基本信息

许恒宇  男    中国科学院微电子研究所
电子邮件: xuhengyu@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 100029

研究领域

碳化硅器件工艺制造及其可靠性测试分析

招生信息

招收硕士研究生(微电子专业方向) 1 名

招生方向
碳化硅器件及其可靠性

教育背景

2014-04--2017-03   大阪大学   博士研究生
2007-04--2009-03   德岛大学   硕士研究生
2002-09--2006-07   四川大学   本科

工作经历

   
工作简历
2014-04~2017-03,大阪大学, 博士研究生
2009-04~2011-09,新日本无线株式会社, 研发工程师
2007-04~2009-03,德岛大学, 硕士研究生
2002-09~2006-07,四川大学, 本科

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种SiC基MOSFET器件P型欧姆接触的制备方法, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201510751699 X

出版信息

   
发表论文
(1) Improving interface quality of 4H-SiC MOS devices with high temperature oxidation process in mass produce furnace, Materials Science Forum, 2015, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 高压大功率碳化硅电力电子器件平台工艺开发与器件研制, 主持, 省级, 2016-01--2017-12
( 2 ) 高压碳化硅器件高温氧化工艺技术研究, 主持, 院级, 2015-01--2017-12
( 3 ) 碳化硅高能高温离子注入关键技术研究, 主持, 院级, 2016-01--2018-12
参与会议
(1)Improved electrical properties of 4H-SiC MOS devices with high temperature thermal oxidation   Hengyu Xu   2015-09-21

合作情况

   
项目协作单位

全球能源互联网研究院

华为技术有限公司