基本信息
夏志良  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: xiazhiliang@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:
部门/实验室:存储器中心

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
招生方向
新型纳米存储器件与集成技术
三维存储器可靠性研究,下一代新型存储器结构研究,存储器的建模和模拟

教育背景

2002-09--2007-07   北京大学   博士
1998-09--2002-07   北京大学   学士
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2016-06~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2007-08~2015-05,韩国三星电子半导体研究所, 首席工程师
社会兼职
   

教授课程

存储器工艺与器件技术

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 集成电路产业技术创新战略联盟技术创新奖, 其他, 2018
(2) 2017年度中国科学院微电子研究所科研成果一等奖, 研究所(学校), 2017
(3) 微电子所研究生最喜爱的导师, , 研究所(学校), 2017
(4) 2016年度中国科学院微电子研究所显著科研进展奖, , 研究所(学校), 2016
(5) 2015年度中国科学院微电子研究所科研成果一等奖, , 研究所(学校), 2015
专利成果
( 1 ) Test method of semiconductor device and semiconductor test, 发明, 2014, 第 2 作者, 专利号: US20140133254A1
( 2 ) 一种存储结构及其制备方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN152980.1
( 3 ) Semiconductor Device Having Channel Holes, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: IC2015040011
( 4 ) Non-volatile Memory Devices including Charge Storage Layers, 发明, 2014, 第 2 作者, 专利号: IE2014120041
( 5 ) DFT Based nm Grain Size Extraction Technique Using TEM Image, 发明, 2014, 第 2 作者, 专利号: IE2014100031
( 6 ) New Array Structure (NAND Square) of 3D VNAND Integration, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: IE2014080051
( 7 ) 三维半导体器件及其制造方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: 201510885268.2
( 8 ) 三维半导体器件及其制造方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610052951.2
( 9 ) 三维存储器件的擦除方法, 发明, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201610084134.5
( 10 ) 一种闪存存储器的擦除方法, 发明, 2016, 第 3 作者, 专利号: 201610574703.4

出版信息

   
发表论文
(1) 三维存储器技术中高热预算条件下表面沟道 PMOS开发研究, 微电子学, 2019, 第 10 作者
(2) The Optimization of Gate All Around-L-Shaped Bottom Select Transistor in 3D NAND Flash, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 第 6 作者
(3) Modeling and optimization of array leakage in 3 D NAND flash memory, 2018 IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications, 2018, 通讯作者
(4) Investigation of Reducing Bow during High Aspect Ratio Trench Etching in 3D NAND Flash Memory, Investigation of Reducing Bow during High Aspect Ratio Trench Etching in 3D NAND Flash Memory, IEEE 14th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2018, 通讯作者
(5) Impact of Critical Geometry Dimension on Channel Boosting Potential in 3D NAND Memory, 2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2016, 第 2 作者
(6) Simulation On Threshold Voltage Of L-Shaped Bottom Select Transistor In 3D NANDFlash Memory, 2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2016, 第 3 作者
(7) String Select Transistor Leakage Suppression By Threshold Voltage Modulation In 3DNAND Flash Memory, 2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2016, 第 2 作者
(8) Performance Enhancement of Metal Floating Gate Memory By Using a Bandgap Engineered High-k Tunneling Barrier, ECS Transactions, 2016, 第 3 作者
(9) Comprehensive modeling of NAND Flash Memory Reliability: Endurance and Data Retention, IRPS, 2012, 第 1 作者
(10) ECC Scheme Setup and Optimization of 16nm Cell NAND Flash Product through the Development of a Physical Distribution Simulator, Samsung Technical Papers, 2011, 第 2 作者
(11) Investigation of Charge Loss Mechanisms in Planar and Raised STI Charge Trapping Flash Memories, SISPAD, 2010, 第 1 作者
(12) Gate-Induced Image-Force Barrier Lowering in Schottky Barrier Field-Effect Transistors, Nanotechnology, 2009, 第 2 作者
(13) Investigation of Gate Current in Nano-scale MOSFETs by Monte Carlo Solution of Quantum Boltzmann Equation, Chinese Physics, 2007, 第 1 作者
(14) Monte Carlo Simulation of Band-to-band Tunneling in Silicon Devices, JJAP, 2007, 第 1 作者
(15) Effect of Surface Roughness on Quasi-Ballistic Transport in Nano-Scale Ge and Si Double-Gate MOSFETs, ICSICT, 2006, 第 1 作者
(16) Monte Carlo Simulation of p and n channelGOI MOSFETs by Solving Quantum Boltzmann Equation, TED, 2005, 第 3 作者
(17) Carrier Effective Mobilities in Germanium MOSFET Inversion layer Investigated by Monte Carlo Simulation, SSE, 2005, 第 1 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 三维存储器机理与集成技术研究, 参与, 市地级, 2014-01--2016-12
( 2 ) 三维存储器可靠性特性研究, 主持, 部委级, 2016-11--2019-10
( 3 ) 先进三维NAND型闪存存储器器件研究及其产业化, 参与, 部委级, 2017-01--2018-12
( 4 ) 新式先进三维三维存储器产品设计及工艺研发技术开发, 参与, 院级, 2016-01--2018-06
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生

现指导学生

袁野  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

袁璐月  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

汪宗武  硕士研究生  085209-集成电路工程  

宋玉洁  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

刘均展  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

李飞  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

史丹丹  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

沈鑫帅  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

欧阳颖洁  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

邓鹏飞  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

杨涛  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

何进卿  硕士研究生  085209-集成电路工程