专利成果
[1] 林芳祁, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 李农, 周文广, 蒋洞微, 蒋俊锴, 常发冉, 陈伟强, 李勇. 双色异质结光电晶体管及其制备方法. CN: CN114335232B, 2023-04-14.[2] 周文广, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 吴东海, 蒋俊锴, 常发冉, 李农, 林芳祁, 崔素宁, 陈伟强. 一种短波双色红外探测器及其制备方法. CN: CN114122185B, 2023-02-17.[3] 尚向军, 牛智川, 倪海桥, 苏向斌, 王国伟, 刘汗青, 李叔伦, 戴德琰. 利用半导体激光器实现全息光刻的装置. CN: CN115373229A, 2022-11-22.[4] 蒋俊锴, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 常发冉, 李勇, 崔素宁, 陈伟强. 周期渐变超晶格宽光谱红外探测器及其制备方法. CN: CN114582996A, 2022-06-03.[5] 崔素宁, 牛智川, 蒋洞微, 王国伟, 徐应强, 吴东海, 郝宏玥, 陈伟强, 蒋俊锴. 近-远红外宽光谱超晶格探测器. CN: CN114464632A, 2022-05-10.[6] 崔素宁, 牛智川, 蒋洞微, 王国伟, 徐应强, 吴东海, 郝宏玥, 陈伟强, 蒋俊锴. 近-远红外宽光谱超晶格探测器. CN: CN114464632A, 2022-05-10.[7] 林芳祁, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 李农, 周文广, 蒋洞微, 蒋俊锴, 常发冉, 陈伟强, 李勇. 双色异质结光电晶体管及其制备方法. CN: CN114335232A, 2022-04-12.[8] 周文广, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 吴东海, 蒋俊锴, 常发冉, 李农, 林芳祁, 崔素宁, 陈伟强. 一种短波双色红外探测器及其制备方法. CN: CN114122185A, 2022-03-01.[9] 周文广, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微. 红外探测器及其制备方法. CN: CN113972296A, 2022-01-25.[10] 王天放, 牛智川, 杨成奥, 张宇, 徐应强, 陈益航, 张一, 尚金铭, 刘冰. 多波长集成单模激光种子源. CN: CN113540973A, 2021-10-22.[11] 李叔伦, 牛智川, 倪海桥, 尚向军, 刘冰, 朱小贵, 何胜. 微透镜阵列耦合反射层结构制备方法. CN: CN113484941A, 2021-10-08.[12] 郝宏玥, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微. 一种红外探测器及其制备方法. CN: CN113488558A, 2021-10-08.[13] 牛智川, 李农, 刘冰, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 吴东海, 郝宏玥, 赵有文, 朱小贵, 何胜. 在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法. CN: CN113358677A, 2021-09-07.[14] 王国伟, 李农, 刘冰, 朱小贵, 李宁, 牛智川. 中波超晶格红外探测器. CN: CN113327992A, 2021-08-31.[15] 王国伟, 李农, 刘冰, 朱小贵, 李宁, 牛智川. 双色探测器及其制备方法. CN: CN113327991A, 2021-08-31.[16] 郝宏玥, 徐应强, 牛智川, 王国伟, 蒋洞微. 焦平面红外探测器芯片、探测器和制备方法. CN: CN113130676A, 2021-07-16.[17] 陈伟强, 牛智川, 蒋洞微, 崔素宁, 李勇, 蒋俊锴, 王国伟, 徐应强. 利用钝化层负电化抑制侧壁漏电流的探测器的制备方法. CN: CN113113511A, 2021-07-13.[18] 崔素宁, 蒋洞微, 李勇, 陈伟强, 蒋俊锴, 王国伟, 徐应强, 牛智川. 互补势垒超晶格长波红外探测器. CN: CN113035992A, 2021-06-25.[19] 郝宏玥, 徐应强, 牛智川, 王国伟, 蒋洞微. GaSb焦平面红外探测器的制备方法及GaSb焦平面红外探测器. CN: CN113013289A, 2021-06-22.[20] 何小武, 牛智川, 张宇, 徐应强, 陈昊, 孙宝权, 窦秀明, 尚向军, 倪海桥, 任正伟, 刘汗青. 量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法. CN: CN111525005B, 2021-06-18.[21] 李叔伦, 牛智川, 倪海桥, 尚向军, 陈瑶. 量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法. CN: CN111403567B, 2021-05-14.[22] 尚金铭, 牛智川, 张宇, 杨成奥, 张一, 谢圣文. 中红外GaSb基半导体碟片激光器. CN: CN111262134B, 2021-05-07.[23] 张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 一种中红外锑化物量子级联激光器及其制备方法. CN: CN111431033B, 2021-04-09.[24] 张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 一种中红外波长全覆盖可调谐光模块. CN: CN111244757B, 2021-03-05.[25] 张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 单片集成级联量子阱宽调谐中红外激光器及制备方法. CN: CN112366514A, 2021-02-12.[26] 杨成奥, 牛智川, 张宇, 徐应强, 谢圣文, 张一, 尚金铭, 黄书山, 袁野, 苏向斌, 邵福会. 单片集成双波长半导体激光器及其制备方法. CN: CN111276867B, 2021-01-29.[27] 尚向军, 牛智川, 马奔, 倪海桥, 李叔伦, 陈瑶, 何小武. 光纤耦合单光子源的滤光和二阶关联度测试装置. CN: CN111089648B, 2020-11-13.[28] 尚金铭, 牛智川, 张宇, 杨成奥, 张一, 谢圣文. 中红外单模激光器. CN: CN111244734A, 2020-06-05.[29] 张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法. CN: CN108988125B, 2020-04-21.[30] 袁野, 牛智川, 苏向斌, 杨成奥, 张宇. InAs/InSb复合型量子点及其生长方法. CN: CN110797751A, 2020-02-14.[31] 蒋志, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 孙姚耀, 郭春妍, 贾庆轩, 常发冉. 基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法. CN: CN108899379B, 2019-10-25.[32] 向伟, 王国伟, 徐应强, 郝宏玥, 蒋洞微, 任正伟, 贺振宏, 牛智川. 一种雪崩光电二极管及其制作方法. CN: CN110190148A, 2019-08-30.[33] 刘汗青, 牛智川, 倪海桥, 何小武, 尚向军. 基于双腔结构的纠缠光源. CN: CN110098563A, 2019-08-06.[34] 郭春妍, 魏思航, 蒋洞微, 王国伟, 徐应强, 汪韬, 牛智川. 红外探测器光陷阱结构的制备方法. CN: CN109802004A, 2019-05-24.[35] 杨成奥, 牛智川, 张宇, 徐应强, 谢圣文, 张一, 尚金铭. 片上集成半导体激光器结构及其制备方法. CN: CN109586159A, 2019-04-05.[36] 郭春妍, 孙姚耀, 蒋志, 郝宏玥, 吕粤希, 王国伟, 徐应强, 汪韬, 牛智川. 可见光拓展的中波红外探测器单元器件及其制备方法. CN: CN109524499A, 2019-03-26.[37] 谢圣文, 牛智川, 张宇, 徐应强, 邵福会, 杨成奥, 张一, 尚金铭, 黄书山, 袁野, 苏向斌. 基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法. CN: CN109217109A, 2019-01-15.[38] 张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法. CN: CN109149368A, 2019-01-04.[39] 蒋志, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 孙姚耀, 郭春妍, 贾庆轩, 常发冉. 基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法. CN: CN108899379A, 2018-11-27.[40] 蒋志, 牛智川, 王国伟, 徐应强, 孙姚耀, 韩玺, 蒋洞微. 一种分子束外延生长长波红外超晶格界面的优化方法. CN: CN108648987A, 2018-10-12.[41] 谢圣文, 杨成奥, 张宇, 牛智川. 提高激光器寿命和发光效率的方法. CN: CN108039645A, 2018-05-15.[42] 郭春妍, 徐建星, 彭红玲, 倪海桥, 汪韬, 牛智川. 太赫兹天线片上集成器件的转移键合结构及其制备方法. CN: CN107359135A, 2017-11-17.[43] 马奔, 倪海桥, 尚向军, 陈泽升, 牛智川. 电致单光子源器件及其制备方法. CN: CN107275452A, 2017-10-20.[44] 谢圣文, 张宇, 廖永平, 牛智川. 光学介质薄膜、Al 2 O 3 、含硅薄膜、激光器腔面膜的制备方法. 中国: CN107254667A, 2017-10-17.[45] 谢圣文, 张宇, 廖永平, 牛智川. 光学介质薄膜、Al 2 O 3 、含硅薄膜、激光器腔面膜的制备方法. CN: CN107254667A, 2017-10-17.[46] 李金伦, 崔少辉, 倪海桥, 牛智川. 一种太赫兹波探测器及其制备方法. CN: CN107192450A, 2017-09-22.[47] 吕粤希, 孙姚耀, 郭春妍, 王国伟, 徐应强, 牛智川. 基于AlInAsSb体材料作倍增区的雪崩光电二极管及其制备方法. CN: CN107170847A, 2017-09-15.[48] 杨成奥, 张宇, 廖永平, 徐应强, 牛智川. 单模GaSb基半导体激光器及其制备方法. CN: CN106953235A, 2017-07-14.[49] 魏思航, 张宇, 廖永平, 倪海桥, 牛智川. 四波长输出半导体激光器及其制备方法. CN: CN106451076A, 2017-02-22.[50] 向伟, 王国伟, 徐应强",null,"蒋洞微",null,null,"牛智川. 一种雪崩光电二极管及其制作方法. CN: CN104465853B, 2017-01-11.[51] 张克露, 张宇, 牛智川. GaSb基单管双区结构短脉冲激光器及其制备方法. CN: CN106300016A, 2017-01-04.[52] 孙姚耀, 韩玺, 王国伟, 徐应强, 牛智川. 铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法. CN: CN106298993A, 2017-01-04.[53] 廖永平, 张宇, 魏思航, 郝宏玥, 徐应强, 牛智川. 一种大功率1.8‑4μm半导体激光器及其制备方法. CN: CN106300015A, 2017-01-04.[54] 马奔, 陈泽升, 尚向军, 倪海桥, 牛智川. 单光子源器件光纤阵列耦合输出装置、耦合系统及方法. CN: CN106199856A, 2016-12-07.[55] 马奔, 陈泽升, 尚向军, 倪海桥, 牛智川. 一种电致单光子源器件及其制备方法. CN: CN106099642A, 2016-11-09.[56] 郝宏玥, 徐应强, 王国伟, 向伟, 韩玺, 蒋洞微, 牛智川. InAs/GaSb超晶格光子晶体红外探测器及其制备方法. CN: CN106024931A, 2016-10-12.[57] 韩玺, 徐应强, 王国伟, 向伟, 郝宏玥, 牛智川. 一种双通道宽光谱探测器及其制备方法. CN: CN105957918A, 2016-09-21.[58] 向伟, 王国伟, 徐应强, 郝宏玥, 韩玺, 任正伟, 贺振宏, 牛智川. 单势垒型InGaAsSb红外探测器. CN: CN105932092A, 2016-09-07.[59] 郭春妍, 徐建星, 倪海桥, 汪韬, 牛智川. 带有DBR层的太赫兹光电导天线外延结构及制备方法. CN: CN105589119A, 2016-05-18.[60] 裴康明, 倪海桥, 詹锋, 董宇, 牛智川. 共振隧穿二极管近红外探测器. CN: CN105244407A, 2016-01-13.[61] 王广龙, 董宇, 倪海桥, 牛智川, 高凤岐, 乔中涛. 一种新型结构的单光子探测器. CN: CN105206702A, 2015-12-30.[62] 杨成奥, 张宇, 廖永平, 魏思航, 徐应强, 牛智川. 一种半导体激光器及其制备方法. 中国: CN105161976A, 2015-12-16.[63] 杨成奥, 张宇, 廖永平, 徐应强, 牛智川. 一种集成半导体激光器的制备方法. CN: CN105098595A, 2015-11-25.[64] 王广龙, 董宇, 倪海桥, 陈建辉, 高凤岐, 乔中涛, 裴康明, 牛智川. 基于共振隧穿效应的近红外探测器. CN: CN105047725A, 2015-11-11.[65] 徐建星, 査国伟, 张立春, 魏思航, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法. CN: CN104795461A, 2015-07-22.[66] 裴康明, 倪海桥, 詹锋, 董宇, 牛智川. 低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器. CN: CN104659145A, 2015-05-27.[67] 裴康明, 倪海桥, 詹锋, 董宇, 牛智川. 基于Ⅱ型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器. CN: CN104659146A, 2015-05-27.[68] 张立春, 王国伟, 张宇, 徐应强, 倪海桥, 牛智川. 一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法. CN: CN104611670A, 2015-05-13.[69] 向伟, 王国伟, 徐应强",null,"蒋洞微",null,null,"牛智川. 一种雪崩光电二极管及其制作方法. CN: CN104465853A, 2015-03-25.[70] 郝宏玥, 王国伟, 向伟, 蒋洞微, 邢军亮, 徐应强, 牛智川. 一种半导体光电器件的表面钝化方法. CN: CN104409525A, 2015-03-11.[71] 李金伦, 崔少辉, 倪海桥, 牛智川. 一种太赫兹波探测器及其制备方法. CN: CN104143580A, 2014-11-12.[72] 蒋洞微, 向伟, 王娟, 邢军亮, 王国伟, 徐应强, 任正伟, 贺振宏, 牛智川. InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法. CN: CN103887360A, 2014-06-25.[73] 査国伟, 牛智川, 倪海桥, 尚向军, 贺振宏. 利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统. CN: CN103592818A, 2014-02-19.[74] 査国伟, 牛智川, 倪海桥, 尚向军, 贺振宏. 采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法. CN: CN103594334A, 2014-02-19.[75] 邢军亮, 张宇, 徐应强, 王国伟, 王娟, 向伟, 任正伟, 牛智川. 带间级联激光器及其制备方法. CN: CN103579904A, 2014-02-12.[76] 王莉娟, 喻颖, 査国伟, 徐建星, 倪海桥, 牛智川. 一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法. CN: CN103576221A, 2014-02-12.[77] 张宇, 邢军亮, 徐应强, 任正伟, 牛智川. 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器. CN: CN103545713A, 2014-01-29.[78] 喻颖, 李密锋, 贺继方, 査国伟, 徐建星, 尚向军, 王莉娟, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. 基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法. CN: CN103531441A, 2014-01-22.[79] 喻颖, 査国伟, 徐建星, 尚向军, 李密锋, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. 制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法. CN: CN103531679A, 2014-01-22.[80] 王莉娟, 喻颖, 査国伟, 徐建星, 倪海桥, 牛智川. 基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法. CN: CN103532010A, 2014-01-22.[81] 邢军亮, 张宇, 徐应强, 王国伟, 王娟, 向伟, 任正伟, 牛智川. 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