基本信息
蔡莉  女  硕导  中国科学院近代物理研究所
电子邮件: caili@impcas.ac.cn
通信地址: 甘肃省兰州市城关区渭源路街道中科院近代物理研究所工艺楼
邮政编码:

研究领域

元器件单粒子效应

       宇宙空间中存在大量高能带电粒子,入射半导体器件敏感区会诱发单粒子效应,严重影响航天器在轨寿命和可靠运行。基于重离子加速器地面模拟装置开展辐照试验技术及效应机理研究。

招生信息

   
招生专业
070205-凝聚态物理
招生方向
元器件单粒子效应

教育背景

2012-09--2017-06   中国原子能科学研究院   理学博士
2006-09--2009-07   中国原子能科学研究院   工学硕士,核技术及应用专业
2001-09--2005-06   兰州大学   理学学士,物理学专业
学历

博士研究生

学位

理学博士

工作经历

   
工作简历
2011-03~2020-05,中国原子能科学研究院, 助理研究员,副研究员,理学博士,辐射效应研究室主任助理,重离子组组长,国防抗辐照应用技术创新中心机理研究部主任
2010-04~2011-03,日本高崎量子应用研究所, 访问学者
2009-08~2010-03,中国原子能科学研究院, 研究实习员

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 单粒子效应重离子微束辐照试验技术及装置, 二等奖, 部委级, 2018
专利成果
( 1 ) 一种用于单粒子效应辐照实验的样品座, 实用新型, 2017, 第 1 作者, 专利号: 206649054

出版信息

   
发表论文
(1) A Layout-based Rad-hard DICE Flip-Flop Design, Journal of Electronic Testing, 2019, 第 6 作者
(2) 65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究, 原子能科学技术, 2018, 第 6 作者
(3) A Single Event Upset Tolerant Latch Design, Microelectronics Reliability, 2018, 第 5 作者
(4) Microbeam Heavy-Ion Single-Event Effect on Xilinx 28-nm System on Chip, IEEE Trans. on Nucl. Sci, 2018, 第 5 作者
(5) 半导体器件内离子有效LET值测量方法研究, 电子学报, 2018, 第 4 作者
(6) 温度对SRAM单粒子翻转及其空间错误率预估的影响, Effect of Temperature on Single Event Upset of TFT SRAM and Its Space Error Rate Prediction, 原子能科学技术, 2018, 第 1 作者
(7) 65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究, 原子能科学技术, 2017, 第 3 作者
(8) Characterization of Single-Event Transient Pulse Broadening Effect in 65 nm Bulk Inverter Chains Using Heavy Ion Microbeam, IEEE Trans. on Nucl. Sci, 2017, 第 5 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 纳米器件单粒子效应敏感区重离子微束定位分析技术, 参与, 国家级, 2017-01--2021-12
( 2 ) 质子重离子****, 主持, 国家级, 2016-01--2020-12