元器件单粒子效应

       宇宙空间中存在大量高能带电粒子，入射半导体器件敏感区会诱发单粒子效应，严重影响航天器在轨寿命和可靠运行。基于重离子加速器地面模拟装置开展辐照试验技术及效应机理研究。

   

070205-凝聚态物理

元器件单粒子效应

2012-09--2017-06   中国原子能科学研究院   理学博士
2006-09--2009-07   中国原子能科学研究院   工学硕士，核技术及应用专业
2001-09--2005-06   兰州大学   理学学士，物理学专业

博士研究生

理学博士

   

2011-03~2020-05,中国原子能科学研究院, 助理研究员，副研究员，理学博士，辐射效应研究室主任助理，重离子组组长，国防抗辐照应用技术创新中心机理研究部主任
2010-04~2011-03,日本高崎量子应用研究所, 访问学者
2009-08~2010-03,中国原子能科学研究院, 研究实习员

   

（1） 单粒子效应重离子微束辐照试验技术及装置, 二等奖, 部委级, 2018

（ 1 ） 一种用于单粒子效应辐照实验的样品座, 实用新型, 2017, 第 1 作者, 专利号: 206649054

   

[1] 蔡莉. Effect of temperature on heavy ion-induced single event transient on 16-nm FinFET inverter chains. 中国物理B[J]. 2023, 32(4): 046101-1, [2] Ye, Bing, Cai, Li, Wu, Zhaoxi, Luo, Jie, He, Ze, Gao, Shuai, Liu, Yuzhu, Zhai, Pengfei, Mo, Rigen, Sun, Youmei, Liu, Jie. Investigation of radiation response for III-V binary compound semiconductors due to protons using Geant4. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS[J]. 2022, 529: 38-48, http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2022.08.011.
[3] Ye, Bing, Mo, LiHua, Zhai, PengFei, Cai, Li, Liu, Tao, Yin, YaNan, Sun, YouMei, Liu, Jie. Impact of heavy ion energy and species on single-event upset in commercial floating gate cells. MICROELECTRONICS RELIABILITY[J]. 2021, 120: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2021.114128.
[4] Wang, Haibin, Dai, Xixi, Ibrahim, Younis Mohammed Younis, Sun, Hongwen, Nofal, Issam, Cai, Li, Guo, Gang, Shen, Zicai, Chen, Li. A Layout-Based Rad-Hard DICE Flip-Flop Design. JOURNAL OF ELECTRONIC TESTING-THEORY AND APPLICATIONS[J]. 2019, 35(1): 111-117, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000461385300009.
[5] Wang, Haibin, Dai, Xixi, Wang, Yangsheng, Nofal, Issam, Cai, Li, Shen, Zicai, Sun, Wanxiu, Bi, Jinshun, Li, Bo, Guo, Gang, Chen, Li, Baeg, Sang. A single event upset tolerant latch design. MICROELECTRONICS RELIABILITY[J]. 2018, 88-90: 909-913, http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2018.07.019.
[6] Yang, Weitao, Du, Xuecheng, He, Chaohui, Shi, Shuting, Cai, Li, Hui, Ning, Guo, Gang, Huang, Chengliang. Microbeam Heavy-Ion Single-Event Effect on Xilinx 28-nm System on Chip. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE[J]. 2018, 65(1): 545-549, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000422922000005.
[7] 史淑廷, 郭刚, 刘建成, 蔡莉, 陈泉, 沈东军, 惠宁, 张艳文, 覃英参, 韩金华, 陈启明, 张付强, 殷倩, 肖舒颜. 半导体器件内离子有效LET值测量方法研究. 电子学报[J]. 2018, 46(10): 2546-2550, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7000885889.
[8] 李丽丽, 汪栋, 刘夏杰, 吕永红, 李坤锋, 蔡莉, 史淑廷, 惠宁, 郭刚. 65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究. 原子能科学技术[J]. 2018, 52(7): 1326-1334, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675972444.
[9] 蔡莉, 刘建成, 覃英参, 李丽丽, 郭刚, 史淑廷, 吴振宇, 池雅庆, 惠宁, 范辉, 沈东军, 何安林. 温度对TFT SRAM单粒子翻转及其空间错误率预估的影响. 原子能科学技术[J]. 2018, 52(4): 750-755,  http://dx.doi.org/10.7538/yzk.2017.youxian.0420.
[10] Chi, Yaqing, Song, Ruiqiang, Shi, Shuting, Liu, Biwei, Cai, Li, Hu, Chunmei, Guo, Gang. Characterization of Single-Event Transient Pulse Broadening Effect in 65 nm Bulk Inverter Chains Using Heavy Ion Microbeam. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE[J]. 2017, 64(1): 119-124, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000396404500018.

   

（ 1 ） 纳米器件单粒子效应敏感区重离子微束定位分析技术, 参与, 国家级, 2017-01--2021-12
（ 2 ） 质子重离子****, 主持, 国家级, 2016-01--2020-12