基本信息

林春 男 博导 上海技术物理研究所
电子邮件:chun_lin@mail.sitp.ac.cn
通信地址:上海市玉田路500号
邮政编码:20083

研究领域

半导体光电子器件物理

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
红外焦平面探测器器件物理

教育背景

   
学历

研究生

学位
博士

工作经历

   
工作简历
2005-11--今 中国科学院上海技术物理研究所材器中心 项目和课题组长
2001-10--2005-01 德国慕尼黑大学Walter Schottky研究所半导体技术与光子学研究组 博士后
社会兼职
2012-01-01-今,上海科技大学特聘教授,

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 推扫成像型碲镉汞红外焦平面组件关键技术及其航天应用, 二等奖, 国家级, 2015
(2) 航天长波红外焦平面组件, 一等奖, 省级, 2013
(3) 中科院杰出成就集体, 特等奖, 部委级, 2013
专利成果
[1] 徐刚毅, 何力, 俞辰韧, 朱欢, 常高垒, 朱海卿, 王凯, 白弘宙, 王芳芳, 陈建新, 林春. 一种集成有源布拉格反射器的单模太赫兹量子级联激光器. CN: CN110707528A, 2020-01-17.

[2] 徐刚毅, 何力, 朱海卿, 朱欢, 常高垒, 俞辰韧, 王凯, 白弘宙, 王芳芳, 陈建新, 林春. 一种含有天线耦合器的圆偏振单模太赫兹量子级联激光器. CN: CN110707527A, 2020-01-17.

[3] 徐刚毅, 何力, 朱海卿, 朱欢, 常高垒, 俞辰韧, 王凯, 白弘宙, 王芳芳, 陈建新, 林春. 一种含有高效率衍射光栅的单模太赫兹量子级联激光器. CN: CN110690647A, 2020-01-14.

[4] 廖清君, 刘丹, 钟艳红, 林春, 胡晓宁. 一种碲镉汞红外焦平面探测器的失效分析方法. CN: CN107907812B, 2019-11-26.

[5] 施长治, 林春. 一种多芯片边胶去除方法. CN: CN105242503B, 2019-05-28.

[6] 胡晓宁, 张姗, 樊华, 廖清君, 叶振华, 林春, 丁瑞军, 何力. 一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片. 中国: CN105762209B, 2018.08.14.

[7] 叶振华, 陈奕宇, 孙常鸿, 刘棱枫, 邢雯, 马伟平, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜. 中国: CN206282822U, 2017.06.27.

[8] 陈星, 陈安森, 林加木, 叶振华, 林春, 丁瑞军. 上端面开窗液氮杜瓦. 中国: CN206410789U, 2017-08-15.

[9] 陈星, 陈安森, 林加木, 叶振华, 林春, 丁瑞军. 一种上端面开窗的液氮杜瓦. 中国: CN106872050A, 2017-06-20.

[10] 叶振华, 陈奕宇, 孙常鸿, 刘棱枫, 邢雯, 马伟平, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法. 中国: CN106784133A, 2017-05-31.

[11] 叶振华, 陈奕宇, 孙常鸿, 刘棱枫, 邢雯, 马伟平, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法. 中国: CN106449377A, 2017-02-22.

[12] 张瞳, 陈洪雷, 林加木, 林春. 基于二极管测温的红外探测器组件多路温度监测系统. 中国: CN205808564U, 2016-12-14.

[13] 胡晓宁, 张姗, 樊华, 廖清君, 叶振华, 林春, 丁瑞军, 何力. 低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片. 中国: CN205609536U, 2016-09-28.

[14] 张瞳, 陈洪雷, 林加木, 林春. 一种基于二极管测温的红外探测器组件多路温度监测系统. 中国: CN105784126A, 2016-07-20.

[15] 张姗, 胡晓宁, 樊华, 廖清君, 叶振华, 林春, 丁瑞军, 何力. 一种碲镉汞器件埋结工艺. 中国: CN105762221A, 2016-07-13.

[16] 施长治, 林春. 多芯片边胶去除装置. 中国: CN205038438U, 2016-02-17.

[17] 施长治, 林春. 一种多芯片边胶去除装置. 中国: CN105137727A, 2015-12-09.

[18] 张姗, 林春, 廖清君, 胡晓宁, 叶振华. 一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀工艺. 中国: CN105047530A, 2015-11-11.

[19] 周松敏, 翁彬, 刘丹, 林春, 徐刚毅, 李浩. 一种用于碲镉汞探测器N区横向展宽的变间距测量方法. 中国: CN105047574A, 2015-11-11.

[20] 张姗, 林春, 廖清君, 胡晓宁, 叶振华. 一种制备Si基碲镉汞芯片位错观察样品的衬底腐蚀液. 中国: CN104988505A, 2015-10-21.

[21] 施长治, 林春. 用于高能离子注入的复合掩膜. 中国: CN204680649U, 2015-09-30.

[22] 张姗, 林春, 魏彦锋, 刘丹, 李辉, 胡晓宁, 丁瑞军. 一种用激光切割碲镉汞薄膜的方法. 中国: CN104889573A, 2015-09-09.

[23] 施长治, 林春. 一种用于高能离子注入的复合掩膜. 中国: CN104867837A, 2015-08-26.

[24] 施长治, 林春. 用于芯片高温退火的插板式石英舟. 中国: CN204516731U, 2015-07-29.

[25] 施长治, 林春. 一种用于芯片高温退火的插板式石英舟. 中国: CN104752285A, 2015-07-01.

[26] 黄玥, 白治中, 周松敏, 王建新, 林春, 叶振华, 丁瑞军. 一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法. 中国: CN104752244A, 2015-07-01.

[27] 黄玥, 林春, 叶振华, 丁瑞军. 一种用于红外探测器的批量倒装回熔焊工艺方法. 中国: CN104752243A, 2015-07-01.

[28] 黄玥, 林春, 叶振华, 丁瑞军. 一种用于红外探测器的回熔提拉倒装回熔焊工艺方法. 中国: CN104752402A, 2015-07-01.

[29] 施长治, 林春. 一种用于高能离子注入的复合掩膜的去除方法. 中国: CN104616974A, 2015-05-13.

[30] 施长治, 林春. 一种用于高能离子注入的复合掩膜的制备方法. 中国: CN104599958A, 2015-05-06.

[31] 施长治, 林春. 一种用于高能离子注入的复合掩膜. 中国: CN104576335A, 2015-04-29.

[32] 叶振华, 张鹏, 陈奕宇, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种硅基碲镉汞长波光电二极管芯片. 中国: CN204088348U, 2015-01-07.

[33] 何凯, 陈星, 李杨, 张勤耀, 王建新, 林春, 周松敏. 金属半导体接触的非线性传输线模型及参数的拟合方法. 中国: CN104035017A, 2014.09.10.

[34] 刘丹, 陈昱, 冯婧文, 周松敏, 曹菊英, 林春, 何高胤, 胡晓宁. 一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法. 中国: CN104037101A, 2014-09-10.

[35] 叶振华, 张鹏, 陈奕宇, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 硅基碲镉汞长波光电二极管芯片. 中国: CN104037256A, 2014-09-10.

[36] 华桦, 李杨, 林春, 王建新, 胡晓宁. 一种改进的焦平面探测器芯片测试系统. 中国: CN203772969U, 2014-08-13.

[37] 黄玥, 林春, 王建新, 储远洋, 叶振华, 丁瑞军. 一种制备用于观察倒焊互连情况的制样方法. 中国: CN103900880A, 2014-07-02.

[38] 黄玥, 林春, 叶振华, 廖清君, 丁瑞军. 一种铟表面处理的方法. 中国: CN103762274A, 2014-04-30.

[39] 华桦, 何忞, 胡晓宁, 林春. 一种杜瓦瓶引脚连通性检测系统. 中国: CN203249981U, 2013-10-23.

[40] 何凯, 陈星, 华桦, 李杨, 王建新, 林春, 张勤耀. 一种低温状态下元件平面度的测量装置及方法. 中国: CN103308008A, 2013-09-18.

[41] 华桦, 李杨, 林春, 王建新, 胡晓宁. 一种改进的焦平面探测器芯片测试系统及测试方法. 中国: CN103245859A, 2013-08-14.

[42] 华桦, 何忞, 胡晓宁, 林春. 一种杜瓦瓶引脚连通性检测系统及检测方法. 中国: CN103217614A, 2013-07-24.

[43] 刘丹, 王晨飞, 钟艳红, 周松敏, 林春, 叶振华, 廖清君, 胡晓宁. 基于选择性湿法腐蚀工艺的碲镉汞探测器的衬底去除技术. 中国: CN103022246A, 2013-04-03.

[44] 廖清君, 胡晓宁, 马伟平, 邢雯, 陈昱, 林春, 王建新. 一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极. 中国: CN202373595U, 2012-08-08.

[45] 廖清君, 胡晓宁, 马伟平, 邢雯, 陈昱, 林春, 王建新. 一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法. 中国: CN102420270A, 2012-04-18.

[46] 廖清君, 马伟平, 朱建妹, 林春, 王建新, 胡晓宁. 一种用于红外焦平面倒焊互连的铟柱及其制备方法. 中国: CN102136484A, 2011-07-27.

[47] 叶振华, 陆伟, 黄建, 邢雯, 刘丹, 冯靖文, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器. 中国: CN201749851U, 2011-02-16.

[48] 叶振华, 胡伟达, 殷建军, 吴廷琪, 晨昱, 邢雯, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片. 中国: CN101958331A, 2011-01-26.

[49] 叶振华, 王建新, 潘建珍, 邢雯, 刘丹, 陈昱, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种光电二极管n区结构优化的碲镉汞长波探测芯片. 中国: CN101958332A, 2011-01-26.

[50] 叶振华, 冯靖文, 马伟平, 陈昱, 刘丹, 邢雯, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种金属化共用离子注入窗口的碲镉汞光伏探测芯片. 中国: CN101958330A, 2011-01-26.

[51] 叶振华, 尹文婷, 马伟平, 黄建, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法. 中国: CN101740502A, 2010.06.16.

[52] 叶振华, 陆伟, 黄建, 邢雯, 刘丹, 冯靖文, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器. 中国: CN101894847A, 2010-11-24.

[53] 叶振华, 黄建, 胡伟达, 尹文婷, 马伟平, 陈昱, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种掩模用光刻胶微凸镜列阵的等离子体回流成形方法. 中国: CN101872804A, 2010-10-27.

[54] 叶振华, 尹文婷, 王建新, 方维政, 杨建荣, 陈昱, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法. 中国: CN101872803A, 2010-10-27.

[55] 叶振华, 黄建, 祝海彬, 尹文婷, 林春, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法. 中国: CN101740501A, 2010-06-16.

[56] 叶振华, 黄建, 胡伟达, 尹文婷, 林春, 陈路, 廖清君, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法. 中国: CN101740662A, 2010-06-16.

[57] 叶振华, 尹文婷, 胡伟达, 黄建, 马伟平, 林春, 廖清君, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法. 中国: CN101726364A, 2010-06-09.

[58] 叶振华, 黄建, 杨建荣, 尹文婷, 邢雯, 林春, 陈兴国, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法. 中国: CN101719505A, 2010-06-02.

[59] 叶振华, 尹文婷, 黄建, 王建新, 朱建妹, 林春, 张勤耀, 胡晓宁, 丁瑞军, 何力. 红外焦平面列阵器件混成互连铟焊点寿命的提高方法. 中国: CN101718588A, 2010-06-02.

出版信息

   
发表论文
[1] Zhu, Liqi, Guo, Huijun, Deng, Zhuo, Yang, Liao, Huang, Jian, Yang, Dan, Zhou, Zhiqi, Shen, Chuan, Chen, Lu, Lin, Chun, Chen, Baile. Temperature-Dependent Characteristics of HgCdTe Mid-Wave Infrared E-Avalanche Photodiode. IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS[J]. 2022, 28(2): [2] Li, Xun, Wang, Xi, Lin, Chun, Wei, Yanfeng, Zhou, Songmin, Sun, Quanzhi. Analysis of temperature dependent dark current mechanisms for long-wavelength infrared p-on-n HgCdTe detectors. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY[J]. 2021, 36(5): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000646875400001.
[3] Lu, Qi, Wang, Xi, Wei, Yanfeng, Sun, Quanzhi, Lin, Chun. Investigation of the influence of graded-gap layer formed by annealing on the electrical properties of the near-surface of LPE HgCdTe using MIS structure. MATERIALS RESEARCH EXPRESS[J]. 2021, 8(1): http://dx.doi.org/10.1088/2053-1591/abda6b.
[4] Zhu, Liqi, Deng, Zhuo, Huang, Jian, Guo, Huijun, Chen, Lu, Lin, Chun, Chen, Baile. Low frequency noise-dark current correlations in HgCdTe infrared photodetectors. OPTICS EXPRESS[J]. 2020, 28(16): 23660-23669, http://dx.doi.org/10.1364/OE.399565.
[5] 丁瑞军, 杨建荣, 何力, 胡晓宁, 陈路, 林春, 廖清君, 叶振华, 陈洪雷, 魏彦锋. 碲镉汞红外焦平面器件技术进展. 红外与激光工程[J]. 2020, 49(1): 85-91, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7101214949.
[6] Lu, Qi, Wang, Xi, Zhou, Songmin, Ding, Ruijun, He, Li, Lin, Chun. Effects of different passivation layers on RV characteristics of long-wave HgCdTe gate-controlled diodes. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY[J]. 2020, 35(9): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000555819500001.
[7] 程雨顺, 郭慧君, 李浩, 陈路, 林春, 何力. 碲镉汞APD平面型PIN结构仿真设计. 红外与毫米波学报. 2020, 39(1): 6-12, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7100994611.
[8] Zhu, Liqi, Huang, Jian, Xie, Zongheng, Deng, Zhuo, Chen, Lu, Lin, Chun, Chen, Baile. Low-Frequency Noise Spectroscopy Characterization of HgCdTe Infrared Detectors. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2020, 67(2): 547-551, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000510723400022.
[9] Cheng YuShun, Guo HuiJun, Li Hao, Chen Lu, Lin Chun, He Li. Device design of planner PIN HgCdTe avalanche photodiode. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2020, 39(1): 6-12, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000508241600002.
[10] Wang, Xi, He, Kai, Chen, Xing, Li, Yang, Lin, Chun, Zhang, Qinyao, Ye, Zhenhua, Xin, Liwei, Gao, Guilong, Yan, Xin, Wang, Gang, Liu, Yiheng, Wang, Tao, Tian, Jinshou. Effect of annealing on the electrophysical properties of CdTe/HgCdTe passivation interface by the capacitance-voltage characteristics of the metal-insulator-semiconductor structures. AIP ADVANCES[J]. 2020, 10(10): https://doaj.org/article/08ac4155d3d049c3bbe731e057ef92eb.
[11] 李浩, 林春, 周松敏, 王溪, 孙权志. 利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管. 红外与毫米波学报[J]. 2019, 38(2): 223-227, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7001818581.
[12] 李浩, 林春, 周松敏, 郭慧君, 王溪, 陈洪雷, 魏彦锋, 陈路, 丁瑞军, 何力. 碲镉汞雪崩焦平面器件. 红外与毫米波学报. 2019, 38(05期): 587-590, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7003051254.
[13] Li Hao, Lin Chun, Zhou SongMin, Guo HuiJun, Wang Xi, Chen HongLei, Wei YanFeng, Chen Lu, Ding RuiJun, He Li. HgCdTe avalanche photodiode FPA. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2019, 38(5): 587-590, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000493720100007.
[14] 张姗, 沈益铭, 刘丹, 钟艳红, 魏彦锋, 廖清君, 陈洪雷, 林春, 丁瑞军, 何力. 可见/近红外超光谱碲镉汞焦平面研究. 应用光学[J]. 2019, 40(3): 429-434, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7001993273.
[15] 任士远, 林春, 魏彦锋, 周松敏, 王溪, 郭慧君, 陈路, 丁瑞军, 何力. 碲镉汞器件光敏元电容测试与分析. 红外技术[J]. 2019, 41(5): 413-417, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7002029846.
[16] Li Hao, Lin Chun, Zhou SongMin, Wang Xi, Sun QuanZhi. HgCdTe avalanche photo diode fabricated by ion beam etching. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2019, 38(2): 223-227, [17] Cheng Yushun, Chen Lu, Guo Huijun, Lin Chun, He Li. Improved local field model for HgCdTe electron avalanche photodiode. INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY[J]. 2019, 101: 156-161, http://dx.doi.org/10.1016/j.infrared.2019.07.002.
[18] Wang Xi, Zhou SongMin, Sun ChangHong, Wei YanFeng, Shen Hao, Lin Chun. Annealing of Au doped HgCdTe covered by electron beam evaporated CdTe. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2018, 37(4): 399-402, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000448285000004.
[19] 张瞳, 林春, 陈洪雷, 孙常鸿, 林加木, 王溪. 金属框结构对碲镉汞红外焦平面调制传递函数的影响. 光学学报[J]. 2018, 38(5): 0504001-1, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675410128.
[20] Zhang, Tong, Lin, Chun, Chen, Honglei, Sun, Changhong, Lin, Jiamu, Wang, Xi. MTF measurement and analysis of linear array HgCdTe infrared detectors. INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY[J]. 2018, 88: 123-127, http://dx.doi.org/10.1016/j.infrared.2017.11.010.
[21] 张瞳, 林春, 陈洪雷, 周松敏. 基于多方向小波提升IRFPA盲元检测精度方法. 红外与激光工程[J]. 2018, 47(2): 0204001-1, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7000526366.
[22] Wang Xi, Zhou SongMin, Sun ChangHong, Wei YanFeng, Shen Hao, Lin Chun. Annealing of Au doped HgCdTe covered by electron beam evaporated CdTe. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2018, 37(4): 399-402, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000448285000004.
[23] Wang, Xi, Li, Qing, Zhou, Songmin, Lin, Chun. Study of dark current for LWIR HgCdTe detectors with a graded doped junction. INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY[J]. 2018, 92: 358-362, http://dx.doi.org/10.1016/j.infrared.2018.03.029.
[24] Tong Zhang, Chun Lin, Honglei Chen, Changhong Sun, Jiamu Lin, Xi Wang. MTF measurement and analysis of linear array HgCdTe infrared detectors. Infrared Physics and Technology[J]. 2018, 123-127, http://dx.doi.org/10.1016/j.infrared.2017.11.010.
[25] Weng Bin, Zhou SongMin, Wang Xi, Chen YiYu, Li Hao, Lin Chun. Characterization method of PN junction region expansion in HgCdTe device. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2017, 36(1): 54-59, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000395722400011.
[26] 翁彬, 周松敏, 王溪, 陈奕宇, 李浩, 林春. HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法. 红外与毫米波学报. 2017, 36(1): 54-59, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=671470042.
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指导学生

现指导学生

李海滨  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

金巨鹏  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

徐竟杰  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学