基本信息

张峰  男  博导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: fzhang@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083

研究领域

宽禁带半导体器件物理
复杂氧化物原子层沉积

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
宽禁带半导体器件物理
半导体功率器件
原子层沉积薄膜生长

工作经历

   
工作简历
2015-03~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2011-03~2015-03,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2009-01~2011-01,美国加州大学洛杉矶分校, 博士后

专利与奖励

   
奖励信息
   
专利成果
( 1 ) BiFeO3薄膜的原子层沉积方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN201210278738.5
( 2 ) 用于紫外探测器的双层减反射膜及其制备方法, 发明, 2008, 第 2 作者, 专利号: CN100447583C
( 3 ) 在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法, 发明, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN201210057866.7
( 4 ) 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN201210110576.4
( 5 ) 一种δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法, 发明, 2009, 第 4 作者, 专利号: CN100514680C
( 6 ) 集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN201110449876.0
( 7 ) ALD设备及应用于ALD设备的反应源扩散分布检测与控制方法, 发明, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103882410A
( 8 ) 低偏角碳化硅同质外延材料的制作方法, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN201510180960.5
( 9 ) 用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN201410132967.5
( 10 ) 在SiC材料中获取二维电子气的方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN201510366654.0
( 11 ) SiC基HEMT器件的制备方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN201510416658.5
( 12 ) 一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN201610150734.7
( 13 ) 碳化硅半导体器件及其制备方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN201710076020.0

出版信息

   
发表论文
(1) Tunable plasmon-induced transparency with graphene-based T-shaped array metasurfaces, Optics Communications, 2018, 通讯作者
(2) Low-Temperature One-Step Growth of AION Thin Films with Homogenous Nitrogen-Doping Profile by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition, ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, 第 4 作者
(3) Comparative study of electrical characteristics for n-type 4H-SiC planar and trench MOS capacitors annealed in ambient NO, Chinese Physics B, 2017, 通讯作者
(4) Peak modulation in multicavity-coupled graphene-based waveguide system, Nanoscale Research Letters, 2017, 通讯作者
(5) A Novel Silicon Carbide Accumulation Channel Injection Enhanced Gate Transistor With Buried Barrier Under Shielding Region, IEEE Electron Device Letters, 2017, 通讯作者
(6) Influences of annealing on structural and compositional properties of Al2O3thin films grown on 4H-SiC by atomic layer deposition, Chinese Physics B, 2016, 通讯作者
(7) 氯基条件下4H-SiC衬底的同质外延生长研究, 半导体光电, 2016, 通讯作者
(8) Chloride-based fast homoepitaxial growth of 4H-SiC films in a vertical hot-wall CVD, 半导体学报, 2016, 通讯作者
(9) Tunable plasmonically induced transparency with unsymmetrical graphene-ring resonators, Journal of Applied Physics, 2015, 第 4 作者
(10) Effect of hydrogen flow on growth of 3C-SiC heteroepitaxial layers on Si(111) substrates, Applied Surface Science, 2015, 通讯作者
(11) Multi-mode Plasmonically Induced Transparency in Dual Coupled Graphene-Integrated Ring Resonators, Plasmonics, 2015, 第 3 作者
(12) Multi-mode Plasmonically Induced Transparency in Dual Coupled Graphene-Integrated Ring Resonators, Plasmonics, 2015, 第 3 作者
(13) The thermal stability study and improvement of 4H-SiC ohmic contact, Applied Physics Letters, 2014, 通讯作者
(14) Growth and fabrication of sputtered TiO2 based ultraviolet detectors, Applied Surface Science, 2014, 第 4 作者
(15) Atomic Layer Deposition of BiFeO3 Thin Films Using β-Diketonates and H2O, Journal of physical chemistry C, 2013, 第 1 作者
(16) Ab initio theoretical and photoemission studies on formation of 4H-SiC(0001)/SiO2 interface, Applied Surface Science, 2013, 第 3 作者
(17) High-performance 4H-SiC junction barrier Schottky diodes with double resistive termination extensions, Chinese Physics B, 2013, 第 2 作者
(18) Fast Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Films on 4° Off-Axis Substrates in a SiH4+C2H4+H2 System, Chinese Physics Letters, 2013, 第 4 作者
(19) Analysis and modeling of localized faceting on 4H-SiC epilayer surfaces, Physica Status Solidi A, 2013, 通讯作者
(20) Interfacial study and energy-band alignment of annealed Al2O3 films prepared by atomic layer deposition on 4H-SiC, Journal of Applied Physics, 2013, 第 1 作者
(21) Tailoring the composition of lead zirconate titanate by atomic layer deposition, Journal of Vacuum Science and Technology B, 2013, 第 2 作者
(22) Characterization of 4H-SiC substrates and epilayers by Fourier transform infrared reflectance spectroscopy, Chinese Physics B, 2012, 通讯作者
(23) Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates, Journal of Physics D: Applied Physics, 2012, 通讯作者
(24) Improved Efficiency of Organic/Inorganic Hybrid Near-Infrared Light Upconverter by Device Optimization, ACS Applied Materials Interfaces, 2012, 通讯作者
(25) High-performance 4H-SiC based metal-insulator-semiconductor ultraviolet photodetectors with SiO2 and Al2O3/SiO2 films, IEEE Electron Device Letters, 2011, 第 1 作者
(26) Atomic layer deposition of Pb(Zr,Ti)Ox on 4H-SiC for metal-ferroelectric-insulator-semiconductor diodes, Journal of Applied Physics, 2011, 第 1 作者
(27) Low-Dark-Current TiO2 MSM UV Photodetectors With Pt Schottky Contacts, IEEE Electron Device Letters, 2011, 第 4 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 原子层沉积铁酸铋薄膜的生长和铁电性能研究, 主持, 国家级, 2012-01--2014-12
( 2 ) 中国科学院青年创新促进会, 主持, 国家级, 2012-01--2015-12
( 3 ) 4英寸碳化硅外延生长技术研究, 主持, 省级, 2013-01--2014-12
( 4 ) 原子层沉积Al2O3薄膜在SiC基MOS器件中的应用研究, 主持, 省级, 2013-01--2015-12
( 5 ) 超厚碳化硅材料外延关键技术研究, 主持, 研究所(学校), 2014-01--2015-12
( 6 ) 大尺寸 SiC 材料与器件的制造设备与工艺技术研究, 参与, 国家级, 2014-01--2016-12
( 7 ) 高压大容量碳化硅IGBT电力电子器件若干基础问题研究, 主持, 国家级, 2015-01--2019-06
( 8 ) Al基栅介质在SiC基MOS器件中界面与电学特性研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
( 9 ) 科技新星, 主持, 省级, 2016-01--2018-12
( 10 ) SiC单晶液相生长技术研究, 参与, 省级, 2016-12--2018-12
( 11 ) 中国科学院青年创新促进会优秀会员, 主持, 部委级, 2017-01--2019-12
( 12 ) 原子层沉积氮氧化铝在碳化硅沟槽型MOSFET功率器件中的应用研究, 主持, 省级, 2018-01--2019-12
( 13 ) 碳化硅异质结界面散射与反型层电子迁移率研究, 主持, 省级, 2016-01--2017-12
参与会议
(1)第三代半导体碳化硅发展及应用概况   中国电子学会第二十三届青年学术年会   2017-11-25
(2)Opportunities and Challenges for Silicon Carbide MOSFETs and Diodes   国际宽禁带功率电子应用研讨会   2017-05-21
(3)Study of morphology defects in 4H-SiC thick epitaxial layers grown on 4°off-axis Si-face substrates   Yan, Guoguo; Zhang, Feng; Liu, Xingfang; Wang, Lei; Zhao, Wanshun; Sun, Guosheng; Key, Yiping Zeng   2016-11-15
(4) Optimized P-emitter doping for switching-off loss of superjunction 4H-SiC IGBTs   Shen, Zhanwei; Zhang, Feng; Tian, Lixin; Yan, Guoguo; Wen, Zhengxin; Zhao, Wanshun; Wang, Lei; Liu, Xingfang; Sun, Guosheng; Zeng, Yiping   2016-11-15
(5) Interfacial and Electrical Study of Annealed Al2O3 and AlN Thin Films on 4H-SiC   Feng Zhang; Zhanwei Shen; Zhengxin Wen; LixinTian; Guoguo Yan; Xingfang Liu; Lei Wang; Wanshun Zhao; Guosheng Sun; Yiping Zeng   2016-10-16
(6)Atomic Layer Deposition of BiFeO3 Thin Films   2. Feng Zhang, Guosheng Sun, Wanshun Zhao, Lei Wang, Liu Zheng, Shengbei Liu, Bin Liu, Lin Dong, Xingfang Liu, Guoguo Yan, Lixin Tian   2014-10-16
(7)Interfacial and Electrical Study of Annealed Al2O3 and AlN Thin Films on 4H-SiC   1. Feng Zhang, Guosheng Sun, Lixin Tian, Zhanwei Shen, Yiping Zeng   2014-09-24
(8)Atomic Layer Deposition of BiFeO3 by β-Diketonates and H2O   Feng Zhang, Guosheng Sun, Liu Zheng, Shengbei Liu, Bin Liu, Lin Dong, Lei Wang, Wanshun Zhao, Xingfang Liu, Guoguo Yan, Lixin Tian, and Yiping Zeng   2013-04-01
(9)原子层沉积Al2O3薄膜与4H-SiC衬底界面的退火研究   第十七届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议   (2) 张峰*,孙国胜,郑柳,刘胜北,刘斌,董林,赵万顺,王雷,闫果果,刘兴昉,曾一平   2012-11-07
(10)XPS analysis and Energy-band Alignment of Annealed Al2O3 Films Prepared by Atomic Layer Deposition on 4H-SiC   (1) Feng Zhang*, Guosheng Sun, Shengbei Liu, Liu Zheng, Lin Dong, Bin Liu, Wanshun Zhao, Lei Wang, Guoguo Yan, Yiping Zeng   2012-10-15
(11)Atomic layer deposited Pb(Zr,Ti)Ox films composited as ferroelectric and multiferroic materials with CFO   (4) F. Zhang*, T. E. Quickel, Y. Perng, S. Tolbert, and J. P. Chang   2010-10-17
(12)Atomic layer deposition of Pb(Zr,Ti)Ox/Al2O3 ultrathin films on 4H-SiC   (3) F. Zhang*, Y. Perng, T. Wu, T. Chung, G. P. Carman, S. E. Saddow, and J. P. Chang   2010-04-05