基本信息
刘波 男 博导 上海微系统与信息技术研究所
电子邮件:liubo@mail.sim.ac.cn
通信地址:上海市长宁路865号
邮政编码:200050

研究领域

1、无机材料
2、半导体存储器
3、光存储技术

招生信息

1、招生专业:微电子学与固体电子学
2、招生方向:无机材料制备与表征;半导体工艺及其集成;存储器失效分析
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
招生方向


教育背景

   
学历
 1. 1993. 9-1997. 7,山东轻工业学院,无机材料系,材料学专业,本科
2. 1997. 9-1998. 7,中国科学技术大学,材料科学与工程系,材料学专业,学习硕士学位基础课程
3. 1998. 8-2000. 7,中国科学院上海光学精密机械研究所,材料学专业,硕士研究生
4. 2000. 8-2003. 5,中国科学院上海光学精密机械研究所,材料学专业,博士研究生
5. 2003. 6-2005. 3,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,微电子学与固体电子学专业,博士后

学位
1. 1993. 9-1997. 7,山东轻工业学院,无机材料系,材料学专业,工学学士(1997. 7)-导师滕立冬教授
2. 1997. 9-2000. 7,中国科学院上海光学精密机械研究所,材料学专业,工学硕士(2000. 8)-导师王豪副研究员
3. 2000. 8-2003. 5,中国科学院上海光学精密机械研究所,材料学专业, 工学博士(2003. 8)-导师干福熹院士 


工作经历

1. 2005. 3-至今,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,相变存储器(PCRAM)的材料、单项工艺及其集成、芯片失效分析、8和12英寸平台建设与运行、项目管理与协调。
个人简历
刘波 男,汉族,1973年8月出生,山东省临沭县人,博士(后),研究员,博士研究生导师,“九三学社”社员,国家纳米重大科学研究计划(973)项目首席科学家。1997年毕业于山东轻工业学院,1997-1998年期间在中国科学技术大学学习硕士学位基础课程,2000年获中国科学院上海光学精密机械研究所工学硕士学位,2000-2003年间在中国科学院上海光学精密机械研究所师从干福熹院士从事光存储技术研究,并获工学博士学位,2003-2005年期间在中国科学院上海微系统与信息技术研究所从事微电子学与固体电子学专业博士后研究,2005年出站后留所工作。先后荣获中国科学院卢嘉锡青年人才奖、上海市青年科技启明星跟踪、上海市青年科技启明星、中国博士后科学基金资助金、中国科学院王宽诚博士后工作奖励基金、上海-应用材料研究与发展基金研究生奖学金和中国科学院彭荫刚科技奖学金等多项奖励。主要研究方向是无机相变材料和纳米材料、光存储技术、纳电子相变存储器等。作为负责人主持过国家纳米重大科学研究计划(973)项目(作为首席科学家)、国家863计划重点项目子课题、国家863计划目标导向类项目、国家自然科学基金和上海市科委等科研项目12项,作为项目骨干参加过国家集成电路重大专项、国家纳米重大科学研究计划、国家863、国家973、中国科学院、上海市科委、与美国SST公司的国际合作项目等科研项目20项。在国内首次研究了硫系化合物相变薄膜的激光致相变特性,系统研究了高密度可擦重写相变光盘的制备工艺,是我国相变存储器(PCRAM)研究方向的开创者之一,在新型相变材料、电极材料、器件单项工艺开发及其集成方面获得多项国内领先的科研成果,具体负责完成8英寸PCRAM专用平台的搭建工作,正在开展12英寸PCRAM专用平台的搭建工作,研制出具有完整功能的1Kb-8Mb试验芯片。已发表学术论文165篇,期刊论文139篇,论文被引用495次,其中第一作者他引409次,申请发明专利126项,其中授权发明专利37项,参与了《中国材料工程大典》、《光子学技术与应用》、《相变存储器》和《大辞海》等多部著作的编写工作,直接指导研究生5名,协助指导研究生14名。
社会兼职
1. 第九届中国物理学会固体缺陷专业委员会委员
2. 中国电子显微学会会员
3. 上海市电子光学学会会员
4. 上海市传感技术学会会员
5. 光学期刊联合编辑部(光学学报、中国激光、Chinese Optics Letters、激光与光电子学进展)特约审稿人
6. APL、CPL、CPB、APA、JNN等国内外期刊的审稿人

专利与奖励

        申请发明专利126项,其中授权发明专利37项,先后荣获中国科学院卢嘉锡青年人才奖、上海市青年科技启明星跟踪、上海市青年科技启明星等多项奖励。
专利目录
授权发明专利目录:

1. 刘波、宋志棠、封松林、张挺、夏吉林、陈邦明。可用于相变存储器多级存储的相变材料,专利号:ZL 200410067987.5,申请日期:2004-11-10,授权公告日:2007-7-11
2. 刘波、宋志棠、封松林、陈邦明。一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法,专利号:ZL 200410053752.0,申请日期:2004-8-13,授权公告日:2007-12-19
3. 刘波、宋志棠、封松林。采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法,专利号:ZL 200510110783.X,申请日期:2005-11-25,授权公告日:2008-4-23
4. 刘波、宋志棠、封松林、陈鲍明。一种纳米相变存储器器件单元的制备方法,专利号:ZL 200410053564.8,申请日期:2004-8-6,授权公告日:2008-6-25
5. 刘波、宋志棠、封松林、陈宝明。相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法,专利号:ZL 200710043924.X,申请日期:2007-7-17,授权公告日:2009-8-19
6. 刘波、宋志棠、张挺、封松林。掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法,专利号:ZL 200910053119.4,申请日期:2009-6-15,授权公告日:2011-2-16
7. 宋志棠、刘波、徐成、徐嘉庆、刘卫丽、封松林、陈邦明。可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法,专利号:ZL 200510026541.2,申请日期:2005-6-8,授权公告日:2008-12-3
8. 宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。相变存储器存储单元及其制备方法,专利号:ZL 200610117153.x,申请日期:2006-10-13,授权公告日:2009-2-11
9. 宋志棠、刘波、封松林、刘建超。基于硫系化合物相变材料的限流器及制作方法,专利号:ZL 200710036527.X,申请日期:2007-1-17,授权公告日:2009-2-11
10. 宋志棠、刘波、宝民、丁晟、刘卫丽、封松林。高密度相变存储器的结构与制备的工艺,专利号:ZL 200810033926.5,申请日期:2008-2-26,授权公告日:2010-12-8
11. 张楷亮、宋志棠、刘波、刘卫丽、封松林、陈邦明。硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用,专利号:ZL 200410066674.8,申请日期:2004-9-24,授权公告日:2007-2-14
12. 吴良才、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。一种制备相变存储器纳米加热电极的方法,专利号:ZL 200510111118.2,申请日期:2005-12-2,授权公告日:2008-10-1
13. 吴良才、宋志棠、刘波、冯高明、封松林。减小相变存储器加热电极面积的方法,专利号:ZL 200610028107.2,申请日期:2006-6-23,授权公告日:2009-2-11
14. 张挺、宋志棠、刘波、封松林。用于相变存储器的过渡层,专利号:ZL 200810032862.7,申请日期:2008-1-22,授权公告日:2009-12-2
15. 张挺、宋志棠、刘波、刘卫丽、封松林、陈邦明。一种无碲存储材料、制备方法及应用,专利号:ZL 200710040302.1,申请日期:2007-4-29,授权公告日:2010-1-20
16. 冯高明、宋志棠、刘波、封松林、万旭东、吴关平。柱状纳米加热电极的制备方法,专利号:ZL 200910052406.3,申请日期:2009-6-2,授权公告日:2010-9-8
17. 张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。制造三维立体堆叠的电阻转换存储器的方法,专利号:ZL 200910045084.X,申请日期:2009-1-8,授权公告日:2010-10-13
18. 张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。自对准肖特基二极管及相应电阻转换存储器制造方法,专利号:ZL 200810207298.8,申请日期:2008-12-18,授权公告日:2010-10-27
19. 宋志棠、张挺、刘波、刘卫丽、封松林、陈邦明。纳米复合相变材料及其制备方法,专利号:ZL 200810038906.7,申请日期:2008-6-13,授权公告日:2010-11-17
20. 吕士龙、宋志棠、刘波、封松林。相变存储器的制备方法,专利号:ZL 200910045441.2,申请日期:2009-1-23,授权公告日:2010-12-29
21. 冯高明、宋志棠、刘波、封松林、万旭东、吴关平。相变存储器加热电极的制备方法,专利号:ZL 200910052407.8,申请日期:2009-6-2,授权公告日:2010-12-29
22. 张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法,专利号:ZL 200810035939.6,申请日期:2008-4-11,授权公告日:2011-4-20
23. 张挺、宋志棠、刘波、刘卫丽、封松林、陈邦明。一种纳米复合相变材料的制备方法,专利号:ZL 200810038907.1,申请日期:2008-6-13,授权公告日:2011-5-4
24. 张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。动态相变存储器,专利号:ZL 200810040851.3,申请日期:2008-7-22,授权公告日:2011-6-1
25. 张挺、宋志棠、刘波、封松林。一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法,专利号:ZL 200810042296.8,申请日期:2008-8-29,授权公告日:2011-6-1
26. 宋志棠、夏吉林、刘卫丽、刘波、封松林。一种纳电子相变存储器的制备方法,专利号:ZL 200410053565.2,申请日期:2004-8-6,授权公告日:2007-2-14
27. 宋志棠、吴良才、刘卫丽、刘波、封松林。一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法,专利号:ZL 200710044534.4,申请日期:2007-8-3,授权公告日:2009-7-22
28. 张挺、宋志棠、万旭东、刘波、封松林、陈邦明。双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法,专利号:ZL 200810041516.5,申请日期:2008-8-8,授权公告日:2010-4-7
29. 宋志棠、凌云、龚岳峰、刘波、封松林。多态相变存储器单元器件及制备方法,专利号:ZL 200910047721.7,申请日期:2009-3-17,授权公告日:2010-6-30
30. 宋志棠、冯高明、钟旻、刘波、封松林。低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法,专利号:ZL 200910045929.5,申请日期:2009-1-22,授权公告日:2010-8-4
31. 张挺、宋志棠、顾怡峰、刘波、封松林、陈邦明。电阻转换存储器及其制造方法,专利号:ZL 200810202824.1,申请日期:2008-11-17,授权公告日:2011-1-26
32. 张挺、宋志棠、顾怡峰、刘波、张复雄、向阳辉、封松林、陈邦明。集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法,专利号:ZL 200910053998.0,申请日期:2009-6-26,授权公告日:2011-1-26
33. 丁晟、宋志棠、陈邦明、刘波、陈小刚、蔡道林、封松林。一种提高相变存储器编程速度的系统及方法,专利号:ZL 200810040952.0,申请日期:2008-7-24,授权公告日:2011-4-20
34. 张挺、宋志棠、丁晟、刘波、封松林、陈邦明。提升相变存储器编程速度的方法及实现方法,专利号:ZL 200810202405.8,申请日期:2008-11-7,授权公告日:2011-4-20
35. 张挺、宋志棠、顾怡峰、刘波、封松林。一种自对准制造基于含锑的肖特基二极管阵列的方法,专利号:ZL 200810207453.6,申请日期:2008-12-19,授权公告日:2011-5-11
36. 宋志棠、丁晟、陈邦明、刘波、陈小刚、蔡道林、封松林。一种新型存储系统,专利号:ZL 200810040948.4,申请日期:2008-7-24,授权公告日:2011-6-1
37. 韩晓东、成岩、王珂、张泽、宋志棠、刘波、张挺、封松林。用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料,专利号:ZL 200810103803.4,申请日期:2008-4-11,授权公告日:2010-2-17

申请发明专利目录:

1. 刘波、宋志棠、封松林、陈邦明。用于相变存储器的加热电极材料及制备方法,申请号:200610023390.X,申请日期:2006-1-18
2. 刘波、宋志棠、张挺、封松林。包含夹层的相变存储器及制作方法,申请号:200910045870.X,申请日期:2009-1-23
3. 刘波、宋志棠、张挺、李莹、钟旻、封松林。相变存储单元及其制作方法,申请号:201110020727.2,申请日期:2011-1-18
4. 宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。纳电子相变存储器器件单元的制备方法,申请号:200510030636.1,申请日期:2005-10-19
5. 宋志棠、刘波、梁爽、陈小刚、封松林。相变存储器器件单元测试系统及测试方法,申请号:200610028229.1,申请日期:2006-6-27
6. 宋志棠、刘波、梁爽、陈小刚、封松林。相变存储器器件单元阵列演示系统及可视化演示的方法,申请号:200610028740.1,申请日期:2006-7-7
7. 宋志棠、刘波、丁晟、刘卫丽、陈宝明、封松林。用于相变存储器的黏附层材料及制备方法,申请号:200810034355.7,申请日期:2008-3-7
8. 宋志棠、刘波、沈菊、封松林。相变存储器驱动电路,申请号:200810036618.8,申请日期:2008-4-25
9. 宋志棠、吴良才、刘波、封松林、Bomy Chen。实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法,申请号:200610023827.X,申请日期:2006-2-10 10. 宋志棠、吕士龙、刘波、封松林。电子束曝光中套刻工艺的实现方法,申请号:200610030768.9,申请日期:2006-9-1
11. 宋志棠、沈婕、刘波、封松林、陈邦明。用于相变存储器的锗钛基存储材料及其制备方法,申请号:200610117815.3,申请日期:2006-10-31
12. 宋志棠、丁晟、刘波、封松林。相变内存读、写操作可调脉宽的控制电路的设计方法,申请号:20081003351.4,申请日期:2008-2-1
13. 宋志棠、徐成、刘波、封松林。用于降低相变存储器单元功耗的氧化物隔热层及实现方法,申请号:200810033519.4,申请日期:2008-2-4
14. 宋志棠、丁晟、刘波、宝民、封松林、刘卫丽。多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法,申请号:200810033917.6,申请日期:2008-2-26
15. 宋志棠、丁晟、刘波、宝民、封松林、刘卫丽。三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法,申请号:200810033924.6,申请日期:2008-2-26 16. 宋志棠、沈菊、刘波、封松林。相变存储器1R1T结构和所使用的驱动电路的设计方法,申请号:200810036619.2,申请日期:2008-4-25
17. 张挺、宋志棠、刘波、封松林。一种存储介质材料,申请号:200810040850.9,申请日期:2008-7-22
18. 张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。一种可再编程的激光融丝器件和连续调整融丝电阻的方法,申请号: 200810041395.4,申请日期:2008-8-5
19. 张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。电可再编程熔丝器件,申请号:200810041871.2,申请日期:2008-8-19
20. 宋志棠、丁晟、刘波、凌云、陈小刚、蔡道林、封松林。相变存储单元器件的复合电极结构,申请号:200810042218.8,申请日期:2008-8-29
21. 王良咏、宋志棠、刘波、封松林。硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液,申请号:200810201175.3,申请日期:2008-10-14
22. 张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。一种电阻转换存储器单元,申请号:200810203356.X,申请日期:2008-11-25
23. 宋志棠、张挺、刘波、封松林。基于SiSb复合材料的相变存储器单元,申请号:200810203357.4,申请日期:2008-11-25
24. 张挺、宋志棠、刘波、封松林。具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法,申请号:200810203942.4,申请日期:2008-12-3
25. 宋志棠、吕士龙、刘波、封松林。相变存储器的制备方法,申请号:200810204446.0,申请日期:2008-12-11
26. 张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。肖特基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法,申请号:200810205004.8,申请日期:2008-12-30
27. 吕士龙、宋志棠、刘波、封松林。具有新型电极结构的相变存储器的制备方法,申请号:200910045441.2,申请日期:2009-1-23
28. 吕士龙、宋志棠、刘波、封松林。一种低功耗相变存储器的制备方法,申请号:200910046056.X,申请日期:2009-2-10
29. 张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。电阻转换存储器,申请号:200910046487.6,申请日期:2009-2-23
30. 冯高明、宋志棠、刘波、封松林、万旭东、吴关平。一种纳米级柱状相变存储器单元陈列的制备方法,申请号:200910050396.X,申请日期:2009-4-30
31. 冯高明、宋志棠、刘波、封松林、万旭东、吴关平。柱状纳米加热电极的制备方法,申请号:200910052406.3,申请日期:2009-6-2
32. 冯高明、宋志棠、刘波、封松林、万旭东、吴关平。柱状相变材料纳米阵列及其制备方法,申请号:200910052408.2,申请日期:2009-6-2
33. 张挺、宋志棠、刘波、封松林。一种开发和筛选想变存储材料的方法,申请号:200910053519.5,申请日期:2009-6-19
34. 王良咏、宋志棠、刘波、封松林。SiSb基相变材料用化学机械抛光液,申请号:200910054391.4,申请日期:2009-7-3
35. 宋三年、宋志棠、刘波、吴良才、封松林。导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元,申请号:200910055148.4,申请日期:2009-7-21
36. 张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。电阻转换存储器装置及其制造工艺,申请号:201010127295.0,申请日期:2010-3-18
37. 张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。电阻转换存储器装置及其制造工艺,申请号:201010127277.2,申请日期:2010-3-18
38. 张挺、宋志棠、刘波、万旭东、吴关平、封松林、陈邦明。二极管及电阻转换存储器的制造方法,申请号:201010130588.4,申请日期:2010-3-22
39. 宋志棠、龚岳峰、刘波、李宜瑾、张挺、凌云。共用金属层的肖特基二极管和相变存储器及其制造方法,申请号:201010138167.6,申请日期:2010-4-1
40. 张挺、宋志棠、刘波、封松林。纳米级侧壁限制电阻转换存储器单元及制造方法,申请号:201010141273.X,申请日期:2010-4-6
41. 徐成、宋志棠、刘波、吴关平。一种相变存储器器件单元及制备方法,申请号:201010152455.7,申请日期:2010-4-20
42. 王良咏、宋志棠、刘波、刘卫丽、钟旻、封松林。一种相变材料抛光后清洗液,申请号:201010189161.1,申请日期:2010-6-1
43. 王良咏、宋志棠、刘波、刘卫丽、封松林。可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液,申请号:201010189145.2,申请日期:2010-6-1
44. 张挺、宋志棠、刘波、封松林。肖特基二极管、半导体存储器及其制造工艺,申请号:201010199669.X,申请日期:2010-6-12
45. 张挺、宋志棠、刘波、封松林。多层堆叠电阻转换存储器的制造方法,申请号:201010206329.5,申请日期:2010-6-22
46. 徐成、宋志棠、刘波、封松林。具有侧壁加热电极相变材料的存储器单元及制备方法,申请号:201010225613.7,申请日期:2010-7-13
47. 张挺、宋志棠、刘波、吴关平、成岩、封松林。制备复合材料的可组装靶材、其制造、修复和改装方法,申请号:201010237976.2,申请日期:2010-7-27
48. 张挺、宋志棠、刘波、吴关平、张超、封松林、陈邦明。制备纳米晶电阻转换材料的方法,申请号:201010289914.6,申请日期:2010-9-21
49. 张挺、宋志棠、刘波。无线操控显示系统,申请号:201010528933.X,申请日期:2010-11-2
50. 张挺、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。硅锑碲复合相变材料,申请号:201010537183.2,申请日期:2010-11-9
51. 任万春、宋志棠、刘波。一种相变存储单元及其形成方法,申请号:201110037012.8,申请日期:2011-2-12
52. 张挺、宋志棠、冯高明、刘波、封松林、陈邦明。相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法,申请号:200610024614.9,申请日期:2006-3-10
53. 宋志棠、凌云、龚岳峰、刘波、封松林。相变存储器单元器件的结构的改进,申请号:200810033601.7,申请日期:2008-2-15
54. 丁晟、宋志棠、陈邦明、刘波、陈小刚、蔡道林、封松林。非易失顺序模块式存储器、其数据存储及读取方法,申请号:200810040949.9,申请日期:2008-7-24
55. 宋志棠、丁晟、陈邦明、刘波、陈小刚、蔡道林、封松林。一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法,申请号:200810040950.1,申请日期:2008-7-24
56. 张挺、宋志棠、丁晟、刘波、封松林、陈邦明。一种电阻转换存储单元及其方法,申请号:200810200269.9,申请日期:2008-9-23
57. 张挺、宋志棠、顾怡峰、刘波、封松林。含锑材料作为电阻转换存储材料的应用,申请号:200810201407.5,申请日期:2008-10-20
58. 张挺、宋志棠、顾怡峰、刘波、封松林。二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法,申请号:200810201901.1,申请日期:2008-10-29
59. 顾怡锋、宋志棠、张挺、刘波、封松林。一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用,申请号:200910050392.1,申请日期:2009-4-30
60. 丁晟、宋志棠、陈后鹏、刘波。一种相变存储器快速读取装置及方法,申请号:200910195367.2,申请日期:2009-9-8
61. 张超、宋志棠、万旭东、刘波、吴关平、张挺、杨左娅、谢志峰。有效抑制自掺杂效应的外延生长方法,申请号:201010271287.3,申请日期:2010-8-31
62. 王良咏、宋志棠、刘卫丽、刘波、钟旻、封松林。硫系化合物相变材料抛光后清洗液,申请号:201010281508.5,申请日期:2010-9-14
63. 张超、宋志棠、万旭东、刘波、吴关平、张挺、杨左娅、谢志峰。双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法,申请号:201010289920.1,申请日期:2010-9-21
64. 张挺、宋志棠、刘旭焱、刘波、封松林。多层堆叠的存储器及其制造方法,申请号:201010512040.6,申请日期:2010-10-19
65. 任万春、向阳辉、宋志棠、刘波。相变随机存储器的制造方法,申请号:201010534163.X,申请日期:2010-11-5
66. 任万春、向阳辉、宋志棠、波。相变存储器的制作方法,申请号:201010568380.0,申请日期:2010-11-30
67. 宋志棠、夏梦姣、饶峰、刘波、封松林。一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法,申请号:201010591390.6,申请日期:2010-12-16
68. 任万春、向阳辉、宋志棠、刘波。相变存储器的加热层制备方法,申请号:201010594920.2,申请日期:2010-12-17
69. 任万春、向阳辉、宋志棠、刘波。相变存储器的制作方法,申请号:201010601467.3,申请日期:2010-12-22
70. 张挺、朱南飞、宋志棠、刘波、吴关平、张超、谢志峰、封松林。一种电阻转换存储器结构及其制造方法,申请号:201110026033.x,申请日期:2011-1-24
71. 王良咏、宋志棠、刘卫丽、刘波、钟旻、何敖东。化学机械抛光液,申请号:201110072199.5,申请日期:2011-3-24
72. 张挺、陈婉、宋志棠、刘波、封松林、陈邦明。多层堆叠电阻转换存储器结构,申请号:201110091476.7,申请日期:2011-4-12
73. 许建安、饶峰、宋志棠、刘波、吴良才。相变存储材料及其制备方法,申请号:201110103185.5,申请日期:2011-4-22
74. 吕业刚、宋三年、宋志棠、刘波、饶峰、吴良才。一种相变存储材料及其制备方法,申请号:201110135885.2,申请日期:2011-5-24
75. 刘彦伯、钮晓鸣、宋志棠、闵国全、刘波、周伟民、李小丽、万永中、封松林。一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法,申请号:200710044608.4,申请日期:2007-8-6
76. 张挺、宋志棠、陈小刚、顾怡峰、刘波、封松林、陈邦明。电阻转换存储器及其制造方法,申请号:200810207813.2,申请日期:2008-12-25
77. 张挺、马小波、宋志棠、刘旭焱、刘波、封松林。三维立体堆叠的电阻转换存储器的制造方法,申请号:201010152466.5,申请日期:2010-4-20
78. 张挺、马小波、宋志棠、刘旭焱、刘波、封松林。多层堆叠电阻转换存储器的制造方法,申请号: 201010186449.3 ,申请日期:2010-5-27
79. 龚岳峰、宋志棠、凌云、张挺、刘波、李宜瑾。稳定阈值电压的低功耗相变存储器及其制造方法,申请号:201010188978.7,申请日期:2010-5-31
80. 张挺、张兵、宋志棠、顾怡峰、刘波、封松林。电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法,申请号:201010532660.6,申请日期:2010-11-4
81. 宋志棠、许建安、饶峰、吴良才、刘波。用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法,申请号:201010590406.1,申请日期:2010-12-15
82. 彭程、吴良才、饶峰、宋志棠、刘波、周夕淋、朱敏。用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法,申请号:201010619496.2,申请日期:2010-12-31
83. 夏梦姣、饶峰、宋志棠、吴良才、刘波。一种相变材料的干法刻蚀方法 申请号:201010619487.3,申请日期:2010-12-31
84. 李学来、饶峰、宋志棠、任堃、吴良才、刘波、刘卫丽。一种相变存储材料及其制备方法,申请号:201010619510.9,申请日期:2010-12-31
85. 刘彦伯、钮晓鸣、宋志棠、闵国全、周伟民、李小丽、刘波、张静、万永中、封松林。一种纳米结构套刻的模板设计和实现方法,申请号:200710044607.X,申请日期:2007-8-6
86. 刘彦伯、钮晓鸣、宋志棠、闵国全、周伟民、李小丽、刘波、万永中、封松林。一种纳米级相变存储单元阵列制备方法,申请号:200710044609.9,申请日期:2007-8-6
87. 彭程、吴良才、饶峰、宋志棠、周夕淋、朱敏、刘波。用于高温环境的N-Ge-Te相变存储材料及制备方法,申请号:201110031815.2,申请日期:2011-1-28
88. 刘彦伯、钮晓鸣、宋志棠、闵国全、周伟民、张静、万永中、张挺、李小丽、张剑平、施利毅、刘波、封松林。一种纳米结构压印硬模板,申请号:200910044948.6,申请日期:2009-1-6
89. 刘彦伯、钮晓鸣、宋志棠、闵国全、周伟民、张静、万永中、张挺、李小丽、张剑平、施利毅、刘波、封松林。一种压印模板,申请号:200910044950.3,申请日期:2009-1-6
90. 刘彦伯、钮晓鸣、宋志棠、闵国全、周伟民、张静、万永中、张挺、李小丽、张剑平、施利毅、刘波、封松林。一种去除冷压印残留胶层的方法,申请号:200910044949.0,申请日期:2009-1-6
奖励目录
1. 2000年11月,中国科学院彭荫刚科技奖学金
2. 2001年4月,中国科学院上海光学精密机械研究所所长奖学金
3. 2002年10月,上海-应用材料研究与发展基金研究生奖学金
4. 2002年4月,中国科学院上海光学精密机械研究所优秀研究生奖学金
5. 2003年12月,中国博士后科学基金资助金
6. 2003年12月,中国科学院王宽诚博士后工作奖励基金
7. 2005年度,所优秀职工
8. 2005年度,所优秀保密工作者
9. 2006年12月,上海市青年科技启明星获得者
10. 2006年度,所优秀职工
11. 2007年度,所优秀职工
12. 2008年3月,首届中国科学院卢嘉锡青年人才奖获得者
13. 2008年度,所优秀职工
14. 2009年6月,上海市青年科技启明星跟踪获得者
15. 2009年8月,中国科学院上海微系统与信息技术研究所首届“所内****”获得者
16. 2009年9月,国家纳米重大科学研究计划(973)项目“相变存储器规模制造技术关键基础问题研究”首席科学家

出版信息

    已发表学术论文165篇,期刊论文139篇,论文被引用495次,其中第一作者他引409次,参与了《中国材料工程大典》、《光子学技术与应用》、《相变存储器》和《大辞海》等多部著作的编写工作。
编著目录
1. 路甬祥院士主编。《中国材料工程大典》,第12卷“信息功能材料工程”(中)(王占国院士、陈立泉院士和屠海令主编),第8篇“存储材料”,第14章“非易失性存储材料”,化学工业出版社,2006.3,北京[全书共7000万字,由40位院士和1200余人参加编写]
2. 刘颂豪院士主编。《光子学技术与应用》,第13编“光存储技术”(干福熹院士主编),第二章“光盘存储技术”,第六节“相变可擦重写型光盘”,广东科技出版社、安徽科技出版社,2006.9,广州、合肥 [全书共452万字,由9位院士和150余人参加编写]
3. 宋志棠著。《相变存储器》,第2章“Ge2Sb2Te5相变材料及其改性”,第1-3节,科学出版社,2010.2,北京
发表期刊论文目录
2011年
1. Chao Zhang, Zhi-Tang Song, Guan-Ping Wu, Bo Liu*, Xu-Dong Wan, Lei Wang, Lian-Hong Wang, Zuo-Ya Yang, Bomy Chen and Song-Lin Feng. Design and fabrication of dual trench epitaxial diode array for high density phase change memory, IEEE Electron Device Letters, 2011, 32(7): in press
2. Liangyong Wang, Bo Liu, Zhitang Song, Weili Liu, Songlin Feng, David Huang, and S. V. Babu. Complexing between additives and ceria abrasives used for polishing silicon dioxide and silicon nitride films, Electrochemical and Solid-State Letters, 2011, 14(3): H128-H131
3. Sannian Song, Zhitang Song, Liangcai Wu, Bo Liu, and Songlin Feng. Stress reduction and performance improvement of phase change memory cell by using Ge2Sb2Te5-TaOx composite films, J. Appl. Phys., 2011, 109(3): 034503
4. Yegang Lu, Sannian Song, Zhitang Song, and Bo Liu. Ga14Sb86 film for ultralong data retention phase-change memory, J. Appl. Phys., 2011, 109(6): 064503
5. Ting Zhang, Zhitang Song, Yifeng Gu, Yan Cheng, Bo Liu, and Songlin Feng. Mechanism of oxidation on Si2Sb2Te5 phase change material and its application, Jpn. J. Appl. Phys., 2011, 50(2): 020202
6. Yegang Lu, Sannian Song, Zhitang Song, Liangcai Wu, Bo Liu, Songlin Feng and Xiaohui Guo. Study on TiO2-doped Ge2Te3 films for phase-change memory application, J. Phys. D: Appl. Phys., 2011, 44(14): 145102
7. Zhitang Song, Feng Rao, Yun Ling, Liangcai Wu, and Bo Liu. Phase change materials and random access memory, 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 15-17 Dec. 2010, Hong Kong, 2011: 1-4
8. Xilin Zhou, Liangcai Wu, Zhitang Song, Feng Rao, Bo Liu, Dongning Yao, Weijun Yin, Songlin Feng and Bomy Chen. Investigation of Sb-rich Si2Sb2+xTe6 material for phase change random access memory application, Applied Physics A: Materials Science & Processing, 2011, 103(4): 1077-1081
9. Ying Li, Xudong Wan, Zhitang Song, Joseph Xie, Bomy Chen, Bo Liu, Guanping Wu, Nanfei Zhu, Min Zhong, Jia Xu, and Yifeng Chen. A phase change memory device fabrication technology using Si2Sb2Te6 for low power consumption application, ECS Trans., 2011, 34(1): 1053-1057
10. Feng Rao, Zhitang Song, Kun Ren, Xilin Zhou, Yan Cheng, Liangcai Wu and Bo Liu. Si-Sb-Te materials for phase change memory applications, Nanotechnology, 2011, 22(14): 145702
11. Cheng Kaifang, Wang Xiaofeng, Wang Xiaodong, Zhang Jiayong, Ma Huili, Chen Xiaogang, Liu Bo, Song Zhitang, Feng Songlin, and Yang Fuhua. Simple and low-cost fabrication of a metal nanoplug on various substrates by electroless deposition, J. Semiconductors, 2011, 32(4): 046001
12. Feng Rao, Kun Ren, Yifeng Gu, Zhitang Song, Liangcai Wu, Xilin Zhou, Bo Liu, Songlin Feng, Bomy Chen. Nano composite Si2Sb2Te film for phase change memory, Thin Solid Films, 2011, 519(16): 5684-5688
13. Kun Ren, Feng Rao, Zhitang Song, Yan Cheng, Liangcai Wu, Xilin Zhou, Yuefeng Gong, Mengjiao Xia, Bo Liu and Songlin Feng. Study on the crystallization behaviors of Si2Sb2Tex materials, Scripta Materialia, 2011, 64(7): 685-688 

2010年
14. Liangyong Wang, Bo Liu, Zhitang Song, Songlin Feng, Yanghui Xiang, and Fuxiong Zhang. Basic wet-etching solutions for Ge2Sb2Te5 phase change material, J. Electrochemical Society, 2010, 157(4): H470-H473
15. Sannian Song, Zhitang Song, Bo Liu, Liangcai Wu, Songlin Feng. Ge2Sb2Te5 and PbZr0.30Ti0.70O3 composite films for application in phase change random access memory, Mater. Lett., 2010, 64(3): 317-319
16. Sannian Song, Zhitang Song, Bo Liu, LiangcaiWu, and Songlin Feng. Performance improvement of phase-change memory cell with Ge2Sb2Te5-HfO2 composite films, Appl. Phys. A, 2010, 99(4): 767-770
17. Yifeng Gu, Zhitang Song, Ting Zhang, Bo Liu, Songlin Feng. Novel phase-change material GeSbSe for application of three-level phase-change random access memory, Solid-State Electronics, 2010, 54(4): 443-446 
18. Yifeng Gu, Ting Zhang, Zhitang Song, Bo Liu, Songlin Feng. Low-consumption phase change material with good data retention selected from SbxTe, J. Nanoscience and Nanotechnology, 2010, 10(11): 7040-7044 
19. Chen Yi-Feng, Song Zhi-Tang, Chen Xiao-Gang, Liu Bo, Xu Cheng, Feng Gao-Ming, Wang Liang-Yong, Zhong Min, Feng Song-Lin. Enhanced performance of phase change memory cell element by initial operation and non-cumulative programming, Chin. Phys. Lett., 2010, 27(10): 107302
20. Sannian Song, Zhitang Song, Yegang Lu, Bo Liu, Liangcai Wu, Songlin Feng. Sb2Te3-Ta2O5 nano-composite films for low-power phase-change memory application, Mater. Lett., 2010, 64(24): 2728-2730 
21. Yifeng Gu, Ting Zhang, Zhitang Song, Yanbo Liu, Bo Liu, Songlin Feng. Characterization of the properties for phase-change material GeSb, Appl. Phys. A, 2010, 99(1): 205-209
22. Kun Ren, Feng Rao, Zhitang Song, Liangcai Wu, Xilin Zhou, Bo Liu, Songlin Feng, Wei Xi, and Bomy Chen. Phase change memory cell using Si2Sb2Te3 material, Jpn. J. Appl. Phys., 2010, 49(8): 080212 
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25. Ren Kun, Rao Feng, Song Zhi-Tang, Wu Liang-Cai, Zhou Xi-Lin, Xia Meng-Jiao, Liu Bo, Feng Song-Lin, Xi Wei, Yao Dong-Ning, Chen Bomy. Si3.5Sb2Te3 phase change material for low-power phase change memory application, Chin. Phys. Lett., 2010, 27(10): 108101
26. Liangcai Wu, Xilin Zhou, Zhitang Song, Yan Liu, Henan Ni, Yuefeng Gong, Feng Rao, Donglin Yao, Bo Liu, Sannian Song, and Songlin Feng. Study of phase change memory cell with inserting buffer layer, Phys. Status Solidi C, 2010, 7(3–4): 1207-1210

2009年
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28. WANG Liang-Yong, LIU Bo, SONG Zhi-Tang, FENG Song-Lin. Cation effect on copper chemical mechanical polishing, Chin. Phys. Lett., 2009, 26(2): 028103
29. Gaoming Feng, Bo Liu, Zhitang Song, Shilong Lv, Liangcai Wu, Songlin Feng, Bomy Chen. Dry etching of nanosized Ge1Sb2Te4 patterns using TiN hard mask for high density phase-change memory, J. Nanoscience and Nanotechnology, 2009, 9(2): 1526-1529
30. Liangyong Wang, Bo Liu, Zhitang Song, Songlin Feng, Zhen Zhou, Yanghui Xiang, Fuxiong Zhang. Atomic vapor deposition of tin with diluted tetrakis (diethylamido) titanium (TDEAT) for phase change memory, ECS Transactions, 2009, 22(1): 167-173
31. Min Zhong, Zhitang Song, Bo Liu, Yifeng Chen, Yuefeng Gong, Feng Rao, Songlin Feng, Fuxiong Zhang and Yanghui Xiang. The effect of annealing and chemical mechanical polishing on Ge2Sb2Te5 phase change memory, Scripta Materialia, 2009, 60(11): 957-959
32. Ting Zhang, Zhitang Song, Bo Liu, Feng Wang, and Songlin Feng. O-doped Si2Sb2Te5 nano-composite phase change material for application of chalcogenide random access memory, J. Nanoscience and Nanotechnology, 2009, 9(2): 1090-1093 
33. Sheng Ding, Zhitang Song, Bo Liu, Daolin Cai, Xiaogang Chen, Yifeng Chen, Min Zhong, Gaoming Feng, Cheng Xu, Songlin Feng, Zhifeng Xie, Zuoya Yang, Xudong Wan, Fuxiong Zhang, Guanping Wu, Yanghui Xiang. A 16Kb phase change memory test chip with 0.18 μm process, ECS Transactions, 2009, 22(1): 133-144
34. Gaoming Feng, Zhitang Song, Bo Liu, Songlin Feng, Baoming Chen. Dry etching of nanosized Si2Sb2Te5 patterns using TiN hard mask for high density phase-change memory, ECS Transactions, 2009, 22(1): 145-150
35. Min Zhong, Zhitang Song, Bo Liu, Songlin Feng, Fuxiong Zhang, Yanghui Xiang. Effect of Ge2Sb2Te5 material properties on its CMP process, ECS Transactions, 2009, 22(1): 161-166
36. Min Zhong, Zhi-Tang Song, Bo Liu, Song-Lin Feng, Zhi-Feng Xie, Fu-Xiong Zhang and Yang-Hui Xiang. Investigation on chemical mechanical polishing of GeSbTe for high density phase change memory, ECS Transactions, 2009, 18(1): 429-434
37. Yuefeng Gong, Zhitang Song, Yun Ling, Bo Liu, Yan Liu, Sheng Ding, Songlin Feng. Simulation of set process in phase-change random access memory by three-dimension finite element modeling, ECS Transactions, 2009, 22(1): 239-247
38. Xilin Zhou, Liangcai Wu, Zhitang Song, Feng Rao, Bo Liu, Dongning Yao, Weijun Yin, Juntao Li, Songlin Feng, and Bomy Chen. Si2Sb2Te6 phase change material for low-power phase change memory application, Appl. Phys. Express, 2009, 2: 091401
39. Ke Wang, Xiaodong Han, Ze Zhang, Liangcai Wu, Bo Liu, Zhitang Song, Songlin Feng. Achieving multiple resistance states in phase-change memory cell, Jpn. J. Appl. Phys., 2009, 48(7): 074501 
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2008年
42. Jie Shen, Bo Liu*, Zhitang Song, Cheng Xu, Shuang Liang, Songlin Feng and Bomy Chen. The microstructure investigation of GeTi thin film used for non-volatile memory, Appl. Surf. Sci., 2008, 254(15): 4638-4643
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44. Cheng Xu, Bo Liu, Zhitang Song, Songlin Feng, Bomy Chen. Reactive-ion etching of Sn-doped Ge2Sb2Te5 in CHF3/O2 plasma for non-volatile phase-change memory device, Thin Solid Film, 2008, 516(21): 7871-7874
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46. XU Cheng, LIU Bo, CHEN Yi-Feng, LIANG Shuang, SONG Zhi-Tang, FENG Song-Lin, WAN Xu-Dong, YANG Zuo-Ya, XIE Joseph, CHEN Bomy. Switching characteristics of phase change memory cell integrated with metal-oxide semiconductor field effect transistor, Chin. Phys. Lett., 2008, 25(5): 1848-1849
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50. FENG Gao-Ming, SONG Zhi-Tang, LIU Bo, FENG Song-Lin, WAN Xu-dong. Properties of seamless W sub-micro electrode used for phase change memory, Chin. Phys. Lett., 2008, 25(6): 2289-2291 
51. Ting Zhang, Zhitang Song, Bo Liu and Songlin Feng. Investigation of environmental friendly Te-free SiSb material for applications of phase-change memory, Semiconductor Science and Technology, 2008, 23(5): 055010 
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53. Cheng Xu, Zhitang Song, Bo Liu, Songlin Feng, Bomy Chen. Lower current operation of phase change memory cell with a thin TiO2 layer, Appl. Phys. Lett., 2008, 92: 062103
54. Ting Zhang, Yan Cheng, Zhitang Song, Bo Liu, Songlin Feng, Xiaodong Han, Ze Zhang and Bomy Chen. Comparison of the crystallization of Ge-Sb-Te and Si-Sb-Te in a constant-temperature annealing process, Scripta Materialia, 2008, 58(11): 977-980
55. Ting Zhang, Zhitang Song, Mingda Sun, Bo Liu, Songlin Feng, Bomy Chen. Investigation of electron beam induced phase change in Si2Sb2Te5 film, Appl. Phys. A, 2008, 90(3): 451-455 
56. L. C. Wu, Z. T. Song, F. Rao, Y. F. Gong, B. Liu, L. Y. Wang, W. L. Liu, and S. L. Feng. Performance improvement of phase-change memory cell with cup-shaped bottom electrode contact, Appl. Phys. Lett., 2008, 93: 103107 
57. Feng Rao, Zhitang Song, Yuefeng Gong, Liangcai Wu, Bo Liu, Songlin Feng, and Bomy Chen. Phase change memory cell using tungsten trioxide bottom heating layer, Appl. Phys. Lett., 2008, 92: 223507 
58. Feng Wang, Ting Zhang, Zhitang Song, Chunliang Liu, Liangcai Wu, Bo Liu, Songlin Feng, and Bomy Chen. Temperature influence on electrical properties of Sb–Te phase-change material, Jpn. J. Appl. Phys., 2008, 47(2): 843-846
59. Feng Wang, Ting Zhang, Chun-liang Liu, Zhi-tang Song, Liang-cai Wu, Bo Liu, Song-lin Feng and Bomy Chen. Au doped Sb3Te phase-change material for C-RAM device, Appl. Surf. Sci., 2008, 254(8): 2281-2284 
60. Ting Zhang, Zhitang Song, Yuefeng Gong, Yun Lin, Cheng Xu, Yifeng Chen, Bo Liu, and Songlin Feng. Phase change memory based on Ge2Sb2Te5 capped between poly-germanium layers, Appl. Phys. Lett., 2008, 92: 113503
61. Y. Cheng, X. D. Han, X. Q. Liu, K. Zheng, Z. Zhang, T. Zhang, Z. T. Song, B. Liu, and S. L. Feng. Self-extrusion of Te nanowire from Si–Sb–Te thin films, Appl. Phys. Lett., 2008, 93: 183113
62. Yanbo Liu, Xiaoming Niu, Zhitang Song, Guoquan Min, Weimin Zhou, Jing Zhang, Ting Zhang, Bo Liu, Yongzhong Wan, Xiaoli Li, Jianping Zhang, Songlin Feng. Array with phase change material Si2Sb2Te5 fabricated by UV-imprint lithography, Proceedings of SPIE, 2008, 7125: 71251X
63. 刘波,宋志棠,封松林。相变随机存储器材料与结构设计最新进展,半导体技术,2008,33(9):737-742
64. 徐成,刘波,冯高明,吴良才,宋志棠,封松林,Bomy Chen。基于Sn掺杂Ge2Sb2Te5的相变存储器器件单元存储性能,功能材料与器件学报,2008,14(3): 609-613
65. 宋志棠,刘波,封松林。纳米相变存储技术研究进展,功能材料与器件学报,2008, 14(1): 14-18
66. 沈菊,宋志棠,刘波,封松林。相变存储器驱动电路的设计与实现,半导体技术,2008,33(5):431-434
67. 王珂,韩晓东,张泽,张挺,宋志棠,刘波,封松林。基于相变材料GST记忆存储单元的电子显微学研究,电子显微学报,2008,27(S1):3-4
68. 成岩,韩晓东,张泽,张挺,宋志棠,刘波,封松林。电子束诱发相变材料Si1Sb2Te4晶化的原位TEM研究,电子显微学报,2008,27(S1):12 
69. 黄晓芳,成岩,韩晓东,张泽,张挺,宋志棠,刘波,封松林。原位电子束诱发新型相变存储材料Si5Sb95的晶化,电子显微学报,2008,27(S1):9-10 

2007年
70. LIU Bo, FENG Gao-Ming, WU Liang-Cai, SONG Zhi-Tang, LIU Qi-Bin, FENG Song-Lin, and CHEN Bomy. Chalcogenide random access memory cell with structure of W sub-microtube heater electrode, Chin. Phys. Lett., 2007, 24(1): 262-264
71. Bo Liu, Zhitang Song, Songlin Feng, and Bomy Chen. Current-voltage characteristic of C-RAM nano-cell-element, Solid State Phenomena, 2007, 121-123: 591-594 
72. Jialin Yu, Bo Liu, Ting Zhang, Zhitang Song, Songlin Feng, and Bomy Chen. Properties of Ge-doped Sb2Te3 phase-change thin film, Appl. Surf. Sci., 2007, 253(14): 6125-6129 
73. Gaoming Feng, Bo Liu, Zhitang Song, Songlin Feng, Bomy Chen. Reactive-ion etching of Ge2Sb2Te5 in CHF3/O2 plasma for non-volatile phase-change memory device, Electrochemical and Solid-State Letters, 2007, 10(5): D47-D50 
74. Liangcai Wu, Zhitang Song, Bo Liu, Ting Zhang, Feng Rao, Jie Shen, Feng Wang, Songlin Feng. Multiple phase-transition in Ge2Sb2Te5 based phase change memory cell by current–voltage measurement, J. Non-Crystalline Solids, 2007, 353(44-46): 4043-4047 
75. Ting Zhang, Zhitang Song, Bo Liu, Gaoming Feng, Songlin Feng, Bomy Chen. Effect of structural transformation on the electrical properties for Ge1Sb2Te4 thin film, Thin Solid Films, 2007, 516(1): 42-46
76. Zhang Ting, Song Zhi-Tang, Liu Bo, Liu Wei-Li, Feng Song-Lin, Chen Bomy. Si1Sb2Te3 phase change material for chalcogenide random access memory, Chin. Phys., 2007, 16(8): 2475-2478
77. Jialin Yu, Zhitang Song, Bo Liu, Songlin Feng, and Bomy Chen. First-principles study of equilibrium properties and electronic structures of GeTe-Sb2Te3 pseudobinary crystalline films, Jpn. J. Appl. Phys., 2007, 46(7A): 4215-4219 
78. Ting Zhang, Zhitang Song, Bo Liu, Songlin Feng, Bomy Chen. Investigation of phase change Si2Sb2Te5 material and its application in chalcogenide random access memory, Solid-State Electronics, 2007, 51(6): 950-954 
79. WU Liang-Cai, SONG Zhi-Tang, LIU Bo, RAO Feng, XU Cheng, ZHANG Ting, YIN Wei-Jun, FENG Song-Lin. Remarkable resistance change in plasma oxidized TiOx/TiNx film for memory application, Chin. Phys. Lett., 2007, 24(4): 1103-1105 
80. Ting Zhang, Zhitang Song, Bo Liu, Songlin Feng, Bomy Chen. Investigation of compositional gradient phase change SixSb2Te3 thin films, Jpn. J. Appl. Phys., 2007, 46(3): L70-L73 
81. Jie Shen, Cheng Xu, Bo Liu, Zhitang Song, Liangcai Wu, Songlin Feng, Bomy Chen. Reversible resistance switching of GeTi thin film used for non-volatile memory, Jpn. J. Appl. Phys., 2007, 46(1): L1-L3
82. Ting Zhang, Zhitang Song, Feng Wang, Bo Liu, Songlin Feng, and Bomy Chen. Advantages of SiSb phase change material and its applications in phase change memory, Appl. Phys. Lett., 2007, 91: 222102 
83. Feng Rao, Zhitang Song, Liangcai Wu, Bo Liu, Songlin Feng, and Bomy Chen. Investigation on the stabilization of the median resistance state for phase change memory cell with doublelayer chalcogenide films, Appl. Phys. Lett., 2007, 91: 123511 
84. Ting Zhang, Zhitang Song, Feng Wang, Bo Liu, Songlin Feng, and Bomy Chen. Te-free SiSb phase change material for high data retention phase change memory application, Jpn. J. Appl. Phys., 2007, 46(25): L602-L604
85. ZHANG Ting, SONG Zhi-Tang, FENG Gao-Ming, LIU Bo, WU Liang-Cai,FENG Song-Lin, CHEN Bomy. Ge1Sb2Te4 based chalcogenide random access memory array fabricated by 0.18-μm CMOS technology, Chin. Phys. Lett., 2007, 24(3): 790-792
86. Ting Zhang, Zhitang Song, Feng Rao, Gaoming Feng, Bo Liu, Songlin Feng, Bomy Chen. High speed chalcogenide random access memory base on Si2Sb2Te5, Jpn. J. Appl. Phys., 2007, 46(11): L247-L249 
87. Feng Rao, Zhitang Song, Min Zhong, Liangcai Wu, Gaoming Feng, Bo Liu, Songlin Feng, and Bomy Chen. Multilevel data storage characteristics of phase change memory cell with double-layer chalcogenide films (Ge2Sb2Te5 and Sb2Te3), Jpn. J. Appl. Phys., 2007, 46(2): L25-L27 
88. 刘波,宋志棠,封松林。我国相变存储器的研究现状与发展前景,微纳电子技术,2007,44(2):55-61
89. 冯高明,刘波,吴良才,宋志棠,封松林,陈宝明。用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能,半导体学报,2007,28(7):1134-1138 
90. 梁爽,宋志棠,刘波,陈小刚,封松林。相变存储器测试系统中的脉冲信号的改善,计算机测量与控制,2007,15(10):1281-1282, 1294
91. 沈菊,宋志棠,刘波,封松林,朱加兵。一种高精度CMOS带隙基准电压源设计,半导体技术,2007,32(9):792-795
92. 梁爽,宋志棠,刘波,封松林。相变存储器单元阵列的自动化演示系统,微计算机信息,2007,23(7-2):4-5, 37 

2006年
93. WU Liang-Cai, LIU Bo, SONG Zhi-Tang, FENG Gao-Ming, FENG Song-Lin, CHEN Bomy. Total dose radiation tolerance of phase change memory cell with GeSbTe alloy, Chin. Phys. Lett., 2006, 23(9): 2557-2559
94. Xu Jia-Qing, Liu Bo, Song Zhi-Tang, Feng Song-Lin and Chen Bomy. Study on the delamination of tungsten thin films on Sb2Te3, Chin. Phys., 2006, 15(8): 1849-1854 
95. Jiaqing Xu, Bo Liu, Zhitang Song, Songlin Feng and Bomy Chen. Crystallization and C-RAM application of Ag-doped Sb2Te3 material, Materials Science & Engineering B, 2006, 127(2-3): 228-232
96. 刘波,宋志棠,封松林,Bomy Chen。硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响,半导体学报,2006,27(增刊):158-160 
97. 夏吉林,刘波,宋志棠,封松林。制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响,半导体学报,2006,27(增刊):155-157
98. 梁爽,宋志棠,刘波,陈小刚,封松林。相变存储器器件单元测试系统,半导体技术,2006,31(8): 614-617 
99. 孙明达,韩晓东,张晓娜,张泽,刘波,宋志棠,封松林。原位电子束诱导碲化锑(Sb2Te3)及硅掺杂的晶化,电子显微学报,2006,25(S1):19-20

2005年
100. Bo Liu, Zhitang Song, Songlin Feng, and Bomy Chen. Characteristics of chalcogenide nonvolatile memory nano-cell-element based on Sb2Te3 material, Microelectronic Engineering, 2005, 82(2): 168-174
101. Bo Liu, Zhitang Song, Songlin Feng, and Bomy Chen. Structure and sheet resistance of boron-implanted Ge2Sb2Te5 phase change film, Material Science Engineering B, 2005, 119(2): 125-130
102. Bo Liu, Zhitang Song, Ting Zhang, Jilin Xia, Songlin Feng, and Bomy Chen. Effect of N-implantation on the structural and electrical characteristics of Ge2Sb2Te5 phase change film, Thin Solid Films, 2005, 478(1-2): 49-55
103. LIU Bo, SONG Zhi-Tang, FENG Song-Lin, and CHEN Bomy. Reversible phase change for C-RAM nano-cell-element fabricated by focused ion beam method, Chin. Phys. Lett., 2005, 22(3): 758-761
104. Bo Liu, Zhitang Song, Ting Zhang, Songlin Feng, Bomy Chen. Effect of O-implantation on the structure and resistance of Ge2Sb2Te5 film, Appl. Surf. Sci., 2005, 242(1-2): 62-69 
105. XU Cheng, LIU Bo, SONG Zhi-Tang, FENG Song-Lin, and CHEN Bomy. Characteristics of Sn-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase-change memory, Chin. Phys. Lett., 2005, 22(11): 2929-2932 
106. ZHANG Ting, LIU Bo, SONG Zhi-Tang, LIU Wei-Li, FENG Song-Lin, and CHEN Bomy. Phase transition phenomena of ultra-thin Ge2Sb2Te5 film, Chin. Phys. Lett., 2005, 22(7): 1803-1805
107. XIA Ji-lin, LIU Bo, SONG Zhi-Tang, FENG Song-Lin, and CHEN Bomy. Electrical properties of Ag-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase change random access memory, Chin. Phys. Lett., 2005, 22(4): 934-937
108. 刘波,宋志棠,封松林。相变型半导体存储器研究进展,物理,2005,34(4): 279-286 

2004年
109. Liu Bo, Song Zhi-Tang, Zhang Ting, Feng Song-Lin, Chen Bomy. Raman spectra and XPS studies of Ge2Sb2Te5 phase change film, Chin. Phys., 2004, 13(11): 1947-1950
110. LIU Bo, SONG Zhi-Tang, FENG Song-Lin, and CHEN Bomy. Single cell element of chalcogenide-random access memory fabricated by focused ion beam method, Chin. Phys. Lett., 2004, 21(10): 2054-2056 
111. Liu Bo, Song Zhi-Tang, Zhang Ting, Feng Song-Lin, Gan Fu-Xi. Novel material for nonvolatile Ovonic Unified Memory (OUM) – Ag11In12Te26Sb51 phase change semiconductor, Chin. Phys., 2004, 13(7): 1167-1170
112. Bo Liu, Ting Zhang, Jilin Xia, Zhitang Song, Songlin Feng, Bomy Chen. Nitrogen-implanted Ge2Sb2Te5 film used as multilevel storage media for phase change random access memory, Semiconductor Science and Technology, 2004, 19(6): L61-L64
113. LIU Bo, SONG Zhi-Tang, FENG Song-Lin, and CHEN Bomy. Effect of annealing temperature on the microstructure and resistivity of Ge2Sb2Te5 film, Chin. Phys. Lett., 2004, 21(6): 1143-1146 
114. ZHANG Ting, LIU Bo, XIA Ji-lin, SONG Zhi-Tang, FENG Song-Lin, and CHEN Bomy. Structure and electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin film used for Ovonic Unified Memory, Chin. Phys. Lett., 2004, 21(4): 741-743
115. Bo Liu, Zhitang Song, Ting Zhang, Songlin Feng, Bomy Chen. Effect of oxygen implantation on the characteristic of Ge2Sb2Te5 phase change film, Proceedings of SPIE, 2004, 5774: 287-290
116. 封松林,宋志棠,刘波,刘卫丽。硫系化合物随机存储器研究进展,微纳电子技术,2004,41(4):1-7, 39 

2003年
117. Liu Bo and Gan Fuxi. Optical properties and crystallization of AgInTeSbGe phase-change optical disk media, Appl. Phys. A, 2003, 77(7): 905-909
118. Liu Bo, Ruan Hao, and Gan Fuxi. Laser-induced changes on the complex refractive indices of phase-change thin film, Opt. Eng., 2003, 42(9): 2702-2706 119. Liu Bo, Ruan Hao, and Gan Fu-Xi. Study on short-wavelength and high-numerical-aperture phase-change recording, Chin. Phys., 2003, 12(1): 107-111
120. Liu Bo, Ruan Hao, Gan Fuxi, and Chen Jing. Crystallization of Ge-doped AgInTeSb phase-change optical disk media, Proceedings of SPIE, 2003, 5060: 171-174
121. 刘波,阮昊,干福熹。相变光盘介电层ZnS-SiO2薄膜的性能研究,无机材料学报,2003,18(1): 190-194
122. 刘波,阮昊,干福熹。蓝光相变光盘的多层膜结构设计,光学学报,2003,23(12): 1513-1517 
123. Liu Bo, Ruan Hao, and Gan Fuxi. Microstructure and optical property of ZnS-SiO2 thin films for phase-change optical disks, ACTA PHOTONICA SINICA,2003,32(7): 834-836
124. 刘波,干福熹。高密度双层记录光盘研究进展,激光与红外,2003,33(3): 167-171 
125. 顾四朋,侯立松,刘波,陈静。氧杂质及热处理过程对Ge-Sb-Te薄膜的光学性质和晶体结构的影响,中国激光,2003,30(12): 1111-1115 

2002年
126. Liu Bo, Ruan Hao, and Gan Fu-Xi. Crystallization of Ge2Sb2Te5 phase change optical disk media, Chin. Phys., 2002, 11(3): 293-297
127. 刘波,王豪,阮昊,干福熹。C60膜上金刚石的成核与生长形貌研究,人工晶体学报, 2002, 31(2): 153-157 
128. 刘波,阮昊,干福熹。激光致溅射沉积Ge2Sb2Te5薄膜的结晶行为研究,无机材料学报,2002,17(3): 637-640
129. 刘波,阮昊,干福熹。非晶Ag11In12Te26Sb51薄膜的结晶行为研究,材料研究学报,2002,16(4): 413-417 
130. 刘波,阮昊,干福熹。初始化条件对Ge2Sb2Te5相变光盘反射率和载噪比的影响,中国激光,2002,A29(7): 643-646 
131. 刘波,阮昊,干福熹。可擦重写相变光盘的研究进展,激光与红外,2002,32(2): 70-73
132. 刘波,阮昊,干福熹。激光致晶态Ge2Sb2Te5相变介质光学常数的研究,半导体学报,2002,23(5): 479-483
133. 刘波,阮昊,干福熹。激光致晶态 Ag11In12Te26Sb51相变介质光学常数的研究,光学学报,2002,22(10): 1266-1270
134. 刘波,阮昊,干福熹。新一代高密度数字多用光盘(HD-DVD)研究进展,物理,2002,31(12): 784-788
135. 刘波,阮昊,干福熹。光盘反射层纳米Al膜性能研究,光电子•激光,2002, 13(10): 987-990 
136. 顾四朋,侯立松,刘波,陈静。掺杂氧的相变薄膜的光学性质,光学学报,2002,22(9): 1137-1140 

2001年
137. 刘波,阮昊,干福熹。初始化条件对Ag11In12Te26Sb51相变光盘反射率和载噪比的影响,激光与红外,2001,31(6): 370-373 

2000年
138. 刘波,王豪。C60薄膜的热处理性能研究,无机材料学报, 2000, 15(5): 957-960
139. 刘波,王豪。硅基片上C60薄膜的生长特性和结构特性研究,人工晶体学报, 2000, 29(2): 147-151
140. 刘波,王豪。C60与金刚石薄膜成核关系的研究,光电子技术, 2000, 20(2): 116-121

科研活动

   
作为负责人承担的科研项目
1. 国家纳米重大科学研究计划(973)项目,“相变存储器规模制造技术关键基础问题研究” (2010CB934300),2010.1-2014.8
2. 上海市青年科技启明星跟踪项目,“PCRAM相变材料刻蚀与抛光工艺及机理研究”(09QH1402600),2009.7-2011.6
3. 国家863重点项目子课题,“相变随机存储器存储材料及关键技术”(2008AA031402),2008.12-2010.12
4. 国家863计划,“C-RAM芯片关键技术研究”(2006AA03Z360),2006. 12-2008. 12
5. 国家自然科学基金项目,“CRAM新型存储材料GeTi及其存储机理研究”(60706024),2008. 1-2008. 12
6. 上海市科委“登山行动计划”项目研发基地配套专项项目,“高密度C-RAM纳米加工工艺研究”(06DZ22017),2006. 10-2008. 9
7. 上海市科学技术发展基金基础计划处青年科技启明星计划项目,“C-RAM器件关键纳米加工工艺研究” (06QA14060),2006. 7-2008. 6
8. 上海市科学技术发展基金基础计划处重点项目,“硫系化合物相变材料的P/N型特性研究”(05JC14076),2005. 10-2007. 9
9. 上海市自然科学基金项目,“新型C-RAM相变材料制备工艺及其性能表征”(04ZR14154),2004. 11-2006. 12
10. 上海市科学技术发展基金纳米技术专项, “纳电子器件C-RAM关键材料制备工艺”(0352nm016),2003. 10-2005. 9
11. 中国博士后科学基金会(China Postdoctoral Foundation-2003034308)资助项目,“纳电子器件C-RAM关键材料-硫系化合物薄膜的制备工艺”,2003-2005
12. 中国科学院王宽诚博士后工作奖励基金(K. C. Wong Education Foundation, Hong Kong)资助(20030916104305),2003-2005
作为骨干承担的科研项目
1. 上海市科学技术发展基金纳米技术专项,“12英寸PCRAM工程化关键纳米加工技术研究”(1052nm07000),2010. 3-2012. 6
2. 国家集成电路重大专项项目,“65-45-32纳米成套工艺研发与产业化”(2009ZX02023)子课题“45nm相变存储器工程化关键技术与应用”(2009ZX02023-003),2009.1-2011.12
3. 上海市“科技创新行动计划”研发基地建设项目,“8英寸相变存储器工艺平台关键技术研究”(08DZ2200700),2008.7-2010.9
4. 上海市科委AM基金项目,“新型相变存储器用无Te高速低功耗相变材料及器件的研究”(07SA08),2008.1-2009.6
5. 国家纳米重大科学研究计划(973)项目,“基于纳米结构的相变机理及嵌入式PCRAM应用基础研究” (2007CB935400),3276.33万,课题“PCRAM的纳米共性技术研究” (2007CB935404),2007.7-2011.8
6. 上海市科学技术发展基金纳米技术专项,“高密度PCRAM存储单元及其集成技术研究”(0752nm013),2007. 9-2009. 8
7. 国家973项目,“纳米尺度硅基集成电路中新材料的基础研究”(2006CB302706),2006.9-2010.12
8. 上海市科学技术发展基金纳米技术专项,“C-RAM芯片设计和关键制备技术研究”(0652nm003),2006. 10-2008. 9
9. 中国科学院JGZC项目,“相变存储器(C-RAM)材料与芯片技术研究”(61501050405),2006. 1-2008. 12
10. 中国科学院科研装备研制和改造项目,“多功能磁控等离子体工艺系统”(Y2005027),2005. 12-2007. 7
11. 上海市科学技术发展基金基础计划处优秀学科带头人计划项目,“新型纳米相变材料及其相变机理研究”(06XD14025),2006. 10-2008. 9
12. 上海市科学技术发展基金AM基金项目,“用于相变存储器器件单元制备的电子束纳米光刻工艺研究”(AM0517),2005-2007
13. 与SST(Silicon Storage Technology)的国际合作项目,“ C—RAM的研究”,2003-2009
14. 上海市科学技术发展基金纳米技术专项,“C-RAM器件单元制备工艺及关键测试、演示系统研究”(0452nm012),2004. 10-2006. 7
15. 中国科学院科技创新基金项目,“相变型存储器C-RAM关键材料制备与器件工艺探索”(CXJJ-124),2004. 10-2005. 9
16. 国家863计划,“纳米C-RAM集成器件关键技术研究” (2004AA302G20),2004. 7-2006. 3
17. 上海市科学技术发展基金重点实验室专项资金计划,“相变半导体存储器关键技术研究”(04DZ05612),2004. 7-2006. 6
18. 国家863计划,“纳电子器件C-RAM关键技术研究”(2003AA302720),2003. 7-2005. 11
19. 上海市科学技术发展基金纳米技术专项,“纳米半导体薄膜材料加工测试平台”(0359nm204),2003. 1-2004. 8
20. 国家自然科学基金资助项目,“CVD金刚石过程中C60的伴生研究”(59682005),1997-1999 
21. 中国科学院九五攻关项目“新型高密度光盘存储材料和技术的基础研究”(KJ951-B1-701)
22. “九五”国家自然科学基金重大项目“蓝绿光高密度光盘存储材料研究”(59832060)
23. 上海市科学技术发展基金项目,“超高密度数字信息存储的物理基础和关键技术研究”(99JC14009)
参加会议目录
1. Ying Li, Xudong Wan, Zhitang Song, Joseph Xie, Bomy Chen, Bo Liu, Guanping Wu, Nanfei Zhu, Jia Xu, Min Zhong. A phase change memory device fabrication technology using Si2Sb2Te6 for low power consumption application, China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC) 2011, Symposium IX: Emerging Semiconductor Technologies, March 13-14, 2011, Shanghai, China
2. Ting Zhang, Zhitang Song, Bo Liu, Yifeng Gu, Songlin Feng, Martin Salinga, and Matthias Wuttig. Binary SbTe phase diagrams developed by material library technique, 2009 European symposium on Phase Change and Ovonic Science (E/PCOS2009), 6-8 September, 2009, Aachen, Germany 
3. L. C. Wu, X. L. Zhou, Z. T. Song, Y. Liu, H. N. Ni, Y. F. Gong, F. Rao, D. L. Yao, B. Liu, S. N. Song and S. L. Feng. Study of phase change memory cell with inserting buffer layer, 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, 23-28 August, 2009,Utrecht, Netherlands 
4. L. C. Wu, Z. T. Song, X. L. Zhou, Y. F. Chen, F. Rao, B. Liu, W. L. Liu, D. L. Yao, Y. Q. Zhu and S. L. Feng. Au irradiation study of phase change memory cell with GeSbTe alloy, NanoChina 2009, 3 September, 2009, Beijing, China 
5. Ting Zhang, Bo Liu, Yanbo Liu, Zhitang Song and Songlin Feng, Bomy Chen. Preparation and characterization of SixSb2Te3 nano-composite phase change materials, 8th International Symposium on Optical Storage/2008 International Workshop on Information Data Storage (ISOS/IWIDS 2008), 24-27 November, 2008, Wuhan, China
6. Min Zhong, Zhitang Song, Bo Liu, Songlin Feng, Joseph Xie, Seanf Zhang, Oliver Xiang, Jing Lin, Bomy Chen. Ge2Sb2Te5 material properties effect on its CMP process for phase change memory (PCM) application, 8th International Symposium on Optical Storage/2008 International Workshop on Information Data Storage (ISOS/IWIDS 2008), 24-27 November, 2008, Wuhan, China 
7. Liangyong Wang, Liangcai Wu, Zhitang Song, Bo Liu, Yifeng Chen, Songlin Feng, Bomy Chen. Low power operation and multiple-state storage phase change memory with double chalcogenide films, 8th International Symposium on Optical Storage/2008 International Workshop on Information Data Storage (ISOS/IWIDS 2008), 24-27 November, 2008, Wuhan, China 
8. Gaoming Feng, Bo Liu, Zhitang Song, Songlin Feng, Bomy Chen. A novel method of Ge2Sb2Te5 deposition for non-volatile phase-change memory device, 8th International Symposium on Optical Storage/2008 International Workshop on Information Data Storage (ISOS/IWIDS 2008), 24-27 November, 2008, Wuhan, China 
9. Cheng Xu, Bo Liu, Gaoming Feng, Min Zhong, Zhitang Song, Songlin Feng. Novel combination of etching and CMP process for phase change memory device fabrication, 8th International Symposium on Optical Storage/2008 International Workshop on Information Data Storage (ISOS/IWIDS 2008), 24-27 November, 2008, Wuhan, China 
10. Ke Wang, Cheng Xu, Xiaodong Han, Bo Liu and Ze Zhang. Synthesis and characterization of phase transition memory devices with extra-thin Ge2Sb2Te5 layer, MRS International Materials Research Conference, Symposium D: Electronic Materials, June 9-12, 2008, Chongqing, China, D4.6
11. Yan Cheng, Xiaodong Han, Ze Zhang, Ting Zhang, Zhitang Song, Bo Liu and Songlin Feng. Investigation of heat induced phase change in Si2Sb2Te5 material, MRS International Materials Research Conference, Symposium D: Electronic Materials, June 9-12, Chongqing, China, 2008, D4.7
12. Yanbo Liu, Xiaoli Li, Weimin Zhou, Xiaoming Niu, Zhitang Song, Min Guoquan, Bo Liu, Gaoming Feng, Cheng Xu, Yongzhong Wan, Jing Zhang. Fabrication of the Si2Sb2Te5 phase change cell structure for PCRAM by using UV nanoimprint lithography, 2nd IEEE International Nanoelectronics Conference, 2008. INEC 2008., 24-27 March 2008, Page(s): 807-810
13. 刘波。相变存储器工程化关键技术开发,中国科协第226次青年科学家论坛暨国家自然科学基金委半导体学科发展战略研讨会议,2010年11月26-28日,湖南(特邀报告)
14. 顾怡峰、宋志棠、张挺、刘波、封松林。合金靶溅射与共溅射制备的SiSb2Te5性能区别,《放大看纳米-2008年上海纳米科技与产业发展研讨会论文选》,上海大学出版社,2009年8月,157-163
15. 刘波。新型半导体存储器-相变随机存储器,中国科学院青年科技人才创新论坛,2008年5月23日,北京(特邀报告)
16. Gaoming Feng, Bo Liu, Zhitang Song, Shilong Lv, Liangcai Wu, Songlin Feng, Bomy Chen. Dry etching of nanosized Si2Sb2Te5 patterns using TiN hard mask for high density phase-change memory, SINCS 2007, November 21-23, Shanghai, China 
17. Zhitang Song, Bo Liu, Songlin Feng. Research development of nano phase change storage technology, SINCS 2007, November 21-23, Shanghai, China 
18. Bo Liu, Zhitang Song, Songlin Feng, and Bomy Chen. Characteristics of Sb2Te3 phase-change material used for nonvolatile chalcogenide random access memory, E-MRS 2005 Spring Meeting, 31 May-3 June, 2005, Strasbourg France 
19. Bo Liu, Zhitang Song, Songlin Feng, and Bomy Chen. Fabrication and characteristic of cell element for chalcogenide-random access memory, APNF 2004 “SINCS 04”, December 9-12, 2004, Shanghai China: 334-338 
20. 刘波,宋志棠,封松林。相变存储器最新研究进展,第三界上海纳米科技与产业发展研讨会,2006年5月17-18日,上海: 128-134(特邀报告)
21. 刘波,宋志棠,封松林。相变型半导体存储器(C-RAM)的最新研究进展,上海市半导体材料专业委员会年会,2005年12月13日,上海科技会堂(特邀报告)
22. 刘波,宋志棠,封松林。新型非易失性半导体随机存储器相变材料性能研究,第二界上海纳米科技与产业发展研讨会,2004年4月1-2日,上海:94-100 (口头报告)
23. Zhitang Song, Bo Liu, Songlin Feng. Nano-electronics Memory – Chalcogenide Random Access Memory (C-RAM),第76期东方科技论坛《纳米材料的制备科学与现代表征技术研讨会》,2006年7月7-9日,上海
24. 宋志棠,刘波,刘卫丽,封松林。创建国际联合实验室,夯实纳米半导体薄膜加工测试基础,第三界上海纳米科技与产业发展研讨会,2006年5月17-18日,上海: 1095-1100
25. 宋志棠,封松林,刘波,刘卫丽。纳电子相变半导体存储器简介及其应用前景,第二界上海纳米科技与产业发展研讨会,2004年4月1-2日,上海:13-20
26. 封松林,宋志棠,刘波,刘卫丽。相变型半导体存储器在第四代移动通信中的应用前景,第37届东方科技论坛《Beyond 3G/4G 移动通信技术研讨会》,2003年12月17-18日,上海:113-131

合作情况

   
项目协作单位
1、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
2、美国Microchip公司
3、上海新储集成电路有限公司
4、北京大学深圳研究生院
5、中国科学院上海光学精密机械研究所
6、上海交通大学
7、复旦大学
8、中国科学院半导体研究所
9、同济大学
10、北京工业大学
11、上海纳米科技与产业化促进中心
12、南京大学

指导学生

现指导学生

李俊焘  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张徐  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

宏潇  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学