砷锑化合物半导体低维（量子阱、量子线。量子点、超晶格等）异质结构外延生长、受限光电子体系量子物理效应、高性能光电器件和量子信息器件制备。

目前研究方向主要包括：
1.In(Ga)As/GaAs量子结构材料与量子信息器件
2.In(Ga)AlAs(Sb)/GaSb低维材料与红外光电子器件

招生专业：
1、微电子学与固体电子学
2、半导体材料与器件

3、物理电子学

研究方向
1（光电子方向）：半导体量子结构材料与量子信息器件
2（光电子方向）：半导体低维材料与红外光电器件
3（光电子方向）：半导体外延材料生长技术

新型半导体红外光电材料与器件
半导体纳米材料与光电器件
半导体材料生长与器件制备

1996-10--1998-10 德国PDI固体电子学研究所 博士后

中国科学院半导体研究所理学博士学位。

1996-1998：德国，PDI研究所博士后
1998-1999，美国，南加州大学研究助理

-- 研究生

1、InAs/GaAs自组织量子点长波长激光器：创新发展单原子层循环调制技术生长的1.3微米自组织量子点实现室温连续激射极低阈值激光器。发明液滴法分子束外延技术，实现GaAs/AlGaAs、InGaAs/GaAs量子环生长。

2、InAs单量子点单光子/纠缠光子源：稀疏密度量子点外延技术，电驱动单量子点单光子发射器件，微腔/纳米线耦合量子点量子光源。
3、GaAs基近红外光电器件：发明N等离子源原位束流控制技术实现GaInAsN量子阱生长，研制1.3-1.5微米GaInAsN/GaAs量子阱激光器。提出In组分线性控制InGaAs/GaAs异变结生长技术，实现低阈值1.33微米InGaAs/GaAs异变量子阱激光器，1.55 微米InGaAsSb/GaAs异变量子阱激光器。
5：GaSb基锑化物窄带隙低维材料与红外光电器件：II类超晶格2-20微米光电探测响应波段覆盖，中长双色焦平面芯片，短波红外大功率和单模锑化物量子阱激光器。
 
目前承担的主要科研项目：
国家重点研发计划量子调控项目首席：半导体复合量子结构的量子输运机理及量子器件制备

国家自然科学基金委重大项目主持：锑化物低维结构中红外激光器基础理论与关键技术

国家基础加强计划重点项目首席：低噪声超晶格探测器 
中科院创新部署重点项目主持：锑化物超晶格宽谱探测器

国际：瑞典查尔姆斯理工大学、瑞典皇家理工学院；俄罗斯约飞技物所；
国内：中国科技大学；南京大学；中山大学；

已指导学生

张石勇  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

董庆瑞  博士研究生  070205-凝聚态物理  

黄社松  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

方志丹  博士研究生  070205-凝聚态物理  

佟存柱  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

郝瑞亭  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵欢  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴东海  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴兵朋  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

熊永华  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

周志强  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王海莉  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王鹏飞  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

汤宝  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

朱岩  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

贺继方  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

尚向军  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王国伟  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李密锋  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王莉娟  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

邢军亮  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

查国伟  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

郝宏玥  博士研究生  080901-物理电子学  

徐建星  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

廖永平  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄书山  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吕粤希  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

韩玺  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

向伟  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

蒋志  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

孙姚耀  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

郑大农  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张一  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

孙矩  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

袁野  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨成奥  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

谢圣文  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李叔伦  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

陈益航  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

贾庆轩  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王天放  硕士研究生  0805Z2-半导体材料与器件  

周文广  硕士研究生  0805Z2-半导体材料与器件  

刘汗青  博士研究生  0805Z2-半导体材料与器件  

许雪月  硕士研究生  085204-材料工程  

崔素宁  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

郝慧明  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

2006年度北京市科技二等奖。

2014中国电子学会自然科学一等奖。

[1] 尚向军, 牛智川, 倪海桥, 刘汗青, 李叔伦, 苏向斌, 戴德琰, 马奔, 陈泽升. 基于量子点实现光子对发射及光纤输出的装置及方法. CN: CN118244553A, 2024-06-25.
[2] 尚向军, 牛智川, 倪海桥, 苏向斌, 刘汗青, 王国伟, 李叔伦, 戴德琰, 张宇. 基于半导体激光器的全息光刻装置及全息光刻方法. CN: CN117970753A, 2024-05-03.
[3] 石建美, 牛智川, 杨成奥, 徐应强, 张宇, 倪海桥, 陈益航, 王天放, 余红光. 具有片上滤波结构的半导体激光器及其制备方法. CN: CN117424072A, 2024-01-19.
[4] 单一凡, 牛智川, 吴东海, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 郝宏玥, 周文广, 谢若愚, 常发冉, 李农. 一种红外探测器的制备方法、红外探测器. CN: CN117637908A, 2024-03-01.
[5] 李农, 牛智川, 王国伟, 徐应强, 蒋洞微, 吴东海, 郝宏玥, 倪海桥, 苏向斌. 双极势垒短波红外探测器及制备方法. CN: CN116936659A, 2023-10-24.
[6] 尚向军, 牛智川, 倪海桥, 苏向斌, 王国伟, 刘汗青, 李叔伦, 戴德琰. 利用半导体激光器实现全息光刻的装置. CN: CN115373229A, 2022-11-22.
[7] 崔素宁, 牛智川, 蒋洞微, 王国伟, 徐应强, 吴东海, 郝宏玥, 陈伟强, 蒋俊锴. 近-远红外宽光谱超晶格探测器. CN: CN114464632A, 2022-05-10.
[8] 崔素宁, 牛智川, 蒋洞微, 王国伟, 徐应强, 吴东海, 郝宏玥, 陈伟强, 蒋俊锴. 近-远红外宽光谱超晶格探测器. CN: CN114464632A, 2022-05-10.
[9] 林芳祁, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 李农, 周文广, 蒋洞微, 蒋俊锴, 常发冉, 陈伟强, 李勇. 双色异质结光电晶体管及其制备方法. CN: CN114335232B, 2023-04-14.
[10] 林芳祁, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 李农, 周文广, 蒋洞微, 蒋俊锴, 常发冉, 陈伟强, 李勇. 双色异质结光电晶体管及其制备方法. CN: CN114335232A, 2022-04-12.
[11] 周文广, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 吴东海, 蒋俊锴, 常发冉, 李农, 林芳祁, 崔素宁, 陈伟强. 一种短波双色红外探测器及其制备方法. CN: CN114122185A, 2022-03-01.
[12] 周文广, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 吴东海, 蒋俊锴, 常发冉, 李农, 林芳祁, 崔素宁, 陈伟强. 一种短波双色红外探测器及其制备方法. CN: CN114122185B, 2023-02-17.
[13] 周文广, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微. 红外探测器及其制备方法. CN: CN113972296A, 2022-01-25.
[14] 王天放, 牛智川, 杨成奥, 张宇, 徐应强, 陈益航, 张一, 尚金铭, 刘冰. 多波长集成单模激光种子源. CN: CN113540973A, 2021-10-22.
[15] 李叔伦, 牛智川, 倪海桥, 尚向军, 刘冰, 朱小贵, 何胜. 微透镜阵列耦合反射层结构制备方法. CN: CN113484941A, 2021-10-08.
[16] 郝宏玥, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微. 一种红外探测器及其制备方法. CN: CN113488558A, 2021-10-08.
[17] 牛智川, 李农, 刘冰, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 吴东海, 郝宏玥, 赵有文, 朱小贵, 何胜. 在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法. CN: CN113358677A, 2021-09-07.
[18] 王国伟, 李农, 刘冰, 朱小贵, 李宁, 牛智川. 中波超晶格红外探测器. CN: CN113327992A, 2021-08-31.
[19] 王国伟, 李农, 刘冰, 朱小贵, 李宁, 牛智川. 双色探测器及其制备方法. CN: CN113327991A, 2021-08-31.
[20] 郝宏玥, 徐应强, 牛智川, 王国伟, 蒋洞微. 焦平面红外探测器芯片、探测器和制备方法. CN: CN113130676A, 2021-07-16.
[21] 陈伟强, 牛智川, 蒋洞微, 崔素宁, 李勇, 蒋俊锴, 王国伟, 徐应强. 利用钝化层负电化抑制侧壁漏电流的探测器的制备方法. CN: CN113113511A, 2021-07-13.
[22] 崔素宁, 蒋洞微, 李勇, 陈伟强, 蒋俊锴, 王国伟, 徐应强, 牛智川. 互补势垒超晶格长波红外探测器. CN: CN113035992A, 2021-06-25.
[23] 郝宏玥, 徐应强, 牛智川, 王国伟, 蒋洞微. GaSb焦平面红外探测器的制备方法及GaSb焦平面红外探测器. CN: CN113013289A, 2021-06-22.
[24] 蒋俊锴, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 常发冉, 李勇, 崔素宁, 陈伟强. 周期渐变超晶格宽光谱红外探测器及其制备方法. CN: CN114582996A, 2022-06-03.
[25] 张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 单片集成级联量子阱宽调谐中红外激光器及制备方法. CN: CN112366514A, 2021-02-12.
[26] 何小武, 牛智川, 张宇, 徐应强, 陈昊, 孙宝权, 窦秀明, 尚向军, 倪海桥, 任正伟, 刘汗青. 量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法. CN: CN111525005B, 2021-06-18.
[27] 张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 一种中红外锑化物量子级联激光器及其制备方法. CN: CN111431033B, 2021-04-09.
[28] 李叔伦, 牛智川, 倪海桥, 尚向军, 陈瑶. 量子点单光子源及其微透镜阵列的湿法腐蚀制备方法. CN: CN111403567B, 2021-05-14.
[29] 尚金铭, 牛智川, 张宇, 杨成奥, 张一, 谢圣文. 中红外GaSb基半导体碟片激光器. CN: CN111262134B, 2021-05-07.
[30] 尚金铭, 牛智川, 张宇, 杨成奥, 张一, 谢圣文. 中红外单模激光器. CN: CN111244734A, 2020-06-05.
[31] 张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 一种中红外波长全覆盖可调谐光模块. CN: CN111244757B, 2021-03-05.
[32] 尚向军, 牛智川, 马奔, 倪海桥, 李叔伦, 陈瑶, 何小武. 光纤耦合单光子源的滤光和二阶关联度测试装置. CN: CN111089648B, 2020-11-13.
[33] 袁野, 牛智川, 苏向斌, 杨成奥, 张宇. InAs/InSb复合型量子点及其生长方法. CN: CN110797751A, 2020-02-14.
[34] 刘汗青, 牛智川, 倪海桥, 何小武, 尚向军. 基于双腔结构的纠缠光源. CN: CN110098563A, 2019-08-06.
[35] 向伟, 王国伟, 徐应强, 郝宏玥, 蒋洞微, 任正伟, 贺振宏, 牛智川. 一种雪崩光电二极管及其制作方法. CN: CN110190148A, 2019-08-30.
[36] 杨成奥, 牛智川, 张宇, 徐应强, 谢圣文, 张一, 尚金铭. 片上集成半导体激光器结构及其制备方法. CN: CN109586159A, 2019-04-05.
[37] 杨成奥, 牛智川, 张宇, 徐应强, 谢圣文, 张一, 尚金铭, 黄书山, 袁野, 苏向斌, 邵福会. 单片集成双波长半导体激光器及其制备方法. CN: CN111276867B, 2021-01-29.
[38] 谢圣文, 牛智川, 张宇, 徐应强, 邵福会, 杨成奥, 张一, 尚金铭, 黄书山, 袁野, 苏向斌. 基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法. CN: CN109217109A, 2019-01-15.
[39] 张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法. CN: CN109149368A, 2019-01-04.
[40] 张一, 牛智川, 张宇, 徐应强, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭. 中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法. CN: CN108988125B, 2020-04-21.
[41] 蒋志, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 孙姚耀, 郭春妍, 贾庆轩, 常发冉. 基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法. CN: CN108899379A, 2018-11-27.
[42] 蒋志, 牛智川, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 孙姚耀, 郭春妍, 贾庆轩, 常发冉. 基于锑化物的可见光-中红外探测器及其制备方法. CN: CN108899379B, 2019-10-25.
[43] 蒋志, 牛智川, 王国伟, 徐应强, 孙姚耀, 韩玺, 蒋洞微. 一种分子束外延生长长波红外超晶格界面的优化方法. CN: CN108648987A, 2018-10-12.
[44] 谢圣文, 杨成奥, 张宇, 牛智川. 提高激光器寿命和发光效率的方法. CN: CN108039645A, 2018-05-15.
[45] 郭春妍, 魏思航, 蒋洞微, 王国伟, 徐应强, 汪韬, 牛智川. 红外探测器光陷阱结构的制备方法. CN: CN109802004A, 2019-05-24.
[46] 郭春妍, 孙姚耀, 蒋志, 郝宏玥, 吕粤希, 王国伟, 徐应强, 汪韬, 牛智川. 可见光拓展的中波红外探测器单元器件及其制备方法. CN: CN109524499A, 2019-03-26.
[47] 谢圣文, 张宇, 廖永平, 牛智川. 光学介质薄膜、Al 2 O 3 、含硅薄膜、激光器腔面膜的制备方法. 中国: CN107254667A, 2017-10-17.
[48] 谢圣文, 张宇, 廖永平, 牛智川. 光学介质薄膜、Al 2 O 3 、含硅薄膜、激光器腔面膜的制备方法. CN: CN107254667A, 2017-10-17.
[49] 马奔, 倪海桥, 尚向军, 陈泽升, 牛智川. 电致单光子源器件及其制备方法. CN: CN107275452A, 2017-10-20.
[50] 吕粤希, 孙姚耀, 郭春妍, 王国伟, 徐应强, 牛智川. 基于AlInAsSb体材料作倍增区的雪崩光电二极管及其制备方法. CN: CN107170847A, 2017-09-15.
[51] 李金伦, 崔少辉, 倪海桥, 牛智川. 一种太赫兹波探测器及其制备方法. CN: CN107192450A, 2017-09-22.
[52] 张克露, 张宇, 牛智川. GaSb基单管双区结构短脉冲激光器及其制备方法. CN: CN106300016A, 2017-01-04.
[53] 孙姚耀, 韩玺, 王国伟, 徐应强, 牛智川. 铟砷锑和铟镓砷锑双波段红外探测器及制备方法. CN: CN106298993A, 2017-01-04.
[54] 魏思航, 张宇, 廖永平, 倪海桥, 牛智川. 四波长输出半导体激光器及其制备方法. CN: CN106451076A, 2017-02-22.
[55] 廖永平, 张宇, 魏思航, 郝宏玥, 徐应强, 牛智川. 一种大功率1.8‑4μm半导体激光器及其制备方法. CN: CN106300015A, 2017-01-04.
[56] 马奔, 陈泽升, 尚向军, 倪海桥, 牛智川. 单光子源器件光纤阵列耦合输出装置、耦合系统及方法. CN: CN106199856A, 2016-12-07.
[57] 韩玺, 徐应强, 王国伟, 向伟, 郝宏玥, 牛智川. 一种双通道宽光谱探测器及其制备方法. CN: CN105957918A, 2016-09-21.
[58] 马奔, 陈泽升, 尚向军, 倪海桥, 牛智川. 一种电致单光子源器件及其制备方法. CN: CN106099642A, 2016-11-09.
[59] 向伟, 王国伟, 徐应强, 郝宏玥, 韩玺, 任正伟, 贺振宏, 牛智川. 单势垒型InGaAsSb红外探测器. CN: CN105932092A, 2016-09-07.
[60] 郝宏玥, 徐应强, 王国伟, 向伟, 韩玺, 蒋洞微, 牛智川. InAs/GaSb超晶格光子晶体红外探测器及其制备方法. CN: CN106024931A, 2016-10-12.
[61] 郭春妍, 徐建星, 彭红玲, 倪海桥, 汪韬, 牛智川. 太赫兹天线片上集成器件的转移键合结构及其制备方法. CN: CN107359135A, 2017-11-17.
[62] 杨成奥, 张宇, 廖永平, 徐应强, 牛智川. 单模GaSb基半导体激光器及其制备方法. CN: CN106953235A, 2017-07-14.
[63] 郭春妍, 徐建星, 倪海桥, 汪韬, 牛智川. 带有DBR层的太赫兹光电导天线外延结构及制备方法. CN: CN105589119A, 2016-05-18.
[64] 杨成奥, 张宇, 廖永平, 徐应强, 牛智川. 一种集成半导体激光器的制备方法. CN: CN105098595A, 2015-11-25.
[65] 裴康明, 倪海桥, 詹锋, 董宇, 牛智川. 共振隧穿二极管近红外探测器. CN: CN105244407A, 2016-01-13.
[66] 杨成奥, 张宇, 廖永平, 魏思航, 徐应强, 牛智川. 一种半导体激光器及其制备方法. 中国: CN105161976A, 2015-12-16.
[67] 王广龙, 董宇, 倪海桥, 陈建辉, 高凤岐, 乔中涛, 裴康明, 牛智川. 基于共振隧穿效应的近红外探测器. CN: CN105047725A, 2015-11-11.
[68] 徐建星, 査国伟, 张立春, 魏思航, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法. CN: CN104795461A, 2015-07-22.
[69] 裴康明, 倪海桥, 詹锋, 董宇, 牛智川. 低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器. CN: CN104659145A, 2015-05-27.
[70] 裴康明, 倪海桥, 詹锋, 董宇, 牛智川. 基于Ⅱ型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器. CN: CN104659146A, 2015-05-27.
[71] 张立春, 王国伟, 张宇, 徐应强, 倪海桥, 牛智川. 一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法. CN: CN104611670A, 2015-05-13.
[72] 向伟, 王国伟, 徐应强",null,"蒋洞微",null,null,"牛智川. 一种雪崩光电二极管及其制作方法. CN: CN104465853A, 2015-03-25.
[73] 向伟, 王国伟, 徐应强",null,"蒋洞微",null,null,"牛智川. 一种雪崩光电二极管及其制作方法. CN: CN104465853B, 2017-01-11.
[74] 郝宏玥, 王国伟, 向伟, 蒋洞微, 邢军亮, 徐应强, 牛智川. 一种半导体光电器件的表面钝化方法. CN: CN104409525A, 2015-03-11.
[75] 李金伦, 崔少辉, 倪海桥, 牛智川. 一种太赫兹波探测器及其制备方法. CN: CN104143580A, 2014-11-12.
[76] 王广龙, 董宇, 倪海桥, 牛智川, 高凤岐, 乔中涛. 一种新型结构的单光子探测器. CN: CN105206702A, 2015-12-30.
[77] 蒋洞微, 向伟, 王娟, 邢军亮, 王国伟, 徐应强, 任正伟, 贺振宏, 牛智川. InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法. CN: CN103887360A, 2014-06-25.
[78] 査国伟, 牛智川, 倪海桥, 尚向军, 贺振宏. 利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统. CN: CN103592818A, 2014-02-19.
[79] 査国伟, 牛智川, 倪海桥, 尚向军, 贺振宏. 采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法. CN: CN103594334A, 2014-02-19.
[80] 邢军亮, 张宇, 徐应强, 王国伟, 王娟, 向伟, 任正伟, 牛智川. 带间级联激光器及其制备方法. CN: CN103579904A, 2014-02-12.
[81] 张宇, 邢军亮, 徐应强, 任正伟, 牛智川. 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器. CN: CN103545713A, 2014-01-29.
[82] 王莉娟, 喻颖, 査国伟, 徐建星, 倪海桥, 牛智川. 基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法. CN: CN103532010A, 2014-01-22.
[83] 王莉娟, 喻颖, 査国伟, 徐建星, 倪海桥, 牛智川. 一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法. CN: CN103576221A, 2014-02-12.
[84] 喻颖, 李密锋, 贺继方, 査国伟, 徐建星, 尚向军, 王莉娟, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. 基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法. CN: CN103531441A, 2014-01-22.
[85] 喻颖, 査国伟, 徐建星, 尚向军, 李密锋, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. 制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法. CN: CN103531679A, 2014-01-22.
[86] 邢军亮, 张宇, 徐应强, 王国伟, 王娟, 向伟, 任正伟, 牛智川. InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法. CN: CN103441181A, 2013-12-11.
[87] 丁颖, 倪海桥, 李密锋, 喻颖, 查国伟, 徐建新, 王莉娟, 牛智川. 硅基半导体超短脉冲激光器. CN: CN103414106A, 2013-11-27.
[88] 査国伟, 牛智川, 倪海桥, 李密锋, 喻颖, 王莉娟, 徐建星, 尚向军, 贺振宏. 一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法. CN: CN103345028A, 2013-10-09.
[89] 査国伟, 李密锋, 喻颖, 王莉娟, 徐建星, 尚向军, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. 在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法. CN: CN103367588A, 2013-10-23.
[90] 倪海桥, 丁颖, 徐应强, 李密锋, 喻颖, 査国伟, 徐建新, 牛智川. 基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备. CN: CN103368042A, 2013-10-23.
[91] 牛智川, 倪海桥, 王海莉, 贺继方, 朱岩, 倪海桥, 王鹏飞, 黄社松, 熊永华. 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法. CN: CN103194793A, 2013-07-10.
[92] 査国伟, 李密锋, 喻颖, 王莉娟, 徐建星, 尚向军, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. 在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法. CN: CN103165418A, 2013-06-19.
[93] 尚向军, 倪海桥, 査国伟, 喻颖, 李密峰, 王莉娟, 徐建星, 牛智川. 自组织单量子点的定位方法及装置. CN: CN103163109A, 2013-06-19.
[94] 邢军亮, 张宇, 王国伟, 王娟, 王丽娟, 任正伟, 徐应强, 牛智川. 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法. CN: CN103078252A, 2013-05-01.
[95] 査国伟, 喻颖, 李密峰, 王莉娟, 倪海桥, 贺正宏, 牛智川. 制备微透镜阵列的方法. CN: CN102967891A, 2013-03-13.
[96] 倪海桥, 丁颖, 李密锋, 喻颖, 査国伟, 牛智川. 多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构. CN: CN102832538A, 2012-12-19.
[97] 贺继方, 尚向军, 倪海桥, 王海莉, 李密峰, 朱岩, 王莉娟, 喻颖, 贺正宏, 徐应强, 牛智川. 在衬底上生长异变缓冲层的方法. CN: CN102194671A, 2011-09-21.
[98] 张宇, 王国伟, 汤宝, 任正伟, 徐应强, 牛智川, 陈良惠. HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器. CN: CN101814545A, 2010-08-25.
[99] 王国伟, 汤宝, 周志强, 任正伟, 徐应强, 牛智川. 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法. CN: CN101777601A, 2010-07-14.
[100] 李密锋, 倪海桥, 贺继方, 査国伟, 尚向军, 倪海桥, 贺振宏, 牛智川. 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法. CN: CN102034909A, 2011-04-27.
[101] 王鹏飞, 吴东海, 吴兵朋, 熊永华, 詹 峰, 黄社松, 倪海桥, 牛智川. 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法. CN: CN101624725A, 2010-01-13.
[102] 汤宝, 周志强, 郝瑞亭, 任正伟, 徐应强, 牛智川. GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法. CN: CN101576413A, 2009-11-11.
[103] 周志强, 郝瑞亭, 汤 宝, 任正伟, 徐应强, 牛智川. GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法. CN: CN101562210A, 2009-10-21.
[104] 郝瑞亭, 周志强, 任正伟, 徐应强, 牛智川. 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法. CN: CN101207022A, 2008-06-25.
[105] 郝瑞亭, 周志强, 任正伟, 徐应强, 牛智川. 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法. CN: CN101148776A, 2008-03-26.
[106] 牛智川, 倪海桥, 韩勤, 张石勇, 吴东海, 赵 欢, 杨晓红, 彭红玲, 周志强, 熊永华, 吴荣汉. 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法. CN: CN1953217A, 2007-04-25.
[107] 赵建华, 邓加军, 毕京峰, 牛智川, 杨富华, 吴晓光, 郑厚植. 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法. CN: CN1866465A, 2006-11-22.
[108] 赵建华, 蒋春萍, 郑厚植, 邓加军, 杨富华, 牛智川, 吴晓光. 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法. CN: CN1815213A, 2006-08-09.
[109] 牛智川, 方志丹, 倪海桥, 韩勤, 龚政, 张石勇, 佟存柱, 彭红玲, 吴东海, 赵欢, 吴荣汉. 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法. CN: CN1786107A, 2006-06-14.
[110] 佟存柱, 牛智川, 韩勤, 杜云, 吴荣汉. 可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置. CN: CN2777751Y, 2006-05-03.
[111] 徐晓华, 倪海桥, 牛智川, 贺正宏, 王建林. 高击穿电压的高电子迁移率晶体管. CN: CN1707807A, 2005-12-14.
[112] 牛智川, 徐晓华, 倪海桥, 徐应强, 韩勤, 吴荣汉. 高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法. CN: CN1624996A, 2005-06-08.
[113] 刘金龙, 李树深, 牛智川. 自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法. CN: CN1312813C, 2007-04-25.
[114] 牛智川, 倪海桥, 徐晓华, 徐应强, 张纬, 韩勤, 吴荣汉. 气态束源炉瞬态开关控制真空装置. CN: CN1255572C, 2006-05-10.
[115] 牛智川, 封松林, 杨富华, 王晓东, 汪辉, 李树英, 苗振华, 李树深. 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法. CN: CN1372360A, 2002-10-02.

   

（1） 晶格工程，Lattice Engneering，Pan Stanford Publishing，2012-05，第5作者