1. 高级纳米CMOS器件

2. 集成电路先进工艺技术

3. 低维纳米材料与器件

4. 信息显示功能器件

5. 先进半导体辐射探测器

每年招收博士、硕士研究生2-5名，以博士研究生为主

080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
085400-电子信息

集成电路先导工艺技术
半导体器件
物联网与传感器技术

2000-03--2003-03   中国科学院微电子研究所   博士学位
1996-09--1999-07   中国科学院微电子研究所   硕士学位
1992-09--1996-07   天津大学   学士学位

博士研究生

工学博士

2003－2010年期间在韩国三星电子（集团）中央研究所——综合技术院任高级研究员；2010年至今在中国科学院微电子研究所任研究员、集成电路先导工艺研究中心及中科院微电子器件和集成技术重点实验室副主任。2011年入选中科院“****”。

2017-05~现在, 中国科学院微电子研究所, 副主任/研究员
2010-08~2017-04,中国科学院微电子研究所, 研究员
2003-07~2010-07,韩国三星电子（集团）综合技术院, 高级研究员

半导体器件物理
半导体工艺与制造技术
半导体制造技术

已申请300余项专利，已获得130余项中国、美国、韩国等发明专利授权，其中包括美国专利授权超过30项。获得国家、省部级科研奖励4项。

（1） 中国电子信息科技创新团队奖, 一等奖, 部委级, 2020
（2） 22-14纳米集成电路器件工艺先导技术, 二等奖, 国家级, 2017
（3） 22纳米集成电路核心工艺技术及应用, 一等奖, 省级, 2016
（4） 极大规模集成电路关键技术研究集体, 一等奖, 院级, 2014

[1] 张楠, 张青竹, 张静, 张兆浩, 魏千惠, 屠海令, 殷华湘, 赵鸿斌, 王文武. 生物传感器的制造方法、生物传感器及生物传感器的应用. CN: [[[CN111693589A]]], [[["2020-09-22"]]].
[2] 吴振华, 霍嘉丽, 张亚东, 张兆浩, 殷华湘, 许高博. 基于双层铁电材料的FeFET器件及其制造方法. CN: CN116613213A, 2023-08-18.
[3] 殷华湘, 张学祥, 姚佳欣. 一种混合集成的SRAM存储单元结构及制备方法. CN: CN116600563A, 2023-08-15.
[4] 王桂磊, 亨利·H·阿达姆松, 孔真真, 李俊杰, 刘金彪, 李俊峰, 殷华湘. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN111613584B, 2023-07-25.
[5] 殷华湘, 桑冠荞, 张青竹, 秦旭磊. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN116453942A, 2023-07-18.
[6] 许高博, 颜刚平, 宋智雨, 杨尚博, 殷华湘, 王桂磊, 赵超. 一种背栅氧化物半导体器件采用低温、低压引发的氢自掺杂效应的退火方法. CN: CN116387159A, 2023-07-04.
[7] 贺晓彬, 张青竹, 殷华湘, 李俊峰, 刘金彪, 李亭亭. 电子束正胶的曝光方法. CN: CN111999987B, 2023-05-02.
[8] 吴振华, 甘维卓, 张兆浩, 张永奎, 李俊杰, 殷华湘, 朱慧珑, 郭鸿. 一种半导体器件及其制造方法、集成电路、电子设备. CN: CN112652664B, 2023-02-03.
[9] 王桂磊, 亨利·H·阿达姆松, 孔真真, 李俊峰, 殷华湘, 王文武. 一种纳米线及其制作方法. CN: CN111128676B, 2023-02-03.
[10] 李永亮, 赵飞, 殷华湘, 罗军, 王文武. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN115621320A, 2023-01-17.
[11] 殷华湘, 罗彦娜, 张青竹, 吴振华. 一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件. CN: CN112687626B, 2023-01-03.
[12] 许高博, 殷华湘, 罗军, 颜刚平, 田国良. 一种无电容动态随机存储器及其制备方法. CN: CN115360233A, 2022-11-18.
[13] 许高博, 殷华湘, 罗军, 颜刚平, 田国良. 一种动态随机存储器及其制备方法. CN: CN115332252A, 2022-11-11.
[14] 殷华湘, 张青竹, 姚佳欣, 曹磊. 一种抑制沟道漏电的堆叠纳米片GAA-FET中的制备方法. CN: CN115295416A, 2022-11-04.
[15] 殷华湘, 姚佳欣, 张青竹, 魏延钊. 一种多阈值堆叠纳米片GAA-FET器件阵列及其制备方法. CN: CN115274448A, 2022-11-01.
[16] 曹磊, 殷华湘, 张青竹, 吴振华, 李俊杰. 一种异质混合沟道结构半导体器件的制备方法. CN: CN115172274A, 2022-10-11.
[17] 曹磊, 殷华湘, 张青竹, 姚佳欣. 一种空气内侧墙纳米片环栅晶体管及其制造方法. CN: CN115172441A, 2022-10-11.
[18] 殷华湘, 姚佳欣, 张青竹, 魏延钊. 一种多阈值堆叠纳米片GAA-FET器件阵列的制备方法. CN: CN115172168A, 2022-10-11.
[19] 李永亮, 赵飞, 程晓红, 张青竹, 殷华湘, 罗军, 王文武. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN115172447A, 2022-10-11.
[20] 李纯, 刘昊炎, 李永亮, 殷华湘, 罗军, 王文武. 一种半导体器件的制造方法. CN: CN115116956A, 2022-09-27.
[21] 刘昊炎, 李永亮, 殷华湘, 罗军, 王文武. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN115117147A, 2022-09-27.
[22] 殷华湘, 张青竹, 姚佳欣, 曹磊. 一种半导体器件及其制备方法. CN: CN115064576A, 2022-09-16.
[23] 殷华湘, 许高博, 翟琼华, 傅剑宇. X射线阵列传感器、探测器及其制作方法. CN: CN115000235A, 2022-09-02.
[24] 李永亮, 张佳熠, 贾晓峰, 赵飞, 殷华湘, 罗军, 王文武. 一种半导体器件的制造方法. CN: CN114975282A, 2022-08-30.
[25] 李永亮, 陈安澜, 赵飞, 程晓红, 殷华湘, 罗军, 王文武. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN114944392A, 2022-08-26.
[26] 殷华湘, 曹磊, 张青竹, 姚佳欣. 一种半导体器件及其制备方法. CN: CN114927555A, 2022-08-19.
[27] 孙朋, 傅剑宇, 许高博, 丁明正, 殷华湘, 陈大鹏. 硅基探测器及其制作方法. CN: CN114927589A, 2022-08-19.
[28] 殷华湘, 张青竹, 姚佳欣, 曹磊. 一种半导体器件及其制备方法. CN: CN114927556A, 2022-08-19.
[29] 殷华湘, 张青竹, 姚佳欣, 曹磊. 一种半导体器件制备方法. CN: CN114927422A, 2022-08-19.
[30] 张兆浩, 张青竹, 许高博, 吴振华, 殷华湘. 一种基于3元内容寻址存储器TCAM的系统. CN: CN114898788A, 2022-08-12.
[31] 李永亮, 张佳熠, 殷华湘, 罗军, 王文武. 一种半导体器件的制造方法. CN: CN114883270A, 2022-08-09.
[32] 杨尚博, 许高博, 殷华湘, 罗军. 一种无电容DRAM单元结构及制造方法. CN: CN114864583A, 2022-08-05.
[33] 李永亮, 赵飞, 陈安澜, 张佳熠, 殷华湘, 罗军, 王文武. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN114823668A, 2022-07-29.
[34] 朴灿圭, 杨红, 杨涛, 王文武, 李俊峰, 殷华湘. 动态随机存储器的芯片测试方法及装置. CN: CN114765049A, 2022-07-19.
[35] 李永亮, 贾晓锋, 殷华湘, 罗军, 王文武. 一种半导体器件的制造方法. CN: CN114709175A, 2022-07-05.
[36] 李永亮, 刘昊炎, 殷华湘, 罗军, 王文武. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN114613769A, 2022-06-10.
[37] 李永亮, 张佳熠, 殷华湘, 罗军, 王文武. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN114613770A, 2022-06-10.
[38] 殷华湘, 姚佳欣, 徐忍忍, 魏延钊. 一种环绕栅极晶体管及其制备方法. CN: CN114582805A, 2022-06-03.
[39] 殷华湘, 姚佳欣, 徐忍忍, 魏延钊. 堆叠纳米片环栅CMOS器件及其制备方法. CN: CN114551357A, 2022-05-27.
[40] 康卜文, 杨红, 杨涛, 王文武, 李俊峰, 殷华湘. 堆叠式存储器及其制造方法. CN: CN114446334A, 2022-05-06.
[41] 康卜文, 杨红, 杨涛, 王文武, 范正萍, 殷华湘. 堆叠式存储器及堆叠式存储器的存储裸片的重置方法. CN: CN114446335A, 2022-05-06.
[42] 康卜文, 杨红, 杨涛, 王文武, 李俊峰, 殷华湘. 堆叠式存储器及其制造方法. CN: CN114446334A, 2022-05-06.
[43] 康卜文, 杨红, 杨涛, 王文武, 范正萍, 殷华湘. 堆叠式存储器及堆叠式存储器的存储裸片的重置方法. CN: CN114446335A, 2022-05-06.
[44] 宋智雨, 许高博, 颜刚平, 殷华湘, 罗军. 一种基于薄膜晶体管的无电容DRAM单元结构及制造方法. CN: CN114334980A, 2022-04-12.
[45] 郑相贤, 杨红, 杨涛, 王文武, 范正萍, 殷华湘. 一种测试设备及集成电路测试方法. CN: CN114200370A, 2022-03-18.
[46] 孙朋, 傅剑宇, 许高博, 丁明正, 殷华湘, 陈大鹏. 一种硅像素探测器及其制备方法. CN: CN114156292A, 2022-03-08.
[47] 杨红, 王文武, 赵超, 闫江, 殷华湘. 半导体器件制造方法. CN: CN114121804A, 2022-03-01.
[48] 侯朝昭, 殷华湘. 存储器及其制作方法. CN: CN114078853A, 2022-02-22.
[49] 殷华湘, 张青竹, 张兆浩, 许高博. 垂直纳米线晶体管与其制作方法. CN: CN108428634B, 2022-02-22.
[50] 全宗植, 吴容哲, 杨涛, 高建峰, 殷华湘. 半导体存储器、其制作方法及电子设备. CN: CN114068537A, 2022-02-18.
[51] 张铉瑀, 许民, 吴容哲, 杨涛, 高建峰, 殷华湘. 一种半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备. CN: CN114068538A, 2022-02-18.
[52] 李俊杰, 罗军, 王文武, 杨涛, 李永亮, 周娜, 高建峰, 殷华湘, 张静, 洪欣. 一种半导体器件及其制备方法、电子设备. CN: CN114038911A, 2022-02-11.
[53] 张青竹, 殷华湘, 曹磊, 张兆浩, 顾杰, 田佳佳, 李俊杰, 姚佳欣, 李永亮, 张永奎, 吴振华, 赵鸿滨, 罗军, 王文武, 屠海令, 叶甜春. 一种半导体器件的制备方法及半导体器件. CN: CN114005826A, 2022-02-01.
[54] 李亭亭, 贺晓彬, 张青竹, 项金娟, 王晓磊, 殷华湘, 李俊峰. 一种半导体结构及其制备方法. CN: CN113948967A, 2022-01-18.
[55] 殷华湘, 徐秋霞, 陈大鹏. 半导体器件及其制造方法. KR: CN113921499A, 2022-01-11.
[56] 许民, 张铉瑀, 吴容哲, 姜东勋, 高建峰, 张月, 杨涛, 李俊峰, 王文武. 半导体结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备. CN: CN113838851A, 2021-12-24.
[57] 毛淑娟, 殷华湘, 刘战峰, 王桂磊, 罗军. 一种基带RF一体化集成结构及集成方法. CN: CN113809070A, 2021-12-17.
[58] 许高博, 殷华湘, 徐秋霞, 田国良, 颜刚平, 翟琼华, 丁明正. 一种半导体器件及制备方法. CN: CN113793806A, 2021-12-14.
[59] 张兆浩, 张青竹, 许高博, 殷华湘, 王文武. 一种铁电场效应管及其制备方法以及铁电存算器件. CN: CN113782607A, 2021-12-10.
[60] 李俊杰, 刘耀东, 罗军, 周娜, 王桂磊, 高建峰, 杨涛, 殷华湘, 赵超, 朱慧珑, 王文武. 一种二极管、探测器及探测器的制作方法. CN: CN111244193B, 2021-12-07.
[61] 甘维卓, 吴振华, 许高博, 李俊杰, 殷华湘, 郭鸿. 冷源MOS晶体管及制作方法. CN: CN113745314A, 2021-12-03.
[62] 丁明正, 许高博, 翟琼华, 傅剑宇, 孙朋, 殷华湘, 颜刚平, 田国良, 李琳, 张琦辉, 贺晓彬. 硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置. CN: CN113675296A, 2021-11-19.
[63] 殷华湘, 张永奎, 赵治国, 陆智勇, 朱慧珑. 半导体器件及其制造方法. KR: CN106611791B, 2021-11-09.
[64] 张青竹, 殷华湘, 张兆浩, 曹磊, 李永亮, 李俊杰, 顾杰, 姚佳欣, 田佳佳, 张静, 王文武, 屠海令. 一种堆叠纳米线/片器件及其制备方法. CN: CN113540246A, 2021-10-22.
[65] 殷华湘, 张永奎, 赵治国, 朱慧珑. 鳍式场效应晶体管的制造方法. CN: CN113506744A, 2021-10-15.
[66] 殷华湘, 秦长亮, 马小龙, 徐秋霞, 陈大鹏. 半导体器件及其制造方法. KR: CN110010689B, 2021-10-08.
[67] 颜刚平, 许高博, 殷华湘, 周娜, 胡艳鹏, 刘卫兵, 高建峰, 毕津顺. 一种氧化物半导体器件及其制备方法. CN: CN113471295A, 2021-10-01.
[68] 殷华湘, 朱慧珑. 半导体器件及其制造方法. CN: CN113363326A, 2021-09-07.
[69] 毛淑娟, 刘战峰, 殷华湘, 刘金彪, 王桂磊, 李永亮, 罗军. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN113363214A, 2021-09-07.
[70] 毛淑娟, 刘战峰, 殷华湘, 刘金彪, 王桂磊",null,"罗军. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN113363214A, 2021-09-07.
[71] 毛淑娟, 殷华湘, 刘战峰, 罗军, 刘金彪, 张青竹, 张亚东. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN113345840A, 2021-09-03.
[72] 毛淑娟, 殷华湘",null,null,"张青竹, 罗军. 一种半导体器件及其制造方法. CN: CN113345841A, 2021-09-03.
[73] 刘战峰, 殷华湘, 张亚东",null,null,null,"张青竹. 一种半导体器件的制造方法. CN: CN113327896A, 2021-08-31.
[74] 李俊杰, 徐秋霞, 周娜, 殷华湘, 贺晓彬, 李俊峰, 王文武. 纳米线围栅MOS器件及其制备方法. CN: CN108962750B, 2021-08-31.
[75] 张利斌, 韦亚一, 殷华湘",null,null,null,"罗军, 王文武. 一种半导体器件的制造方法. CN: CN113314423A, 2021-08-27.
[76] 许高博, 翟琼华, 丁明正, 傅剑宇, 孙朋, 殷华湘, 颜刚平, 田国良. 硅基探测器及其制作方法. CN: CN113299785A, 2021-08-24.
[77] 罗彦娜, 殷华湘, 吴振华, 张青竹, 曹磊. 一种CFET结构、其制备方法以及应用其的半导体器件. CN: CN113206090A, 2021-08-03.
[78] 许高博. 一种半导体器件及制备方法. CN: CN113192891A, 2021-07-30.
[79] 田国良, 许高博, 殷华湘, 刘金彪. 一种铁电薄膜及其沉积方法、应用. CN: CN113178478A, 2021-07-27.
[80] 张青竹, 田佳佳, 李俊杰, 吴次南, 张兆浩, 殷华湘, 刘战峰, 毛淑娟, 张静, 王文武, 屠海令. 一种纳米网的制备方法. CN: CN113173553A, 2021-07-27.
[81] 田佳佳, 张青竹, 李俊杰, 吴次南, 张兆浩, 殷华湘, 张静, 王文武. 一种垂直纳米线阵列的制备方法. CN: CN113173557A, 2021-07-27.
[82] 田佳佳, 张青竹, 殷华湘, 张兆浩, 李俊杰, 李永亮, 吴次南, 刘战峰, 毛淑娟, 王文武, 屠海令. 一种纳米线MIM阵列器件及制备方法. CN: CN113173555A, 2021-07-27.
[83] 田国良, 许高博, 殷华湘, 项金娟. 一种HfO 2 基铁电薄膜及其沉积方法. CN: CN113178477A, 2021-07-27.
[84] 曹磊, 张青竹, 殷华湘, 张兆浩, 顾杰. 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法. CN: CN113178490A, 2021-07-27.
[85] 殷华湘, 张青竹, 张兆浩, 曹磊, 顾杰. 一种负电容场效应晶体管及其制备方法、一种半导体器件. CN: CN113178491A, 2021-07-27.
[86] 曹磊, 张青竹, 殷华湘, 张兆浩, 顾杰. 一种隧穿场效应晶体管及其制备方法. CN: CN113178490A, 2021-07-27.
[87] 曹磊, 殷华湘, 张青竹, 张兆浩, 顾杰. 一种薄电容耦合晶闸管及薄电容耦合晶闸管的制备方法. CN: CN113178484A, 2021-07-27.
[88] 张青竹, 殷华湘, 曹磊, 张兆浩, 田佳佳, 顾杰, 李俊杰, 姚佳欣, 李永亮, 张永奎, 吴振华, 赵鸿滨, 罗军, 王文武, 屠海令, 叶甜春. 一种Z 2 -FET器件及其制备方法、一种半导体器件. CN: CN113178489A, 2021-07-27.
[89] 顾杰, 殷华湘, 张青竹, 张兆浩, 吴振华. 一种量子点器件及其制备方法. CN: CN113109974A, 2021-07-13.
[90] 殷华湘, 朱慧珑, 马小龙. 半导体器件及其制造方法. CN: CN113097131A, 2021-07-09.
[91] 刘战峰, 殷华湘, 刘卫兵, 毛淑娟, 罗彦娜. 一种钨复合膜层及其生长方法、单片3DIC. CN: CN113053804A, 2021-06-29.
[92] 张亚东, 刘战峰, 吴振华, 殷华湘. 一种晶圆级二维材料的转移方法及器件制备方法. CN: CN113035781A, 2021-06-25.
[93] 王桂磊, 亨利·H·阿达姆松, 林鸿霄, 孔真真, 罗雪, 张青竹, 殷华湘, 余嘉晗. 一种GAAFET器件的沟道结构及其制备方法. CN: CN113035941A, 2021-06-25.
[94] 王桂磊, 亨利·H·阿达姆松, 林鸿霄, 孔真真, 罗雪, 张青竹, 殷华湘, 余嘉晗. 一种叠层环栅的沟道结构及其制备方法. CN: CN113013233A, 2021-06-22.
[95] 毛淑娟, 刘战峰, 殷华湘, 刘金彪, 王桂磊, 李永亮, 罗军. 一种NMOS晶体管及其制造方法、三维异质集成芯片. CN: CN112864229A, 2021-05-28.
[96] 马小龙, 殷华湘, 许淼, 朱慧珑. 半导体器件. KR: CN106684147B, 2021-05-18.
[97] 吴振华, 甘维卓, 张兆浩, 张永奎, 李俊杰, 殷华湘, 朱慧珑, 郭鸿. 一种半导体器件及其制造方法、集成电路、电子设备. CN: CN112652664A, 2021-04-13.
[98] 殷华湘, 刘战峰, 罗彦娜, 叶甜春. 一种三维NAND存储器及其制备方法. CN: CN112635474A, 2021-04-09.
[99] 殷华湘, 刘战峰, 罗彦娜, 毛淑娟. 一种三维存算电路结构及其制备方法. CN: CN112635472A, 2021-04-09.
[100] 许高博, 殷华湘, 翟琼华. 一种漂移探测器的双面制备方法及漂移探测器. CN: CN110854222B, 2021-04-06.
[101] 许高博, 殷华湘, 翟琼华. 一种漂移探测器的制备方法及漂移探测器. CN: CN110854223B, 2021-04-06.
[102] 殷华湘, 徐秋霞, 陈大鹏. 半导体结构及其制造方法. CN: CN112582276A, 2021-03-30.
[103] 贾云丛, 殷华湘, 袁烽, 陈大鹏. 一种封装方法. CN: CN112447532A, 2021-03-05.
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[196] 朱正勇, 毛淑娟, 殷华湘. 半导体器件及其制作方法. CN: CN109148362A, 2019-01-04.
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[202] 张兆浩, 张青竹, 殷华湘, 徐忍忍. 光电探测器与其制作方法. CN: CN108565311A, 2018-09-21.
[203] 殷华湘, 张永奎, 赵治国. 半导体器件及其制造方法. CN: CN105489652B, 2018-09-18.
[204] 殷华湘. 半导体器件及其制造方法. CN: CN105470286B, 2018-09-18.
[205] 殷华湘, 姚佳欣, 王文武, 叶甜春. CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法. CN: CN108511392A, 2018-09-07.
[206] 殷华湘, 潘宇, 张兆浩, 许高博. 半导体器件与其制作方法. CN: CN108493246A, 2018-09-04.
[207] 殷华湘, 姚佳欣, 王文武, 叶甜春. CMOS器件及调节CMOS器件阈值的方法. CN: CN108493157A, 2018-09-04.
[208] 殷华湘, 侯朝昭, 李春龙. 一种3D NAND存储器及其制备方法. CN: CN108461498A, 2018-08-28.
[209] 侯朝昭, 殷华湘. 3D NAND存储器及其制造方法. CN: CN108447870A, 2018-08-24.
[210] 殷华湘, 张青竹, 张兆浩, 许高博. 垂直纳米线晶体管与其制作方法. CN: CN108428634A, 2018-08-21.
[211] 殷华湘, 罗军, 王文武, 叶甜春. CMOS器件及其制备方法. CN: CN108428667A, 2018-08-21.
[212] 殷华湘, 顾杰, 张青竹, 许高博, 吴振华. 量子点器件及其制作方法. CN: CN108417635A, 2018-08-17.
[213] 许高博, 殷华湘, 徐秋霞. 隧穿场效应晶体管及其制造方法. CN: CN108369960A, 2018-08-03.
[214] 殷华湘, 朱慧珑. 半导体器件制造方法. 中国: CN103839820B, 2018-07-31.
[215] 马小龙, 殷华湘, 秦长亮. 堆叠纳米线制造方法. 中国: CN103915316B, 2018-07-27.
[216] 殷华湘, 闫江, 陈大鹏. 半导体器件及其制造方法. CN: CN103579314B, 2018-07-27.
[217] 殷华湘, 张青竹, 张兆浩, 徐忍忍. 生化传感器与其制作方法. CN: CN108318533A, 2018-07-24.
[218] 张青竹, 张兆浩, 殷华湘, 徐忍忍. 鳍型场效应晶体管及其制备方法. CN: CN108288646A, 2018-07-17.
[219] 张青竹, 殷华湘, 张兆浩, 李俊杰, 徐忍忍. 环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法. CN: CN108288647A, 2018-07-17.
[220] 张青竹, 张兆浩, 殷华湘. 隧穿场效应晶体管及其制备方法. CN: CN108288642A, 2018-07-17.
[221] 殷华湘, 秦长亮, 马小龙, 王桂磊, 朱慧珑. 鳍式场效应晶体管及其制造方法. CN: CN105575804B, 2018-07-13.
[222] 翟琼华, 殷华湘, 贾云丛, 李贞杰. 硅漂移探测器. CN: CN108281506A, 2018-07-13.
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[287] 殷华湘, 秦长亮, 侯朝昭. FET及其制作方法. CN: CN106549054A, 2017-03-29.
[288] 赵治国, 殷华湘, 朱慧珑, 赵超. 一种形成自对准接触部的方法. CN: CN106531684A, 2017-03-22.
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[291] 赵治国, 殷华湘, 朱慧珑, 赵超. 一种形成绝缘体上鳍的方法. CN: CN106531792A, 2017-03-22.
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[294] 马小龙, 殷华湘, 许淼, 朱慧珑. 半导体器件. CN: CN103594506B, 2017-03-08.
[295] 殷华湘. 一种X射线传感器及其制造方法. CN: CN106486501A, 2017-03-08.
[296] 殷华湘, 贾云丛, 袁烽, 陈大鹏. 一种X射线传感器及其制造方法. CN: CN106486502A, 2017-03-08.
[297] 张严波, 殷华湘, 朱慧珑. 一种半导体器件及其形成方法. CN: CN102891135B, 2017-02-22.
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[303] 王桂磊, 崔虎山, 殷华湘, 秦长亮, 李俊峰. 一种鳍式场效应晶体管及其制备方法. CN: CN106206318A, 2016-12-07.
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[305] 殷华湘, 马小龙, 徐唯佳, 徐秋霞, 朱慧珑. finFET器件及其制作方法. CN: CN106158641A, 2016-11-23.
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[308] 张青竹, 殷华湘, 闫江, 李俊峰, 杨涛, 刘金彪, 徐秋霞. 一种栅极及其形成方法. CN: CN105990403A, 2016-10-05.
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[310] 王桂磊, 崔虎山, 殷华湘, 李俊峰, 赵超. 一种FinFet器件源漏外延设备及方法. CN: CN105870036A, 2016-08-17.
[311] 徐唯佳, 马小龙, 殷华湘, 许淼, 朱慧珑. 全包围栅场效应晶体管及其制造方法. CN: CN105845726A, 2016-08-10.
[312] 秦长亮, 殷华湘. 半导体器件制造方法. CN: CN105826382A, 2016-08-03.
[313] 高建峰, 白国斌, 殷华湘, 李俊峰, 赵超. 一种后栅工艺MOS器件的制备方法. CN: CN105810588A, 2016-07-27.
[314] 殷华湘. 半导体器件. CN: CN105789365A, 2016-07-20.
[315] 殷华湘, 贾云丛, 袁烽. 半导体器件. CN: CN105789368A, 2016-07-20.
[316] 徐唯佳, 马小龙, 殷华湘. 半导体器件制造方法. CN: CN105789048A, 2016-07-20.
[317] 殷华湘, 贾云丛. 半导体器件. CN: CN105789365A, 2016-07-20.
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[319] 秦长亮, 殷华湘. 半导体器件及其制造方法. CN: CN105762191A, 2016-07-13.
[320] 赵治国, 朱慧珑, 殷华湘, 钟汇才. 鳍式场效应晶体管及其鳍的制造方法. CN: CN105762071A, 2016-07-13.
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[323] 洪培真, 徐秋霞, 殷华湘, 李俊峰, 赵超. 形成纳米线阵列的方法. CN: CN105742232A, 2016-07-06.
[324] 洪培真, 殷华湘, 徐唯佳, 马小龙, 徐秋霞, 李俊峰, 赵超. 形成级联纳米线的方法. CN: CN105742153A, 2016-07-06.
[325] 洪培真, 徐秋霞, 殷华湘, 李俊峰, 赵超. 形成纳米线阵列的方法. CN: CN105742175A, 2016-07-06.
[326] 张严波, 殷华湘, 朱慧珑. 半导体器件及其制造方法. CN: CN105742352A, 2016-07-06.
[327] 秦长亮, 殷华湘. 半导体器件制造方法. CN: CN105742228A, 2016-07-06.
[328] 秦长亮, 殷华湘, 赵超. 半导体器件制造方法. CN: CN105742226A, 2016-07-06.
[329] 殷华湘, 徐秋霞, 陈大鹏. 半导体结构及其制造方法. CN: CN103383962B, 2016-06-29.
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[331] 殷华湘, 任哲, 徐秋霞, 陈大鹏. 半导体器件制造方法. CN: CN105702575A, 2016-06-22.
[332] 秦长亮, 殷华湘, 李俊峰, 赵超. 鳍上外延沟道、鳍式场效应晶体管的制造方法. CN: CN105702579A, 2016-06-22.
[333] 秦长亮, 殷华湘, 李俊峰, 赵超. 鳍式场效应晶体管及其源漏区的制造方法. CN: CN105702580A, 2016-06-22.
[334] 杨君, 殷华湘. 一种硅基像素探测器电路及其形成方法. CN: CN105702748A, 2016-06-22.
[335] 秦长亮, 殷华湘, 李俊峰, 赵超. PTSL工艺方法、鳍式场效应晶体管的制造方法. CN: CN105679659A, 2016-06-15.
[336] 殷华湘, 秦长亮, 马小龙, 王桂磊, 朱慧珑. 鳍式场效应晶体管及其制造方法. CN: CN105679824A, 2016-06-15.
[337] 王桂磊, 崔虎山, 殷华湘, 李俊峰, 赵超. 一种FinFet器件源漏外延前自然氧化层的去除方法. CN: CN105632888A, 2016-06-01.
[338] 王桂磊, 崔虎山, 殷华湘, 李俊峰, 赵超. 一种FinFet器件源漏外延前自然氧化层的去除方法. CN: CN105632918A, 2016-06-01.
[339] 秦长亮, 殷华湘, 李俊峰, 赵超. 自对准接触制造方法. CN: CN105633004A, 2016-06-01.
[340] 秦长亮, 殷华湘, 李俊峰, 赵超. 自对准接触制造方法. CN: CN105632921A, 2016-06-01.
[341] 秦长亮, 殷华湘, 李俊峰, 赵超. 自对准接触制造方法. CN: CN105632906A, 2016-06-01.
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在国内外知名半导体电子器件杂志（包括EDL、TED、APL等）上发表过60多篇学术论文，SCI他引次数超过600次，半导体电子器件领域顶级国际学术IEDM上发表口头报告4次。

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（ 1 ） 22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设, 参与, 国家任务, 2009-01--2014-04
（ 2 ） 16纳米硅基三维器件复合应变沟道集成, 负责人, 研究所自选, 2011-01--2014-01
（ 3 ） 集成电路关键技术研究, 负责人, 中国科学院计划, 2011-01--2014-01
（ 4 ） 体硅FinFET 与关键工艺研究, 负责人, 国家任务, 2013-01--2015-12
（ 5 ） 先进同步辐射探测技术, 参与, 中国科学院计划, 2013-01--2016-12
（ 6 ） 用于同步辐射的硅像素探测器关键技术研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2018-12
（ 7 ） 14nm FinFET关键工艺技术优化研究, 负责人, 企业委托, 2015-01--2018-12
（ 8 ） 半导体二维原子晶体材料的器件构建、集成与性能, 负责人, 国家任务, 2016-07--2021-07
（ 9 ） 小像素二维探测器, 参与, 国家任务, 2017-01--2020-12
（ 10 ） 基于多元硅漂移探测器的高效同步辐射荧光谱仪, 负责人, 中国科学院计划, 2017-01--2018-12
（ 11 ） 5nm可集成堆叠纳米线环栅器件和新型FinFET及关键工艺, 负责人, 国家任务, 2017-01--2020-12
（ 12 ） 单芯片纳米级三维功能融合, 负责人, 研究所自选, 2019-01--2020-12
（ 13 ） 3-1纳米集成电路新器件与先导工艺, 参与, 中国科学院计划, 2019-10--2020-09
（ 14 ） 负电容FinFET高性能电路研究, 负责人, 研究所自选, 2019-07--2021-07
（ 15 ） 新型极低功耗铁电场效应管存算一体器件研究, 负责人, 国家任务, 2021-01--2024-12
（ 16 ） 面向3nm节点及以下GAA器件HKMG叠层结构及阈值调控关键技术研究, 负责人, 企业委托, 2021-01--2022-12
（ 17 ） 堆叠纳米片围栅CMOS器件及集成技术研究, 负责人, 企业委托, 2021-06--2024-05
（ 18 ） 超高帧频大动态范围X射线探测系统, 参与, 国家任务, 2022-01--2026-12

（1）面向3nm以下节点的新器件工艺前瞻研究   全国电子信息青年科学家论坛暨第三届半导体青年学术会议   2020-10-28
（2）Si Nanowire Biosensors Using a FinFET Fabrication Process   国际电子器件大会   Qingzhu Zhang   2018-12-04
（3）FinFET及Post-FinFET 关键技术研究    第319期东方科技论坛“集成电路新器件技术”学术研讨会   殷华湘   2018-11-14
（4）FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin   国际电子器件大会   Qingzhu Zhang, Huaxiang Yin*, Jun Luo et al.   2016-12-03
（5）Diamond Like Carbon Thin Films with Extremely High Compressive Stress 8-12GPa for Advanced CMOS Strain Engineering   国际材料大会（春季）   Xiaolong Ma   2013-04-09
（6）CMPless Planarization Technology with SOG/LTO Etchback for Low Cost 70nm Gate-Last Process   中国国际半导体技术大会   Huaxiang Yin, Lingkuan Men, Tao Yang, Gaobo Xu, Qiuxia Xu, Chao Zhao and   2011-03-13
（7）High performance low voltage amorphous oxide TFT Enhancement/Depletion inverter through uni-/bi-layer channel hybrid integration   国际电子器件大会   Huaxiang Yin, Sunil Kim, Jaechul Park, Ihun Song, Sang-Wook Kim, Jihyun Hur, Sungho Park, Sanghun Jeon, Chang Jung Kim   2009-12-07
（8）Bootstrapped ring oscillator with propagation delay time below 1.0 nsec/stage by standard 0.5μm bottom-gate amorphous Ga2O3-In2O3-ZnO TFT technology   国际电子器件大会   Huaxiang Yin, Sunil Kim, Chang Jung Kim, Jae Chul Park, Ihun Song, Sang-Wook Kim, Sung-Hoon Lee, Youngsoo Park,    2008-12-15

已指导学生

徐唯佳  硕士研究生  085209-集成电路工程  

明希  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

杨君  硕士研究生  085209-集成电路工程  

侯朝昭  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

马小龙  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

姚佳欣  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

秦长亮  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

陶桂龙  硕士研究生  085209-集成电路工程  

蔡豫威  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张璐  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

顾杰  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

徐忍忍  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

罗彦娜  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

曹磊  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张学祥  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

赵朋  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

魏延钊  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

田国良  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张兆浩  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李庆坤  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

钟琨  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

包运娇  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

颜刚平  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

朱晓晖  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

孙朋  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学