女，1978年生，中科院上海技术物理研究所研究员，中国光学学会第八届理事会成员，中国光学学会红外与光电器件专业委员会委员、秘书长，上海市传感技术学会理事，中科院青年创新促进会会员（2012~2015）。 

　　长期从事新型短波红外焦平面探测器的相关研究工作。作为项目负责人，先后承担国家自然科学基金、光电子预研、GF创新课题、中科院创新基金、上海市科委军民两用项目等；作为主管设计师，承担多个航天工程用短波红外InGaAs焦平面探测器组件的研制任务。

     目前正在开展的研究内容主要包括以下三个方面：

1. 表面集成人工微纳结构的宽谱段红外探测芯片；

2. 超大规模超高密度短波红外焦平面探测器；

3. 航天遥感用高灵敏度延伸波长InGaAs探测器。 

　　编制完成了两项国家军用标准；申请发明专利20余项；作为第1作者、通讯作者或研究生二导，在Infrared Physics & Technology、Measurement science and technology 、ACS Applied Materials & Interfaces 、Optics Letters 、Journal of Applied Physics 、IEEE Photonics Technology Letters、红外与毫米波学报等国内外学术刊物发表学术论文30余篇。 

微电子学与固体电子学专业

080903-微电子学与固体电子学

红外光电器件
半导体器件物理与工艺
红外探测器应用技术

2006-04--2009-01   中科院上海技术物理研究所    博士
2000-09--2003-06   华中科技大学   硕士
1996-09--2000-06   山东大学   学士

研究生

博士

   

2003-07~现在, 中科院上海技术物理研究所, 研究实习员/助理研究员/副研究员/研究员

2022-03-16-2022-03-16,中国光学学会, 理事
2021-12-27-2025-12-26,上海市传感技术学会, 理事
2021-11-13-2024-11-13,山东大学, 兼职博导、兼职硕导
2020-03-15-2025-03-15,中国光学学会红外与光电器件专业委员会, 委员、秘书长
2013-12-31-2025-12-31,《光学与光电技术》期刊编委会, 委员

   

（1） xxx宽谱段红外探测芯片技术, 二等奖, 部委级, 2022

（ 1 ） 一种低应力钝化的台面型延伸波长铟镓砷探测器制备方法, 专利授权, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN109755349B

（ 2 ） 带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法, 专利授权, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN110444607B

（ 3 ） 一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法, 专利授权, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN110205673B

（ 4 ） 一种焦平面探测器两步倒焊工艺方法, 专利授权, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN109877479B

（ 5 ） 用于高长宽比红外焦平面探测器的减薄抛光模具及方法, 专利授权, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN109396962B

（ 6 ） PIIN型高In组分InGaAs探测器材料结构和制备方法, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110896114A

（ 7 ） 一种用于焦平面器件倒焊工艺的快速验证评估芯片和方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110488134A

（ 8 ） 一种FTIR测量光电探测器响应的宽谱校正方法, 专利授权, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN108489609B

（ 9 ） 一种集成亚波长结构的聚合物和纳米材料的InGaAs探测器, 专利授权, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN108400172B

（ 10 ） 一种柔性InGaAs探测器的制备方法, 发明专利, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110224045A

（ 11 ） 一种InGaAs雪崩焦平面探测器的串扰抑制结构, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110021617A

（ 12 ） 原子尺度多层复合膜钝化的延伸波长铟镓砷探测器及方法, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109755327A

（ 13 ） 一种雪崩探测器过渡层结构及制备方法, 发明专利, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109473496A

（ 14 ） 一种背照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109461788A

（ 15 ） 一种正照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器, 发明专利, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109461785A

（ 16 ） 一种大规模小像元铟镓砷焦平面探测器制备方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109449238A

（ 17 ） 一种磷化铟晶圆片及其外延晶圆片的衬底抛光模具, 发明专利, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109397070A

（ 18 ） 一种用于小间距扩散成结表征的测试结构和测试方法, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109378281A

（ 19 ） 一种用于高密度面阵性能验证的测试结构, 发明专利, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109378280A

（ 20 ） 一种短波红外多通道集成光谱组件, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN105371951B

（ 21 ） 一种高增益紫外至近红外InGaAs探测器芯片, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN107994095A

（ 22 ） 一种铟镓砷短波红外探测器, 发明专利, 2016, 第 4 作者, 专利号: CN105914250A

（ 23 ） 一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片及制备方法, 发明专利, 2015, 第 5 作者, 专利号: CN104538463A

（ 24 ） 一种复合钝化膜结构的延伸波长铟镓砷探测器及制备方法, 发明专利, 2015, 第 2 作者, 专利号: CN104538478A

（ 25 ） 一种低损伤的铟镓砷探测器p + n结制备方法, 发明专利, 2015, 第 6 作者, 专利号: CN104916731A

（ 26 ） 一种单片集成在高折射率衬底的亚波长金属光栅偏振片, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104880755A

（ 27 ） 一种非制冷热释电线列焦平面及其制造方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102928089A

（ 28 ） 一种应用于线列红外焦平面探测器的高稳定性倒焊基板, 发明专利, 2011, 第 2 作者, 专利号: CN102231374A

   

（1） Design and Fabrication of Broadband InGaAs Detectors Integrated with Nanostructures, SENSORS, 2023, 通讯作者
（2） 基于锌扩散的InGaAs/InP平面型红外探测器快速热退火研究, Study of Zinc-diffused InGaAs/InP planar infrared detector processed with rapid thermal annealing, 红外与毫米波学报, 2023, 第 7 作者
（3） 320*256 Extended Wavelength InxGa1-xAs/InP Focal Plane Arrays: Dislocation Defect, Dark Signal and Noise, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 2022, 通讯作者
（4） 2.45-μm 1280 × 1024 InGaAs Focal Plane Array With 15-μm Pitch for Extended SWIR Imaging, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2022, 第 3 作者
（5） Interfacial properties between Al2O3 and In0.74Al0.26As epitaxial layer on MIS capacitors, 红外与毫米波学报, 2022, 通讯作者
（6） Design and Fabrication of InGaAs FPAs integrated with InP Mie resonators, IEEE Photonics Technology Letters, 2022, 通讯作者
（7） Improved interface and dark current properties of InGaAs photodiodes by high-density N2 plasma and stoichiometric Si3N4 passivation, Infrared Physics & Technology, 2022, 第 2 作者
（8） Mie-Type Surface Texture-Integrated Visible and Short-Wave Infrared InGaAs/InP Focal Plane Arrays, ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 通讯作者
（9） Multicolor Broadband and Fast Photodetector Based on InGaAs-Insulator-Graphene Hybrid Heterostructure, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 第 4 作者
（10） 短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展, Developments of short-wave infrared InGaAs focal plane detectors, 红外与激光工程, 2020, 第 2 作者
（11） Dark current and 1/f noise characteristics of In0.74Ga0.26As photodiode passivated by SiNx/Al2O3 bilayer, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2020, 通讯作者
（12） Ultra-low spectral reflectances of InP Mie resonators on an InGaAs/InP focal plane array, AIP ADVANCES, 2020, 通讯作者
（13） Design and fabrication of an InGaAs focal plane array integrated with linear-array polarization grating, OPTICS LETTERS, 2020, 第 5 作者
（14） High performance In0.83Ga0.17As SWIR photodiode passivated by Al2O3/SiNx stacks with low-stress SiNx films, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 第 3 作者
（15） Broadband high quantum efficiency InGaAs/InP focal plane arrays via high precision plasma thinning, Optics Letters, 2019, 通讯作者
（16） Anomalous arsenic diffusion at InGaAs/InP interface, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2019, 第 7 作者
（17） Towards Surface Leakage Free High Fill-Factor Extended Wavelength InGaAs Focal-Plane Arrays, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 2019, 第 7 作者
（18） Research on polarization performance of InGaAs focal plane array integrated with superpixel-structured subwavelength grating, OPTICS EXPRESS, 2019, 第 4 作者
（19） Integrating subwavelength polarizers onto InP-InxGa1-xAs sensors for polarimetric detection at short infrared wavelength, PHOTONICS AND NANOSTRUCTURES-FUNDAMENTALS AND APPLICATIONS, 2019, 
（20） 短波红外InGaAs焦平面噪声特性, Noise characteristics of short wave infrared InGaAs focal plane arrays, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2019, 第 3 作者
（21） Electron-initiated low noise 1064 nm InGaAsP/InAlAs avalanche photodetectors, OPTICS EXPRESS, 2018, 第 8 作者
（22） Short-wave infrared InGaAs photodetectors and focal plane arrays, CHINESE PHYSICS B, 2018, 第 3 作者
（23） 中心距10μm截止波长2.6μm的延伸波长InGaAs焦平面探测器, InGaAs focal plane array with the sub-10μm pixel pitch and 2.6μm cut-off wavelength, 红外与毫米波学报, 2018, 第 3 作者
（24） Correction of FTIR acquired photodetector response spectra from mid-infrared to visible bands using onsite measured instrument function, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 第 2 作者
（25） IGA-rule 17 for performance estimation of wavelength-extended InGaAs photodetectors: validity and limitations, APPLIED OPTICS, 2018, 第 6 作者
（26） InGaAs focal plane array with the sub-10 mu m pixel pitch and 2.6 mu m cut-off wavelength, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2018, 第 3 作者
（27） Wavelength calibration of a new monolithically integrated spectral sensor, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2017, 通讯作者
（28） An effective indicator for evaluation of wavelength extending InGaAs photodetector technologies, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2017, 第 6 作者
（29） Study on the performance of 2.6 mu m In0.83Ga0.17As detector with different etch gases, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2017, 第 5 作者
（30） Noise characteristics analysis of short wave infrared InGaAs focal plane arrays, INFRARED PHYSICS AND TECHNOLOGY, 2017, 第 5 作者
（31） 一种新型单片集成光谱传感器的波长定标方法, Wavelength calibration of a new monolithically integrated spectral sensor, 红外与毫米波学报, 2017, 第 6 作者
（32） Measuring the Minority-Carrier Diffusion Length of n-Type In0.53Ga0.47As Epilayers Using Surface Photovoltage, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2017, 第 5 作者
（33） 高性能短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展, Developments of High Performance Short-wave Infrared InGaAs Focal Plane Detectors, 红外技术, 2016, 第 1 作者
（34） ICPCVD passivation of n on p structure deep mesa extended wavelength InGaAs photodetectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 第 2 作者
（35） n- on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺, ICPCVD passivation of n on p structure deep mesa extended wavelength InGaAs photodetectors, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2016, 第 2 作者
（36） Interface property of silicon nitride films grown by inductively coupled plasma chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition on In0.82Al0.18As, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2015, 第 3 作者
（37） Low leakage of In0.83Ga017As photodiode with Al2O3/SiNx stacks, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2015, 第 3 作者
（38） 可见增强的32×32元平面型InGaAs/InP面阵探测器, 32 × 32 pixel planar InGaAs/InP detector with response extended to visible wavelength band, 红外与毫米波学报, 2015, 第 2 作者
（39） Anneal treatment to improve the performance of extended wavelength In0.83Ga0.17As photodetectors, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2015, 第 5 作者
（40） Role of dielectric film in metal grating for improved polarized transmittance in 0.9-1.7 mu m range, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 第 3 作者
（41） 32 x 32 pixel planar InGaAs/InP detector with response extended to visible wavelength band, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2015, 第 2 作者
（42） Subwavelength Gold Grating as Polarizers Integrated with InP-Based InGaAs Sensors, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 第 3 作者
（43） The simulation of localized surface plasmon and surface plasmon polariton in wire grid polarizer integrated on InP substrate for InGaAs sensor, AIP ADVANCES, 2015, 第 3 作者
（44） Inductively coupled plasma chemical vapor deposition silicon nitride for passivation of In0.83Ga0.17As photodiodes, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2014, 第 2 作者
（45） Magnetoelectric effect of the multi-push-pull mode in 0.35Pb(In1/2Nb1/2)O-3-0.35Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3-0.30PbTiO(3)/Metglas magnetoelectric composite, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 第11作者
（46） Pyroelectric infrared linear arrays based on PIMNT, 6TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ADVANCED OPTICAL MANUFACTURING AND TESTING TECHNOLOGIES: OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES FOR SENSING, IMAGING, AND SOLAR ENERGY, 2012, 第 2 作者
（47） The study of carbon nanotubes as coating films for electrically calibrated detectors, MEASUREMENT SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2012, 通讯作者
（48） Design and thermal analysis of electrically calibrated pyroelectric detector, INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2012, 通讯作者
（49） 基于弛豫铁电单晶的热释电焦平面研究, Pyroelectric Arrays with Relax-based Ferroelectric Single Crystals, 光电工程, 2011, 第 1 作者
（50） 高精度紫外探测器定标测试方法, high-accuracy calibration of uv detectors, 航天器环境工程, 2010, 第 1 作者
（51） 一种紫外焦平面探测器电流响应率测试方法, 光学学报, 2009, 第 1 作者
（52） Electrically calibrated pyroelectric detector for high-accuracy calibration of UV radiation, Pro. Of SPIE, 2007, 第 1 作者

   

（ 1 ） 基于传感器的紫外辐射定标及器件光电等效机理研究, 负责人, 国家任务, 2008-01--2010-12
（ 2 ） 新型热释电材料及其光传感器研究, 参与, 国家任务, 2009-01--2012-12
（ 3 ） 基于航天应用的材料验证与器件研究, 参与, 国家任务, 2012-01--2016-12
（ 4 ） 基于阻挡层结构外延材料的InGaAs探测器的可见-短波红外光谱拓展方法研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2017-12
（ 5 ） 快速微型近红外光谱仪的国产化技术研究及其应用, 负责人, 地方任务, 2014-09--2016-09
（ 6 ） XXX（省略）, 负责人, 中国科学院计划, 2015-05--2017-05
（ 7 ） XXX（省略）, 负责人, 国家任务, 2016-11--2020-12
（ 8 ） XXX（省略）, 负责人, 国家任务, 2017-03--2017-12
（ 9 ） 表面集成人工微纳结构的宽谱段InGaAs焦平面探测器研究, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12
（ 10 ） （略）, 负责人, 国家任务, 2021-12--2025-11

已指导学生

马学亮  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王瑞  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

石铭  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

何玮  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

万露红  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

陈晓娟  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杜爱博  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

朱迅毅  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学