080901-物理电子学

高功率、高效率半导体激光芯片
新型半导体激光芯片仿真设计
先进光电子器件

2006-09--2011-07   中国科学院长春光学精密机械与物理研究所   博士
2004-09--2006-07   鲁东大学   学士

   

2011-07~现在, 中国科学院西安光学精密机械研究所, 副研究员

   

（ 1 ） 一种半导体激光器腔面光学灾变损伤峰值功率的测试装置, 实用新型, 2021, 第 1 作者, 专利号: 202021812360.9

（ 2 ） 一种半导体锥形激光器, 实用新型, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201620638396.7

（ 3 ） 消除被测物体表面盲点的显微镜辅助装置, 实用新型, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201620634238.4

（ 4 ） 一种半导体激光器bar条, 实用新型, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201620639307.0

（ 5 ） 一种半导体激光器芯片测试固定装置, 实用新型, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201521132674.3

（ 6 ） 用于半导体激光器腔面失效分析的综合测试系统, 实用新型, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201520754206.3

（ 7 ） 折射型高功率半导体激光器阵列光束整形装置, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: 201310073435.4

（ 8 ） 一种多发光单元半导体激光器空间偏振测试, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201310508222.X

（ 9 ） 多发光单元半导体激光器空间阈值电流的测, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201310508298.2

   

[1] Zhao, Yuliang, Wang, Zhenfu, Demir, Abdullah, Yang, Guowen, Ma, Shufang, Xu, Bingshe, Sun, Cheng, Li, Bo, Qiu, Bocang. High Efficiency 1.9 Kw Single Diode Laser Bar Epitaxially Stacked With a Tunnel Junction. IEEE PHOTONICS JOURNAL[J]. 2021, 13(3): http://dx.doi.org/10.1109/JPHOT.2021.3073732.
[2] Liu, Yuxian, Yang, Guowen, Wang, Zhenfu, Li, Te, Tang, Song, Zhao, Yuliang, Lan, Yu, Demir, Abdullah. High-power operation and lateral divergence angle reduction of broad-area laser diodes at 976 nm. OPTICS AND LASER TECHNOLOGY[J]. 2021, 141: http://dx.doi.org/10.1016/j.optlastec.2021.107145.
[3] 常奕栋, 王贞福, 张晓颖, 杨国文, 李特, 杜宇琦, 赵宇亮, 刘育衔, 兰宇. 808 nm半导体激光芯片波导优化与效率特性分析. 发光学报[J]. 2021, 42(7): 1040-1048, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7105119044.
[4] 杨国文. 高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能影响的分析. 光子学报. 2020, [5] Zhao Yuliang, Wang Zhenfu, Yang Guowen, Li Te, Song Yunfei, Qi Luhan, Wang Gang, Liu Yuxian, Li Bo, Bai Shaobo, Zhu J, Chen W, Zhang Z, Zhong M, Wang P, Qiu J. Research on 940nm kilowatt high efficiency quasi-continuous diode laser bars. 14TH NATIONAL CONFERENCE ON LASER TECHNOLOGY AND OPTOELECTRONICS (LTO 2019)null. 2019, 11170: [6] Wang, Zhenfu, Li, Te, Yang, Guowen, Song, Yunfei. High power, high efficiency continuous-wave 808 nm laser diode arrays. OPTICS AND LASER TECHNOLOGY[J]. 2017, 97: 297-301, http://dx.doi.org/10.1016/j.optlastec.2017.07.015.
[7] 杨国文. 808nm准连续600W高功率半导体激光芯片研究. 中国激光. 2017, [8] 杨国文. 808 nm半导体激光芯片电光转换效率的温度特性机理研究. 物理学报. 2017, [9] Wang, Xi, Wang, Zhenfu, Wang, Yonggang, Li, Lu, Yang, Guowen, Li, Jinping. Watt-level high-power passively Q-switched laser based on a black phosphorus solution saturable absorber. CHINESE OPTICS LETTERS[J]. 2017, 15(1): http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/28650.
[10] Li, Lu, Wang, ZhenFu, Wang, Yonggang, Wang, Xi, Yang, Guowen, Jiang, Shouzhen. Stable all-fiber Er-doped Q-switched laser with a WS2/fluorine mica (FM) saturable absorber. LASER PHYSICS[J]. 2016, 26(10): http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/28313.
[11] Li, L, Wang, Z F, Wang, Y G, Wang, X, Yang, G W. WS2/fluorine mica (FM) saturable absorber for high power optical pulse formation. OPTIK[J]. 2016, 127(21): 10223-10227, http://dx.doi.org/10.1016/j.ijleo.2016.08.040.
[12] 王贞福. 808nm/976nmnm 高效率、高功率半导体激光芯片. 中国激光. 2016, [13] 杨国文. 高功率、高效率808nm 半导体激光器阵列. 物理学报. 2016, [14] Huang, Zhihua, Xiong, Lingling, Liu, Hui, Wang, Zhenfu, Zhang, Pu, Nie, Zhiqiang, Wu, Dihai, Liu, Xingsheng. Double-cutting beam shaping technique for high-power diode laser area light source. OPTICAL ENGINEERING[J]. 2013, 52(10): http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/860683.

   

（ 1 ） 高功率准连续半导体激光器列阵腔面光学灾变损伤研究与提高, 负责人, 国家任务, 2016-01--2018-12
（ 2 ） 高功率光纤耦合半导体激光器腔面, 负责人, 地方任务, 2015-01--2016-12

已指导学生

李波  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杜宇琦  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

刘育衔  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张业奇  硕士研究生  085400-电子信息