基本信息
王旭光 男 博导 苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电子邮件：xgwang2009@sinano.ac.cn
通信地址：苏州园区独墅湖高教区若水路398号
邮政编码：215021
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研究领域
基于固态存储的TB级数据采集记录设备研制。
基于无人机网络的实时天基监控系统
基于FPGA的智能视频分析和应用
基于无人机网络的实时天基监控系统
基于FPGA的智能视频分析和应用
招生信息
电子科学技术
自动化
计算机
自动化
计算机
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
081203-计算机应用技术
080902-电路与系统
081203-计算机应用技术
080902-电路与系统
教育背景
2002-09--2005-05 德州大学奥斯丁分校 电子工程系博士
1999-09--2002-05 赖斯大学 电子工程系硕士
1996-09--1999-05 清华大学 材料系工程学士
1999-09--2002-05 赖斯大学 电子工程系硕士
1996-09--1999-05 清华大学 材料系工程学士
学历
-- 研究生
学位
-- 博士
工作经历
工作简历
2010-04--2011-07 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 研究员，博士生导师
2007-06--2010-03 美国希捷公司存储研究部 高级技术主管
2005-06--2007-05 美国飞索半导体公司 高级器件工程师
2007-06--2010-03 美国希捷公司存储研究部 高级技术主管
2005-06--2007-05 美国飞索半导体公司 高级器件工程师
专利与奖励
专利成果
（1） Controlling AC disturbance while programming，发明，2010，第5作者，专利号：US 7,679,967
（2） Multi-phase wordline erasing for flash memory，发明，2009，第1作者，专利号：US 7,626,869
（3） Static source plane in stram，发明，2010，第4作者，专利号：US7,859,891
（4） MEMORY HIERARCHY WITH NON-VOLATILE FILTER AND VICTIM CACHES，发明，2010，第1作者，专利号：20100153646
（5） Asymmetric Write Current Compensation，发明，2010，第1作者，专利号：20100085795
（6） VERTICALLY INTEGRATED MEMORY STRUCTURES，发明，2010，第1作者，专利号：20100096611
（7） HIGH DENSITY RECONFIGURABLE SPIN TORQUE NON-VOLATILE MEMORY，发明，2010，第1作者，专利号：20100091546
（8） THREE DIMENSIONALLY STACKED NON VOLATILE MEMORY UNITS，发明，2010，第1作者，专利号：20100265749
（9） Diode assisted switching spin-transfer torque memory unit，发明，2010，第1作者，专利号：US 7,804,709
（10） Quiescent Testing of Non-Volatile Memory Array，发明，2010，第1作者，专利号：20100238700
（11） Predictive Thermal Preconditioning and Timing Control for Non-Volatile Memory Cells ，发明，2010，第1作者，专利号：20100246251
（12） FAULT-TOLERANT NON-VOLATILE BUDDY MEMORY STRUCTURE，发明，2010，第1作者，专利号：20100037102
（13） Non-volatile multi-bit memory with programmable capacitance，发明，2010，第1作者，专利号：US 7,786,463
（14） Stuck-At Defect Condition Repair for a Non-Volatile Memory Cell，发明，2010，第1作者，专利号：20100238721
（15） NON-VOLATILE MEMORY READ/WRITE VERIFY，发明，2010，第1作者，专利号：20100232206
（16） Deep bitline implant to avoid program disturb，发明，2010，第1作者，专利号：US 7,671,405
（17） Cycling improvement using higher erase bias ，发明，2009，第2作者，专利号：US 7,561,471
（2） Multi-phase wordline erasing for flash memory，发明，2009，第1作者，专利号：US 7,626,869
（3） Static source plane in stram，发明，2010，第4作者，专利号：US7,859,891
（4） MEMORY HIERARCHY WITH NON-VOLATILE FILTER AND VICTIM CACHES，发明，2010，第1作者，专利号：20100153646
（5） Asymmetric Write Current Compensation，发明，2010，第1作者，专利号：20100085795
（6） VERTICALLY INTEGRATED MEMORY STRUCTURES，发明，2010，第1作者，专利号：20100096611
（7） HIGH DENSITY RECONFIGURABLE SPIN TORQUE NON-VOLATILE MEMORY，发明，2010，第1作者，专利号：20100091546
（8） THREE DIMENSIONALLY STACKED NON VOLATILE MEMORY UNITS，发明，2010，第1作者，专利号：20100265749
（9） Diode assisted switching spin-transfer torque memory unit，发明，2010，第1作者，专利号：US 7,804,709
（10） Quiescent Testing of Non-Volatile Memory Array，发明，2010，第1作者，专利号：20100238700
（11） Predictive Thermal Preconditioning and Timing Control for Non-Volatile Memory Cells ，发明，2010，第1作者，专利号：20100246251
（12） FAULT-TOLERANT NON-VOLATILE BUDDY MEMORY STRUCTURE，发明，2010，第1作者，专利号：20100037102
（13） Non-volatile multi-bit memory with programmable capacitance，发明，2010，第1作者，专利号：US 7,786,463
（14） Stuck-At Defect Condition Repair for a Non-Volatile Memory Cell，发明，2010，第1作者，专利号：20100238721
（15） NON-VOLATILE MEMORY READ/WRITE VERIFY，发明，2010，第1作者，专利号：20100232206
（16） Deep bitline implant to avoid program disturb，发明，2010，第1作者，专利号：US 7,671,405
（17） Cycling improvement using higher erase bias ，发明，2009，第2作者，专利号：US 7,561,471
出版信息
发表论文
（1） 1，“A novel high-k SONOS memory using TaN/Al2O3/Ta2O5/HfO2 /Si structure for fast speed and long retention operation，IEEE Transactions on Electron Devices,，2006，第1作者
（2） 1，“Impacts of gate electrode materials on threshold voltage (Vth) instability in nMOS HfO2 gate stacks under DC and AC stressing”，IEEE Electron Device Letters，2005，第1作者
（3） 1，“A Simple Approach to Fabrication of High-Quality HfSiON Gate Dielectrics With Improved nMOSFET Performances”， IEEE Transactions on Electron Devices，2004，第1作者
（2） 1，“Impacts of gate electrode materials on threshold voltage (Vth) instability in nMOS HfO2 gate stacks under DC and AC stressing”，IEEE Electron Device Letters，2005，第1作者
（3） 1，“A Simple Approach to Fabrication of High-Quality HfSiON Gate Dielectrics With Improved nMOSFET Performances”， IEEE Transactions on Electron Devices，2004，第1作者
科研活动
科研项目
（1） 高速固态存储，参与，院级级，2011-05--2013-05
（2） 高速固态存储控制器研究，主持，国家级，2010-07--2013-07
（2） 高速固态存储控制器研究，主持，国家级，2010-07--2013-07
合作情况
中国科学院苏州纳米所和苏州捷泰科信息技术有限公司合作建立了国内第一家固态存储技术联合实验室。纳米所作为苏州最高端技术人才集聚平台，有着优秀的基础条件和浓郁的研发氛围，提供技术和仪器设备，而苏州捷泰科信息技术有限公司作为产业化平台，迅速实现知识产权和核心技术的产业化。
项目协作单位
苏州傲科创信息技术有限公司是国内领先的超高速数据采集和记录设备开发商。多年以来承担了多项国家重要项目的高速采集记录设备的研发，目前具有国内技术水平最高的服务器架构和嵌入式架构记录仪产品。