基本信息
王立新 男 博导 中国科学院微电子研究所
电子邮件: wanglixin@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:
电子邮件: wanglixin@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学085208-电子与通信工程
招生方向
高可靠性器件与集成技术集成电路设计技术
教育背景
2009-09--2012-07 中国科学院微电子研究所 博士2000-09--2003-07 北京工业大学 硕士1996-09--2000-07 河北工业大学 学士
工作经历
工作简历
2003-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
专利与奖励
奖励信息
(1) 中国科学院微电子研究所科技进步奖, 一等奖, 研究所(学校), 2012
出版信息
发表论文
(1) A Study of the Au-Al bonding lifetime for MOSFET devices, 22nd international symposium on the physical and failure analysis of integrated circuits, 2015 IPFA, 2015, 第 2 作者(2) 星用功率VDMOS器件单粒子辐射损伤效应研究, 电子元器件辐射效应国际会议, 2015, 第 2 作者(3) 半导体器件金铝键合的寿命研究, 微电子学, 2015, 第 2 作者(4) The effect of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO2–Si3N4 films [J], Chin. Phys. B,2013,Vol.22 No.3, 2013, 第 3 作者(5) PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究, 原子能科学技术, 2013, 第 3 作者(6) 抗加功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究, 微电子学, 2013, 第 3 作者(7) 功率MOSFET的单粒子栅穿敏感区域的模拟研究, Simulation of the sensitive region to SEGR in Power MOSFETs, 半导体学报, 2012, 第 1 作者(8) 星用功率VDMOS器件SEGR效应研究, 核技术, 2012, 第 1 作者(9) 功率VDMOS晶体管的抗总剂量辐照研究, 核电子学与探测技术, 2012, 第 1 作者(10) 高频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究, 电子设计工程, 2012, 第 1 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 第五、第六代高可靠功率MOSFET项目, 主持, 国家级, 2012-01--2018-12( 2 ) 高压VDMOS器件研制, 主持, 部委级, 2016-01--2017-12( 3 ) 27项装备核心器件国产化研制项目, 主持, 国家级, 2013-01--2018-12
指导学生
已指导学生
董晨曦 硕士研究生 430109-电子与通信工程
肖超 硕士研究生 430110-集成电路工程
罗小梦 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
杨尊松 硕士研究生 085208-电子与通信工程
王荣超 硕士研究生 085208-电子与通信工程
现指导学生
王琳 硕士研究生 085209-集成电路工程
酒耐霞 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
陈润泽 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
何越峰 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
张洪凯 硕士研究生 085209-集成电路工程