基本信息
张兴尧  男  硕导  中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件： zxy@ms.xjb.ac.cn
通信地址： 新疆乌鲁木齐北京南路40-1号
邮政编码：

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
大规模集成电路辐射效应

教育背景

2009-09--2014-06   中国科学院新疆理化技术研究所   博士学位
2003-09--2007-06   四川大学   学士学位

工作经历

   
工作简历
2020-10~2021-06,中国科学院新疆理化技术研究所, 副研究员
2014-07~2020-10,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员
2007-12~2009-08,中国科学院新疆理化技术研究所, 项目聘用

专利与奖励

   
奖励信息
（1） 自治区科技进步一等奖, 一等奖, 省级, 2018

出版信息

   
发表论文
（1） Experimental investigation on total-ionizing-dose radiation effects on theelectrical properties of SOI-LIGBT, Solid-State Electronics, 2020, 第 3 作者
（2） Total ionizing dose and synergistic effects of magnetoresistive random-access memory, Nuclear Science and Techniques, 2018, 第 1 作者
（3） 不同偏置下铁电存储器总剂量辐射损伤效应, 太赫兹科学与电子信息学报, 2018, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
（ 1 ） SiC VDMOS 电离辐射效应及机理研究, 主持, 省级, 2018-08--2021-07
（ 2 ） XXX协和效应研究, 参与, 研究所（学校）, 2020-01--2024-12
参与会议
（1）Low energy proton irradiation effects on InP/InGaAs DHBTs and InP-base frequency dividers   2018-11-21
（2）Displacement damage effects and anneal characteristic on InP/InGaAs DHBTs   2018-05-23