主要从事金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD：Metal-organic Chemical Vapor Deposition）生长低维材料及其分析表征的研究。MOCVD是材料外延的重要方法，是半导体光电子研究领域内的重要基础设施。具体到应用器件，主要包括研究大功率应变量子阱半导体激光器材料的高质量外延生长、量子点与纳米线等低维材料的生长、1.55μm光通讯用激光器的生长以及高In组分低位错密度InGaAs探测器材料（探测波长大于2.5μm）的生长等。

拟招收有兴趣于薄膜材料生长的硕士研究生。主要从事高In组分大失配低位错密度的InGaAs探测器材料的生长与研究（获得国家基础研究“973”计划支持）。航天对地遥感和空间天文观测对高性能近红外核心探测器件有明确需求，在全球气候观测、农林普查、国土资源探测、环境监测、深空探测和天文观测等领域具有重大作用。延伸波长（大于2.5μm）的高质量InGaAs材料是高性能近红外探测器的瓶颈。因此，研究III-V族铟镓砷（InGaAs）近红外光电探测材料高质量生长的基础问题，获得近红外探测材料与器件的新机理、新结构、新方法，实现高性能航天级近红外InGaAs探测材料的研发，为航天应用提供科学支撑，应用广泛，其研究有重要的发展前景与意义。学生从事此方面的研究，能获得材料理论、MOCVD生长理论与实践、材料表征、器件分析等方面的系统训练，能够为日后从事材料类和光电子类事业积累大量的经验和研究素养。

070205-凝聚态物理

光电材料与器件，半导体光电子学

2002-08--2008-06 中国科学院半导体研究所 工学博士
1998-08--2002-07 清华大学 学士

2008年获得工学博士学位（中国科学院半导体研究所）
2002年获得工学学士学位（清华大学材料科学与工程系）

2008年获得工学博士学位（中国科学院半导体研究所）
2002年获得工学学士学位（清华大学材料科学与工程系）

   

2010-09--今 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 副研究员
2008-06--2010-08 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 助理研究员

   

（1） 半导体激光合束技术及其应用，一等奖，省级，2010

[1] 张建伟, 宁永强, 张星, 周寅利, 黄佑文, 曾玉刚, 王立军. 一种发射相干激光的垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN: CN111613967A, 2020-09-01.

[2] 张建伟, 宁永强, 张星, 曾玉刚, 张继业, 黄佑文, 秦莉, 王立军. 垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN: CN109193341B, 2020-07-24.

[3] 梁磊, 王彪, 张星, 秦莉, 陈泳屹, 陈超, 吴昊, 贾鹏, 张建伟, 周寅利, 曾玉刚, 王玉冰, 宁永强, 王立军. 一种平面光波导、其制备方法及热光器件. CN: CN109239843B, 2020-01-14.

[4] 张建伟, 宁永强, 张星, 曾玉刚, 秦莉, 王立军. 一种半导体芯片结构. CN: CN107565377B, 2019-12-24.

[5] 梁磊, 张建, 张星, 秦莉, 曾玉刚, 宁永强, 王立军. 一种基于脊形有源区弱波导的半导体光放大器. CN: CN106961071B, 2019-12-24.

[6] 曾玉刚, 缪国庆, 宁永强, 王立军. 一种采用LP-MOCVD系统生长低位错密度高铟组分铟镓砷材料的方法. 中国: CN103397376A, 2013-11-20.

[7] 汪丽杰, 佟存柱, 杨晔, 王立军, 曾玉刚, 张俊. 布拉格反射波导双光束激光器及其应用方法. 中国: CN102709810A, 2012-10-03.

[8] 杨晔, 佟存柱, 汪丽杰, 王立军, 曾玉刚, 刘云. 低发散角全布拉格反射波导半导体激光器阵列. 中国: CN102611002A, 2012-07-25.

[9] 张建伟, 宁永强, 秦莉, 刘云, 曾玉刚, 王立军. 高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器. 中国: CN102611000A, 2012-07-25.

[10] 汪丽杰, 佟存柱, 王立军, 曾玉刚, 刘云, 张俊. 低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器. 中国: CN102324696A, 2012-01-18.

[11] 刘云, 王立军, 单肖楠, 赵智玉, 宁永强, 秦莉, 曾玉刚, 曹军胜, 佟存柱. 半导体激光器台式旋转装置. 中国: CN102244363A, 2011-11-16.

   

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（1） 795nm 微型铷原子钟用的高温垂直腔面发射激光器材料生长与器件研制，主持，国家级，2012-01--2014-12
（2） 适配体系异质探测材料的低缺陷生长研究，主持，国家级，2012-01--2013-12
（3） 高质量III-V纳米异质结构MOCVD外延生长，参与，部委级，2011-01--2011-12
（4） 垂直腔面发射大功率激光器的材料生长与器件研究，主持，市地级，2010-07--2012-12
（5） GaAs光阴极材料生长，主持，其他级，2010-05--2011-12
（6） 大功率半导体激光器材料生长，参与，研究所（学校）级，2009-07--2013-12

与中科院半导体研究所、南京理工大学、重庆大学、上海技术物理研究所和上海微系统研究所等有着密切的研究合作和项目合作。

与中科院半导体研究所、南京理工大学、重庆大学、上海技术物理研究所和上海微系统研究所等有着密切的研究合作和项目合作。