混合激光阵列及收发模块研究”（与北京大学合作）子课题，负责人。

国家“973”项目“InP基DFB激光器芯片制备及其与硅基波导键合研究”（与北京大学合作）子课题，负责人。

目前研究硅基单片集成激光雷达芯片，集成度高、体积小、功耗低，是无人驾驶等行业的关键技术之一；

研究硅基光子集成神经网络芯片。

研究高速率CVSEL，高速率EML等器件。