基本信息

陈睿  男    中国科学院国家空间科学中心
电子邮件: chenrui2010@nssc.ac.cn
通信地址:  北京市怀柔区京密北二街中科院空间中心
邮政编码: 101499

研究领域

高可靠集成电路设计,半导体器件和电路辐射效应仿真,航天器空间环境辐射效应


招生信息

地球与空间探测技术,08.航天器空间环境效应研究与应用;

电子信息,15.高可靠集成电路与电子系统设计

招生专业
0708Z2-地球与空间探测技术
085400-电子信息
招生方向
高可靠集成电路设计
航天器空间环境效应
半导体器件和电路辐射效应仿真

教育背景

2013-09--2016-11   中国科学院大学   博士
2007-09--2010-07   中国科学院大学   硕士
2002-09--2006-07   湖北大学   学士

工作经历

   
工作简历
2018-11~2019-11,加拿大萨斯喀彻温大学, 国家公派访问学者,萨省大学访问教授
2010-07~现在, 中国科学院国家空间科学中心, 副研究员
社会兼职
2020-01-01-今,中科芯试验公司股东,

教授课程

空间高可靠电子系统设计

专利与奖励

中国科学院国家空间科学中心铜质奖章

奖励信息
(1) 自主可控军队科技进步二等奖, 二等奖, 部委级, 2019

出版信息

   
发表论文
(1) Study on the single-event upset sensitivity of 65nm CMOS sequential logic circuit, IEICE Electronics Express, 2020, 通讯作者
(2) the application of two photon absorption pulsed for Single-Event-Effects sensitivity mapping technology, advanced in laser technologies and applications, 2019, 通讯作者
(3) Comparative Study on the Transients Induced by Single Event Effect and Space Electrostatic Discharge, IEEE transaction on device and materials reliability, 2019, 第 1 作者
(4) 130nm 体硅CMOS器件的单粒子闩锁效应, 空间科学学报, 2019, 通讯作者
(5) 0.13 μm 部分耗尽SOI 工艺反相器链SET 脉宽传播, 北京航空航天大学学报, 2019, 第 3 作者
(6) 激光模拟瞬态剂量率闩锁效应电流特征机制研究, 物理学报, 2019, 第 3 作者
(7) Flash 芯片电流“尖峰”现象的脉冲激光试验, 北京航空航天大学学报, 2019, 第 3 作者
(8) 130 nm 体硅反相器链的单粒子瞬态脉宽特性研究, 北京航空航天大学学报, 2019, 通讯作者
(9) 空间静电放电对集成运算放大器的干扰影响模拟试验研究, 中国科学, 2017, 第 3 作者
(10) Comparative Research on “High Currents” induced by Single Event Latchup and Transient induced Latchup, china physic B, 2016, 第 1 作者
(11) 90nm 互补金属氧化物半导体静态随机存储器局部单粒子闩锁传播效应诱发多位翻转的机理研究, 物理学报, 2015, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 空间带电粒子的单粒子效应和充放电效应诱发“软错误”的异同规律及机理研究, 主持, 国家级, 2019-01--2021-12
( 2 ) 卫星单粒子和充放电辐射故障快速甄别诊断方法探索, 主持, 国家级, 2018-01--2020-12
( 3 ) 面向宇航应用的第三代半导体大功率器件抗辐射加固技术研究与开发, 参与, 省级, 2019-10--2022-12
( 4 ) 面向科学卫星应用国产器件空间应用验证试验技术, 主持, 部委级, 2017-01--2020-07
( 5 ) Study on the SEE sensitivity mapping technology for 28nm FDSOI technology using Two Photon Absorption pulsed laser, 参与, 研究所(学校), 2019-01--2022-12