基本信息

陈嘉民  男  博导  研究员

中国科学院空天信息创新研究院, 传感器技术全国重点实验室

国家高层次人才

中国科协青年托举人才

中科院人才计划入选者

中国科学院大学小米青年学者

中国科学院大学岗位教授


电子邮件: chenjm@aircas.ac.cn

通信地址: 北京市海淀区北四环西路19号

邮政编码: 100190

研究领域

1) 微纳磁传感器

2) 心脑磁场探测

3) 自旋电子新材料和新器件

4) 脑机接口——神经磁极

5) TMR电流传感器

6) 自旋纳米振荡器

7) 微纳加工工艺

8) 纳米磁性薄膜

9) AI传感器

招生信息

每年招收3名直博研究生或硕士

招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
080502-材料学
招生方向
微纳磁传感器
自旋电子材料和器件
MEMS

教育背景

2014-10--2017-12   日本筑波大学   博士
2012-09--2014-07   日本筑波大学   硕士
2008-09--2012-06   华中科技大学   学士
学历

2014.10至2017.12   日本筑波大学  数理物质科学研究科 材料科学与工学专业 博士研究生

2012.9至2014.7   日本筑波大学  数理物质科学研究科 材料科学专业 硕士研究生

2008.9至2012.6   华中科技大学  电子科学与技术系 电子科学与技术专业 本科生

学位

2017年 获 日本筑波大学 工学博士 学位

2014年 获 日本筑波大学 工学硕士 学位

2012年 获 华中科技大学 工学学士 学位

工作经历

2018-05~至今,中科院空天信息创新研究院,研究员

2018-01~2018-05,日本国立物质材料研究所, 博士后研究员

2017-04~2017-12,日本学术振兴会(JSPS), 特别研究员

2012-09~2017-03,日本国立物质材料研究所, 青年研究员

教授课程

传感器与信息测试技术

专利与奖励

获奖情况

1. 2017 年11 月,在第62 届国际磁学与磁性材料年度会议上,获得最佳学生演讲发表奖.

2. 2017 年9 月,在第3 届ImPACT 国际研讨会上,获得最佳海报发表奖。

3. 2017 年8 月,在第28 届磁记录会议(TMRC)上,获得最佳海报发表奖。

4. 2017 年3 月,在第77 届应用物理学会秋季学术演讲会(JSAP)上,获得优秀英语演讲奖。

5. 2016 年10 月,当选日本学术振兴会(JSPS)特别研究员(fellowship)。

6. 2016 年1 月,最佳学生发表奖,日本物质材料研究所(NIMS)学生研究发表会。

7. 2014 年11 月,在第59 届国际磁学与磁性材料年度会议上,获得最佳学生演讲发表奖。

8. 2014 年2 月,最佳学生发表奖,日本物质材料研究所(NIMS)学生研究发表会。

9. 2012 年6 月,获得“华中科技大学2012 届优秀毕业生奖”。



奖励信息
(1) 中国科学院大学大学“小米青年学者”, 研究所(学校), 2024
(2) 第七届中国科协青年托举人才, 国家级, 2022
(3) 第六届微系统与纳米工程论坛国际会议优秀青年科学家奖, , 其他, 2019
专利成果
( 1 ) 磁控溅射托盘及磁控溅射装置, 发明专利, 2025, 第 3 作者, 专利号: CN119824385A

( 2 ) 基于热氧化硅片的巨磁阻效应自旋阀多层 膜结构及其制备方法和磁阻元件, 发明专利, 2024, 第 2 作者, 专利号: CN 119212543 A

( 3 ) 三轴隧道磁阻传感器及磁场检测方法, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN 119087313 A

( 4 ) 基于二维磁通调制结构的MEMS磁阻传感器及其制备方法, 发明授权, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN114879104B

( 5 ) 基于磁通聚集器的磁阻式传感器及其制造 方法, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN 118938093 A

( 6 ) 检测探针和电路, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN 118697355 A

( 7 ) 一种具备频率调制功能的磁电阻-超导复合磁探测器, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN118362946A

( 8 ) 外延生长GMR的膜层结构及其制备方法、GMR传感器制备方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN118241154A

( 9 ) 外延生长TMR的膜层结构及其制备方法、TMR传感器制备方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN118241171A

( 10 ) 制造自旋霍尔振荡器件的方法及自旋霍尔振荡器件, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN118215385A

( 11 ) 电流传感器和零漂补偿方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN117849432A

( 12 ) 宽量程电流测量电路和宽量程电流测量方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN117849433A

( 13 ) 一种磁阻运动调制的低频MEMS磁阻传感器制作方法, 发明授权, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN113562687B

( 14 ) 磁阻元件-MEMS谐振器集成的混合磁传感器及其制作方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN117761591A

( 15 ) 超导折叠结构磁通聚集器、磁传感器及其制备方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN117665663A

( 16 ) 自旋转矩纳米振荡器及其制作方法, 发明专利, 2024, 第 1 作者, 专利号: CN117597011A

( 17 ) 一种低噪声磁电阻-超导复合磁探测器, 发明专利, 2024, 第 3 作者, 专利号: CN117597014A

( 18 ) 基于TMR的MEMS加速度计及制备方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116990545A

( 19 ) 神经磁极及其制备方法, 发明授权, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN113466754B

( 20 ) 基于柔性磁体的通信装置及柔性磁体的制备方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116667869A

( 21 ) 一种磁阻运动调制的低频MEMS磁阻传感器, 发明授权, 2023, 第 3 作者, 专利号: CN113567898B

( 22 ) 基于磁电子皮肤的可穿戴传感装置及其组件制备方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116380296A

( 23 ) 神经微探针及其制备方法, 发明授权, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN113476050B

( 24 ) MEMS磁通门传感器检测系统及方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114994578A

( 25 ) 钴基Heusler合金结构及提升其有序化的制备方法, 发明授权, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN111549317B

( 26 ) 基于二维磁通调制结构的MEMS磁阻传感器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114879104A

( 27 ) 一种分层式大长径比磁性纤毛传感器、制备方法及其应用, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114812875A

( 28 ) 一种两级放大的低频磁阻传感器及其制备方法, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114415086A

( 29 ) 基于折叠波导的傅里叶光谱仪, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114018407A

( 30 ) 优化弯曲波导的制备方法及其应用, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN113933933A

( 31 ) 一种MEMS磁阻传感器, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN215340279U

( 32 ) 一种MEMS磁阻传感器, 实用新型, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN215340279U

( 33 ) 一种磁阻运动调制的低频MEMS磁阻传感器制作方法, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113562687A

( 34 ) 一种磁阻运动调制的低频MEMS磁阻传感器, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113567898A

( 35 ) 神经微探针及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113476050A

( 36 ) 神经磁极及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113466754A

( 37 ) 一种提高低频磁场分辨率的MEMS谐振式磁阻传感器, 专利授权, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111007442B

( 38 ) 单晶自旋电子器件、制备方法及其三维集成制备方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111490157A

( 39 ) 基于光谱仪的离子刻蚀终点检测装置及应用其的刻蚀系统, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111081584A

( 40 ) 声源定位识别装置, 实用新型, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN209356668U

( 41 ) 全流水高吞吐率累加器及其数据处理方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110187865A

( 42 ) 基于视觉的侧脸姿态解算方法及情绪感知自主服务机器人, 专利授权, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109886173A

( 43 ) 声源定位识别装置及方法, 发明专利, 2019, 第 7 作者, 专利号: CN109343002A

指导学生

已指导学生

唐林怀  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

罗佳慧  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

满建东  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张俊杰  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

范晨旭  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

石佳林  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨滢  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

武杰  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

许永  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

焦奇峰  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

彭国硕  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

韩思远  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张翰勋  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

雷文浩  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王一  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

孙笑楠  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

韩子昂  硕士研究生  085400-电子信息  

武梦北  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

何昱  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

甘明雨  博士研究生  085400-电子信息  

万千  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王惟森  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吴蔚劼  博士研究生  085400-电子信息  

罗靖东  硕士研究生  085400-电子信息