080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息

存储器、3D存算一体芯片电路设计
数模混合、超大规模集成电路设计

2015-07--2018-06   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   博士
2012-07--2015-06   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   硕士
2008-08--2012-06   中国科学技术大学   学士

   

2021-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2020-01~2020-12,长江存储, 产品经理（借调）
2018-07~2020-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员

2022-04-30-今,科技部专家库, 专家
2021-05-01-今,上海市高中学生科普英语竞赛, 评委
2019-10-31-今,中国计算机协会、中国材料研究协会、中国神经科学学会、上海市电子学会, 会员
2018-12-30-今,工业和信息化部重大项目, 会评专家
2018-12-30-今,上海市科学技术奖、科研项目, 评审专家
2017-06-30-今,IEEE、IEEE Circuits and Systems Society (CASS)和IEEE Solid-State Circuits Society (SSCS), 会员
2016-12-10-今,IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, IEEE Open Journal of the Solid-State Circuits Society, IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, IEEE International Symposium on Circuits and Systems, IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Nature Energy, IEICE Electronics Express, 审稿人

相变存储技术基础

   

（1） 中国科学院杰出科技成就奖, 特等奖, 院级, 2022
（2） 中国科学院“青年创新促进会”, 特等奖, 院级, 2022
（3） 中国科学院上海微系统所“新微之星”, 特等奖, 研究所（学校）, 2022
（4） 中科院上海微系统所“新微之光”科技进展评选三等奖, 三等奖, 研究所（学校）, 2020
（5） 中国材料研究学会科学技术奖一等奖, 一等奖, 其他, 2019
（6） 中科院上海微系统所“新微之光”科技进展评选三等奖, 三等奖, 研究所（学校）, 2019
（7） 上海市青年科技英才扬帆计划, 特等奖, 省级, 2019
（8） 上海市优秀毕业生, 特等奖, 省级, 2018
（9） 中国科学院大学-BHP Billiton奖学金, 特等奖, 院级, 2017

（ 1 ） 一种三维相变存储器亚阈值数据读出电路及读出方法, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN116645992A

（ 2 ） 一种三维双向自选通存储器件及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116568045A

（ 3 ） 一种OTS选通器件硅等效电路, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: 202210878324.X

（ 4 ） 一种三维智能微系统芯片, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN112582371B

（ 5 ） 一种三维相变存储器亚阈值数据读出电路及读出方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: 2023105401638

（ 6 ） 一种三维双向自选通存储器件及其制备方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: 2023104540900

（ 7 ） 具有蒙特卡洛仿真功能的三维相变存储器1S1R模型, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: 202310011031.6

（ 8 ） 一种三维相变存储器高可靠写电路, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: 202211342813.X

（ 9 ） 一种OTS选通器件硅等效电路, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115347888A

（ 10 ） 一种OTS选通器件仿真模型, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN113515914A

（ 11 ） 一种提高电阻一致性的低功耗相变存储器写驱动电路, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112614525A

（ 12 ） 一种三维智能微系统芯片, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112582371A

（ 13 ） 一种3dB带宽与相位裕度可调的运放补偿电路, 发明专利, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112367054A

（ 14 ） Read circuit of storage class memory with a read reference circuit, having same bit line parasitic parameters and same read transmission gate parasitic parameters as memory, 专利授权, 2020, 第 1 作者, 专利号: US10679697(B2)

（ 15 ） READ-OUT CIRCUIT AND READ-OUT METHOD FOR THREE-DIMENSIONAL MEMORY, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: US20200126615(A1)

（ 16 ） 一种1S1R单元读控制电路, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110890122A

（ 17 ） 一种三维异质集成芯片及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN110854116A

（ 18 ） 一种双衬底三维异质集成芯片及其制备方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110854125A

（ 19 ） 一种应用于神经元的全数字仿生电路及系统, 发明专利, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN110794673A

（ 20 ） 一种突触电路、突触阵列及基于突触电路的数据处理方法, 发明专利, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110619907A

（ 21 ） 一种突触模块、突触阵列以及基于突触阵列的权重调节方法, 发明专利, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110619908A

（ 22 ） 多级相变存储器的读出电路及读出方法, 发明专利, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110619906A

（ 23 ） 非易失存储器灵敏放大器及相变存储器, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN209843258U

（ 24 ） 相变存储器的多级存储读写方法及系统, 专利授权, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110335636A

（ 25 ） 非易失存储器读出电路及读出方法, 专利授权, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110289037A

（ 26 ） 非易失存储器灵敏放大器及相变存储器, 发明专利, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110164497A

（ 27 ） 超低电压启动双路输出的DCDC转换电路及其实现方法, 专利授权, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110098832A

（ 28 ） 一种相变存储器的故障诊断方法, 专利授权, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109935270A

（ 29 ） 存储器片内自测试方法、装置和存储器, 发明专利, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109903805A

（ 30 ） 相变存储器的高速数据读出电路及读出方法, 专利授权, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN108922574A

（ 31 ） 三维垂直型存储器电路及位线与字线电压配置方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107644664A

（ 32 ） 开关电源电感的电流过零检测电路, 实用新型, 2018, 第 7 作者, 专利号: CN206948183U

（ 33 ） 三维垂直型存储器读出电路及其读出方法, 专利授权, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107622780A

（ 34 ） 一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法, 专利授权, 2018, 第 5 作者, 专利号: CN107591179A

（ 35 ） 开关电源电感的电流过零检测方法、电路及控制方法, 发明专利, 2017, 第 7 作者, 专利号: CN107147286A

（ 36 ） 三维非易失性存储器件及其制造方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106910743A

（ 37 ） 三维存储器读出电路及其字线与位线电压配置方法, 专利授权, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106898371A

（ 38 ） 一种三维存储器读出电路及读出方法, 专利授权, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106875963A

（ 39 ） 增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路, 发明专利, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN106410773A

（ 40 ） 相变存储器读出电路及其数据读取方法, 专利授权, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106356090A

（ 41 ） 一种相变存储器读出电路及读出方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN106205684A

（ 42 ） 一种相变存储器读出电路及方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105931665A

（ 43 ） 一种电荷泵电路及其输出电压自动调节方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103856044A

（ 44 ） 三维非易失性存储器件及其制造方法, 专利授权, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102800695A

   

（1） 一种三维相变存储器1S1R存储单元电路仿真模型, A Circuit Simulation Model of 1S1R for 3D Phase-Change Memory, 上海交通大学学报, 2022, 通讯作者
（2） Silicon Modeling of Spiking Neurons With Diverse Dynamic Behaviors, IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, 2022, 第 4 作者
（3） An emission stable vertical air channel diode by a low-cost and IC compatible BOE etching process, NANOSCALE, 2021, 第 5 作者
（4） An Ultra-Low Quiescent Current Resistor-Less Power on Reset Circuit, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2021, 通讯作者
（5） MPPT Circuit Using Time Exponential Rate Perturbation and Observation for Enhanced Tracking Efficiency for a Wide Resistance Range of Thermoelectric Generator, APPLIED SCIENCES-BASEL, 2021, 通讯作者
（6） A self-start circuit with asymmetric inductors reconfigurable technology for dual-output boost converter for energy harvesting, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2020, 通讯作者
（7） A Near-Accurate-Parasitic-Balancing Sensing Scheme for PCM With 8.9-ns Read Access Time and 16.2-ns·pJ/Kb FoM, IEEE Solid-State Circuits Letters, 2020, 通讯作者
（8） 2V/3 Bias Scheme with Enhanced Dynamic Read Performances for 3-D Cross Point PCM, IEEE International Symposium on Circuits and Systems, 2020, 2020, 通讯作者
（9） BIST-Based Fault Diagnosis for PCM With Enhanced Test Scheme and Fault-Free Region Finding Algorithm, IEEETRANSACTIONSONVERYLARGESCALEINTEGRATIONVLSISYSTEMS, 2020, 通讯作者
（10） Near-threshold SIDO DC-DC converter with a high-precision ZCD for phase change memory chip, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2019, 通讯作者
（11） 一种基于相变存储器的高速读出电路设计, A High-Speed Read Circuit for Phase-Change Random-Access Memory, 上海交通大学学报, 2019, 第 3 作者
（12） Enhancing the Performance of Phase Change Memory for Embedded Applications, physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters, 2019, 第 7 作者
（13） The Influence of the Bitline Length on the Resistance Consistency in Phase Change Memory Array, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 4 作者
（14） A Changing-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Vertical RRAM, IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2018, 第 1 作者
（15） 相变存储器预充电读出方法, Pre-charge read scheme for phase change memory, 浙江大学学报：工学版, 2018, 第 1 作者
（16） A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2018, 第 1 作者
（17） 一种用于PCRAM的嵌入式片内电容电荷泵, An Embedded On-Chip Capacitor Charge Pump for PCRAM, 微电子学, 2017, 第 3 作者
（18） Set/reset reference and parasitic matching scheme to speed up PCM read operation, ELECTRONICS LETTERS, 2017, 第 1 作者
（19） A novel high performance 3xVDD-tolerant ESD detection circuit in advanced CMOS process, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 通讯作者
（20） 带轻载变频模式的升压式DC-DC转换器设计, Design of Boost DC-DC Converter with Frequency Hopping at Light Load, 上海交通大学学报, 2017, 第 6 作者
（21） Capacitor-less LDR based on flipped voltage follower with dual-feedback loops, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 3 作者
（22） Enhanced read performance for phase change memory using a reference column, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 1 作者
（23） 基于相变单元测试的高速可编程脉冲电流源, High Speed Programmable Pulsed Current Source Based on PCM Unit Test, 固体电子学研究与进展, 2017, 第 5 作者
（24） Enhanced 3 ' VDD-tolerant ESD clamp circuit with stacked configuration, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2017, 第 5 作者
（25） Optimization of a PCRAM Chip for high-speed read and highly reliable reset operations, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 7 作者
（26） 一种新型低漏电ESD电源箝位电路, A Novel Low-Leakage ESD Power-Rail Clamp Circuit, 微电子学, 2016, 第 7 作者
（27） An efficiency-enhanced 2X/1.5X SC charge pump with auto-adjustable output regulation for PCM, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 1 作者
（28） High Speed Sense Amplifier with Efficient Pre-charge Scheme for PCM in the 28nm Process, 2016 INTERNATIONAL WORKSHOP ON INFORMATION DATA STORAGE AND TENTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON OPTICAL STORAGE, 2016, 第 4 作者
（29） 用于相变存储器的高效开关电容电荷泵, An Efficiency-Enhanced SC Charge Pump for PCM, 微电子学, 2015, 第 1 作者
（30） A smart primary side current sensing strategy for single stage isolated PFC controller, IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2015, 第 7 作者

   

（ 1 ） 单片三维相变存储器高速高可靠读取技术研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2022-12
（ 2 ） 上海市青年科技英才扬帆计划, 负责人, 地方任务, 2019-05--2022-07
（ 3 ） 中国科学院“青年创新促进会”, 负责人, 中国科学院计划, 2022-01--2025-12
（ 4 ） 中国科学院上海微系统所“新微之星”计划, 负责人, 研究所自选, 2022-04--2025-03
（ 5 ） 三维相变存储器芯片产品研发（设计研究开发）, 负责人, 企业委托, 2020-01--2020-12
（ 6 ） 三维交叉堆叠型新型存储器高速读取关键技术研究, 负责人, 国家任务, 2018-10--2020-11
（ 7 ） 高密度交叉阵列结构的新型存储器件与集成, 参与, 国家任务, 2017-06--2022-06
（ 8 ） 存算一体基础器件与系统前沿科学, 参与, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12
（ 9 ） 三维相变存储器高可靠编程技术研究, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12

（1）2V/3 Bias Scheme with Enhanced Dynamic Read Performances for 3-D Cross Point PCM   Yu Lei, Meng Liu, Zhitang Song, Houpeng Chen   2020-10-19
（2）Bit-Line-Oriented Bias Scheme and Changing-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Vertical RRAM   Yu Lei, Houpeng Chen, Xiaoyun Li, Zhitang Song, Xi Li, Qian Wang and Jie Miao   2019-05-27
（3）High performance sensing circuits for 3-D emerging non-volatile memories   2018-08-31
（4）Integrated Circuit Design of 3-D Cross Point Phase Change Memory: A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM   Yu Lei , Houpeng Chen, Qian Wang, Xi Li, Xiaoyun Li and Zhitang Song   2018-05-30