基本信息
黎大兵 男 博导 长春光学精密机械与物理研究所
电子邮件:lidb@ciomp.ac.cn
通信地址:长春市东南湖大路3888号
邮政编码:130033

研究领域

GaN基光电子材料与器件

招生信息

招收有志于从事GaN研究,具有物理,材料,和电子背景的学生。
招生专业
070205-凝聚态物理
招生方向
GaN基半导体材料MOCVD生长,GaN基紫外光电子器件

教育背景

2001-09--2004-07 中国科学院研究生院(中科院半导体所) 博士
1998-08--2001-03 吉林大学 硕士
1994-08--1998-07 吉林大学 学士
出国学习工作
2004年~2008年 日本三重大学 博士后、JSPS外国人特别研究员

工作经历

2007年至今 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

教授课程

半导体材料与光电子学

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 吉林省自然科学学术成果奖,一等奖,省级,2013
(2) 中国科学院青年促进会会员,院级级,2011
(3) 卢嘉锡青年人才奖,院级级,2009
(4) Young Scientist Award,其他级,2006

出版信息

   
发表论文
(1) Optimized performances of tetrapod-like ZnO nanostructures for a triode structure field emission planar light source,Nanoscale,2014,通讯作者
(2) Stress-induced in situ epitaxial lateral overgrowth of high-quality GaN,CrystEngComm,2014,通讯作者
(3) Enhanced spectral response of an AlGaN-based solar- blind ultraviolet photodetector with Al nanoparticles,Optics Express,2014,通讯作者
(4) Influence of the growth temperature of AlN nucleation layer on AlN template grown by high-temperature MOCVD,Materials Letters,2014,通讯作者
(5) Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulatorsemiconductor device and its mechanism,Applied Physics Letters ,2014,通讯作者
(6) Electric Spaser in the Extreme Quantum Limit,Physical Review Letters,2013,第1作者
(7) In situ observation of two-step growth of AlN on sapphire using high-temperature metal–organic chemical vapour deposition,CrystEngComm,2013,通讯作者
(8) Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors,Applied Physics Letters,2012,第3作者
(9) Realization of a High-Performance GaN UV Detector by Nanoplasmonic Enhancement,Advanced Materials,2012,第1作者
(10) Short-wavelength light beam in situ monitoring growth of InGaN/GaN green LEDs by MOCVD,Nanoscale Research Letters,2012,通讯作者
(11) Effect of asymmetric Schottky barrier on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet detector,Applied Physics Letters,2011,第1作者
(12) Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy,Applied Surface Science,2011,通讯作者
(13) Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductormetal,Applied Physcis Letters,2011,第1作者
(14) Determination of InN/diamond heterojunction band offset by x-ray photoelectron spectroscopy,Nanoscale Research Letters,2011,通讯作者
(15) Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface,Applied Physics Letters,2011,第2作者
(16) Enhanced deep ultraviolet emission from Si-doped AlxGa1-xN/AlN MQWs,Chinese Physics B,2010,第1作者

科研活动

   
科研项目
(1) 新型光电子器件与材料,主持,国家级,2014-01--2016-12
(2) 表面等离激元增强AlGaN基深紫外LED研究,主持,国家级,2013-01--2016-12
(3) XXX器件与材料,参与,国家级,2012-01--2014-12
(4) 氮化物半导体激子束缚调控和高密度激子发光机理研究,参与,国家级,2011-01--2015-12
参与会议
   

合作情况


目前,与日本、美国等大学和研究机构建立了良好的合作关系。

指导学生

已指导学生

贾辉  博士研究生  070205-凝聚态物理  

孙晓娟  博士研究生  070205-凝聚态物理  

陈一仁  博士研究生  070205-凝聚态物理  

现指导学生

包广宏  硕士研究生  070205-凝聚态物理  

徐昌一  硕士研究生  070205-凝聚态物理  

蒋科  硕士研究生  070205-凝聚态物理  

贲建伟  硕士研究生  070205-凝聚态物理  

刘小桐  博士研究生  070205-凝聚态物理