基本信息
王立新  男  博导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: wanglixin@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
招生方向
高可靠性器件与集成技术
集成电路设计技术

教育背景

2009-09--2012-07   中国科学院微电子研究所   博士
2000-09--2003-07   北京工业大学   硕士
1996-09--2000-07   河北工业大学   学士

工作经历

   
工作简历
2003-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 中国科学院微电子研究所科技进步奖, 一等奖, 研究所(学校), 2012

出版信息

   
发表论文
(1) A Study of the Au-Al bonding lifetime for MOSFET devices, 22nd international symposium on the physical and failure analysis of integrated circuits, 2015 IPFA, 2015, 第 2 作者
(2) 星用功率VDMOS器件单粒子辐射损伤效应研究, 电子元器件辐射效应国际会议, 2015, 第 2 作者
(3) 半导体器件金铝键合的寿命研究, 微电子学, 2015, 第 2 作者
(4) The effect of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO2–Si3N4 films [J], Chin. Phys. B,2013,Vol.22 No.3, 2013, 第 3 作者
(5) PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究, 原子能科学技术, 2013, 第 3 作者
(6) 抗加功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究, 微电子学, 2013, 第 3 作者
(7) 功率MOSFET的单粒子栅穿敏感区域的模拟研究, Simulation of the sensitive region to SEGR in Power MOSFETs, 半导体学报, 2012, 第 1 作者
(8) 星用功率VDMOS器件SEGR效应研究, 核技术, 2012, 第 1 作者
(9) 功率VDMOS晶体管的抗总剂量辐照研究, 核电子学与探测技术, 2012, 第 1 作者
(10) 高频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究, 电子设计工程, 2012, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 第五、第六代高可靠功率MOSFET项目, 主持, 国家级, 2012-01--2018-12
( 2 ) 高压VDMOS器件研制, 主持, 部委级, 2016-01--2017-12
( 3 ) 27项装备核心器件国产化研制项目, 主持, 国家级, 2013-01--2018-12

指导学生

已指导学生

董晨曦  硕士研究生  430109-电子与通信工程  

肖超  硕士研究生  430110-集成电路工程  

罗小梦  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨尊松  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

王荣超  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

现指导学生

王琳  硕士研究生  085209-集成电路工程  

酒耐霞  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

陈润泽  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

何越峰  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张洪凯  硕士研究生  085209-集成电路工程