狄增峰 男 上海微系统与信息技术研究所
电子邮件:zfdi@mail.sim.ac.cn
通信地址:上海市长宁路865号8号楼605室
邮政编码:200050

研究领域

离子与固体相互作用,新型半导体材料,SOI材料与器件,微纳机构操控

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程
招生方向
SOI材料与器件

教育背景

2001-09--2006-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 硕博连读
1997-09--2001-06 南京大学 本科
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2010-09--2012-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 研究员
2006-09--2010-08 美国 Los Alamos 国家实验室 博士后
社会兼职
   

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 全国优秀博士学位论文,一等奖,国家级,2008
(2) 中国科学院优秀博士学位论文,一等奖,部委级,2007
(3) 中国科学院院长奖特别奖,特等奖,部委级,2006
专利成果
(1) 在硅基万能衬底上生长多层异质外延薄膜,发明,2002,第4作者,专利号:01263468.9
(2) 基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备技术,发明,2005,第1作者,专利号:200410066673.3

出版信息

   
发表论文
(1) Tunable Helium bubble superlattice ordered by screw dislocation network,Physical Review B,2011,第1作者
(2) Aging control of organic thin film transistors via ion-implantation,Organic Electronics,2011,第5作者
(3) Origin of reverse annealing effect in hydrogen-implanted silicon,Applied Physics Letters,2010,第1作者
(4) Controlled drive-in and precipitation of hydrogen during plasma hydrogenation of silicon using a thin compressively strained SiGe layer, Applied Physics Letters,2010,第3作者
(5) Dynamic annealing versus thermal annealing effects on the formation of hydrogen-induced defects in silicon,Applied Physics Letters,2010,第1作者
(6) Evolution of implantation induced damage under further ion irradiation: influence of damage type,Journal of Applied Physics,2009,第1作者
(7) Strain relaxation of SiGe in a Si/SiGe/Si heterostructure under proton irradiation,Applied Physics Letters,2009,第1作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
(1) 高迁移率III/V-OI 新型材料探索研究,主持,部委级,2012-01--2015-12
(2) 纳电子时代的高端SOI基材料,主持,部委级,2011-10--2014-09
(3) 高迁移率绝缘体上锗新型材料研究,主持,市地级,2011-10--2013-09
(4) 氢离子注入各种晶向单晶硅中表面剥离机理研究,主持,部委级,2010-09--2013-09
(5) 22nm关键工艺技术先导研究与平台建设-新型混晶SOI与GOI高迁移率器件工艺开发,主持,专项级,2009-01--2012-12
参与会议
(1) Strain relaxation of nano-laminate SiGe in Si/SiGe/Si heterostructure under proton irradiation,2009-04,Zengfeng Di, Yongqiang Wang, Michael Nastasi, G. Bisognin, and M. Berti
(2) Evolution of implantation induced damage under further ion irradiation: influence of damage,2008-08,Zengfeng Di, Yongqiang Wang, Michael Nastasi, Lin Shao, Jung-kun Lee, and N. David, Theodore

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生