基本信息
金智 男 博导 中国科学院微电子研究所
电子邮件: jinzhi@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号 中国科学院微电子研究所
邮政编码: 100029
电子邮件: jinzhi@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号 中国科学院微电子研究所
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招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
射频、微波器件与电路集成技术集成电路工程石墨烯器件与电路
教育背景
1996-09--吉林大学 博士1993-09--吉林大学 硕士1989-09--河北师范大学 学士
工作经历
工作简历
2004-05~2006-10,日本东京电气通信大学, 研究员2002-05~2004-05,德国Duisburg-Essen University, 研究员1999-05~2002-05,日本北海道大学, 博士后研究员
专利与奖励
奖励信息
(1) 国务院政府特殊津贴, 国家级, 2016
出版信息
发表论文
[1] Feng, Zhiyu, Cao, Shurui, Feng, Ruize, Zhou, Fugui, Su, Yongbo, Ding, Wucang, Jin, Zhi. An Accurate Model for InP HEMT Small-Signal Equivalent Circuit Based on EM Simulation. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023, [2] 金智. Accurate Modeling Approach for InP fT-Doubler Based on Electromagnetic Simulation. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2023, 70(3): 941-946, [3] Zhen, Wenxiang, Xiao, Luning, Cao, Shurui, Su, Yongbo, Jin, Zhi. RF Performance Improvement of InP Frequency Divider by Using Enhanced $f_{T}$ -Doubler Technique. IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS[J]. 2022, 32(9): 1063-1066, http://dx.doi.org/10.1109/LMWC.2022.3169807.[4] Zhen, Wenxiang, Xiao, Luning, Cao, Shurui, Su, Yongbo, Jin, Zhi. A 35-GHz Bandwidth 30 GSa/s InP Track-and-Hold Amplifier Using Enhanced f(T)-Doubler Technique. IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS[J]. 2022, 69(11): 4243-4247, [5] Li, Shaojun, Su, Yongbo, Lv, Hongliang, Zhou, Lei, Zhang, Yimen, Zhang, Yuming, Hu, Jun, Yang, Feng, Jin, Zhi. A Broadband InP Track-and-Hold Amplifier Using Emitter Capacitive/Resistive Degeneration. IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS[J]. 2020, 30(4): 391-394, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000527791700017.[6] Yao, Yao, Peng, Songang, Huang, Xinnan, Zhang, Dayong, Shi, Jingyuan, Jin, Zhi. A uniform stable P-type graphene doping method with a gold etching process. NANOTECHNOLOGY[J]. 2019, 30(40): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000476603300003.[7] Jin Zhi. Carrier-Number-Fluctuation induced ultralow 1/f noise level in top-gated graphene field effect transistors. ACS Applied Materials & Interfaces. 2017, [8] Jin Zhi. The two timescales in the charge trapping mechanism for the hysteresiss behavior in graphene field effect transistors. Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2016, [9] Jin Zhi. Intrisic carrier mobility extraction based on a new quasi-analytical model for graphene field-effect transistors. Journal of Physics D: Applied Physics. 2016, [10] Zhang Dayong, Jin Zhi, Shi Jingyuan, Wang Xuanyun, Peng Songang, Wang Shaoqing. The electrochemical transfer of CVD-graphene using agarose gel as solid electrolyte and mechanical support layer. CHEM. COMMUN.[J]. 2015, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1089125.[11] Peng, Songang, Jin, Zhi, Ma, Peng, Zhang, Dayong, Shi, Jingyuan, Niu, Jiebin, Wang, Xuanyun, Wang, Shaoqing, Li, Mei, Liu, Xinyu, Ye, Tianchun, Zhang, Yanhui, Chen, Zhiying, Yu, Guanghui. The sheet resistance of graphene under contact and its effect on the derived specific contact resistivity. CARBON[J]. 2015, 82: 500-505, http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2014.11.001.[12] Peng, Songang, Jin, Zhi, PengMa, Zhang, Dayong, Shi, JingYuan, Wang, Xuanyun, Wang, Shaoqing, MeiLi, Liu, Xinyu, Yu, Guanghui. Effect of source-gate spacing on direct current and radio frequency characteristic of graphene field effect transistor. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2015, 106(3): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000348381000069.[13] Jin, Zhi, Ma, Peng, Wang, Shaoqing, Peng, Songang, Zhang, Dayong, Shi, Jingyuan, Niu, Jiebin, Yu, Guanghui, Wang, Xuanyun, Li, Mei. Hydroxyl-free buffered dielectric for graphene field-effect transistors. CARBON[J]. 2015, 86: 264-271, http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2015.01.030.[14] Jin Zhi. The anisotropy of field effect mobility of CVD graphene grown on copper foil. SMALL. 2014, [15] Jin Zhi, Liu XinYu. On the design of base-collector junction of InGaAs/InP DHBT. SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES[J]. 2009, 52(6): 1672-1678, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1089162.[16] Jin, Zhi, Su, Yongbo, Chen, Jianwu, Liu, Xinyu, Wu, Dexin. Study of AlN dielectric film on graphene by Raman microscopy. APPLIED PHYSICS LETTERS[J]. 2009, 95(23): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000272627700087.[17] Jin, Z, Su, Y, Cheng, W, Liu, X, Xu, A, Qi, M. Common-base multi-finger submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(max) of 305 GHz. SOLID-STATE ELECTRONICS[J]. 2008, 52(11): 1825-1828, http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2008.09.004.[18] Jin, Z, Liu, X, Prost, W, Tegude, F J. Surface-recombination-free InGaAs/InP HBTs and the base contact recombination. SOLID-STATE ELECTRONICS[J]. 2008, 52(7): 1088-1091, http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2008.03.016.[19] 金智, 苏永波, 程伟, 刘新宇, 徐安怀, 齐鸣. High-Breakdown-Voltage Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with ft=170 GHz and fmax=253 GHz. 中国物理快报:英文版[J]. 2008, 25(7): 2686-2689, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=27686212.
科研活动
科研项目
( 1 ) 太赫兹三端电子器件, 主持, 国家级, 2010-01--2014-12( 2 ) graphene场效应晶体管及其集成技术研究, 主持, 国家级, 2012-01--2016-12( 3 ) 太赫兹HEMT基础问题研究, 主持, 国家级, 2015-01--2019-12( 4 ) 石墨烯电子器件与集成技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2016-04( 5 ) 石墨烯的CVD制备及其在光电器件中的前瞻性研究, 主持, 部委级, 2012-01--2016-12( 6 ) 5G基站宽带高频段功率放大器试验样片研究, 主持, 国家级, 2016-01--2017-12
指导学生
已指导学生
潘洪亮 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
曹玉雄 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
姚鸿飞 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
周磊 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
苏永波 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
蒲颜 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
吴旦昱 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
黄振兴 硕士研究生 430110-集成电路工程
王少青 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
陈娇 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
黄银坤 硕士研究生 430110-集成电路工程
彭松昂 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
汪丽丹 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
毛达诚 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
张国斌 硕士研究生 085208-电子与通信工程
现指导学生
黄昕楠 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
童志航 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
姚尧 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
王溪 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
晏运鹏 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学
曹书睿 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
张晓瑞 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学
朱超毅 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学