半导体激光技术、半导体光电子器件、光电子器件可靠性分析

具有物理、电子科学与技术、光学工程等专业背景；

具有基本的英语听读写能力；

掌握一门计算机语言；

具有科研项目经验的优先考虑。

080901-物理电子学
080300-光学工程
070207-光学

半导体激光技术
半导体光电子器件
光电子器件可靠性

2003-09--2008-06   中国科学院长春光学精密机械与物理研究所   博士/博士
1999-09--2003-06   吉林大学   本科/学士

博士

2019-12~, 中国科学院西安光学精密机械研究所, 研究员
2016-11~2019-11,中国科学院西安光学精密机械研究所, 副研究员
2014-03~2015-03,美国里海大学, 访问学者
2010-04~2016-11,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 副研究员
2009-03~2010-03,新加坡南洋理工大学, Postdoctoral Research Fellow

2019-12~现在, 中国科学院西安光学精密机械研究所, 研究员
2016-11~2019-11,中国科学院西安光学精密机械研究所, 副研究员
2014-03~2015-03,美国里海大学, 访问学者
2010-04~2016-11,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 副研究员
2009-03~2010-03,新加坡南洋理工大学, Postdoctoral Research Fellow

2021-11-01-今,中科院xxx专家组成员,

   

（1） 国家高层次人才特殊支持计划, 一等奖, 国家级, 2023
（2） 陕西省青年科技新星, 省级, 2016
（3） 陕西省****, 省级, 2016
（4） 半导体激光发射器, 一等奖, 部委级, 2014
（5） 高光束质量大功率垂直腔面发射激光器列阵, 省级, 2013

[1] 李特, 张佳晨. 一种高可靠性大功率半导体器件封装系统. CN: CN218945828U, 2023-05-02.
[2] 李特, 陈琅, 王贞福, 于学成. 单管激光芯片的均温轻量化热沉及光纤耦合半导体激光器. CN: CN115241734B, 2023-01-06.
[3] 陈琅, 李特, 王贞福, 于学成. 一种光源芯片阵列散热结构. CN: CN113659426B, 2023-01-06.
[4] 王贞福, 李特, 陈琅, 张佳晨. 一种高功率准连续巴条芯片. CN: CN115275767A, 2022-11-01.
[5] 王贞福, 李特. 一种非氧化型隧道结串联多量子阱结构VCSELs器件的制备方法. CN: CN115275778A, 2022-11-01.
[6] 李特, 陈琅, 王贞福, 于学成. 单管激光芯片的均温轻量化热沉及光纤耦合半导体激光器. CN: CN115241734A, 2022-10-25.
[7] 陈琅, 李特, 刘嘉辰, 王贞福, 于学成. 一种基于微通道次级衬底的半导体激光器. CN: CN115000802A, 2022-09-02.
[8] 陈琅, 李特, 王贞福, 于学成. 一种用于功率芯片的嵌入式冷却热沉及半导体器件. CN: CN114823581A, 2022-07-29.
[9] 张佳晨, 李特. 一种精确控制正装芯片焊料厚度的芯片结构及制备方法. GF, 2021-12-13.
[10] 李特, 张佳晨. 一种精确控制倒装半导体激光巴条焊料厚度的芯片结构及制备方法. GF, 2021-12-13.
[11] 陈琅, 李特, 杨秉青, 王贞福. 一种应用于功率芯片的小型化散热装置及半导体器件. CN202111495779.5, 2021-12-09.
[12] 陈琅, 李特, 杨秉青, 王贞福. 一种功率芯片的小型化封装. GF, 2021-11-15.
[13] 陈琅, 李特, 王贞福. 一种自冷却半导体激光器. CN202111159744.4, 2021-09-30.
[14] 王贞福, 李特. 一种微通道半导体激光器气液混合制冷装置. CN: CN213816737U, 2021-07-27.
[15] 王贞福, 李特. 一种用于单管芯片腔面和电极显微观察的固定装置. CN: CN213813314U, 2021-07-27.
[16] 王贞福, 李特. 一种用于巴条芯片腔面和电极显微观察的固定装置. CN: CN213813315U, 2021-07-27.
[17] 陈琅, 李特, 王贞福. 一种光源芯片阵列散热结构. CN202110814408.2, 2021-07-19.
[18] 陈琅, 李特, 王贞福. 一种应用于高功率半导体光源芯片的冷却热沉及叠阵. CN202121102077.1, 2021-05-21.
[19] 陈琅, 李特, 王贞福. 一种应用于高功率光源芯片的面阵喷射降压强化散热装置. CN202121102033.9, 2021-05-21.
[20] 陈琅, 李特, 王贞福. 一种应用于高功率半导体光源芯片的二维平面冷却装置. GF, 2021-03-29.
[21] 王贞福, 李特. 一种高速气体携带制冷剂冷却微通道半导体激光器的方法及装置. CN: CN112510481A, 2021-03-16.
[22] 王贞福, 李特. 一种半导体激光器腔面光学灾变损伤峰值功率的测试装置. CN: CN212658422U, 2021-03-05.
[23] 王贞福, 李特, 杨国文. 一种半导体激光器腔面光学灾变损伤峰值功率的测试方法及装置. CN: CN112051036A, 2020-12-08.

   

[1] 陈琅, 刘嘉辰, 张佳晨, 王贞福, 王丹, 李特. 半导体激光器低热阻液冷热沉研究现状与展望. 材料导报null. 2022, [2] 吴顺华, 刘国军, 王贞福, 李特. 低温808 nm高效率半导体激光器. 发光学报null. 2022, [3] 吴顺华, 李特, 王丹, 王贞福, 刘国军. Optimization of the epitaxial structure of low-loss 885nm high-power laser diodes. Spienull. 2021, https://www.spiedigitallibrary.org/conference-proceedings-of-spie/11907/1190714/Optimization-of-the-epitaxial-structure-of-low-loss-885nm-high/10.1117/12.2602879.full?SSO=1.
[4] 常奕栋, 王贞福, 张晓颖, 杨国文, 李特, 杜宇琦, 赵宇亮, 刘育衔, 兰宇. 808nm半导体激光芯片波导优化与效率特性. 发光学报[J]. 2021, 42(7): [5] 杜宇琦, 王贞福, 张晓颖, 杨国文, 李特, 刘育衔, 李波, 常奕栋, 赵宇亮, 兰宇. 高功率半导体激光列阵芯片测试表征与仿真优化. 发光学报[J]. 2021, 674-681, https://kns.cnki.net/KCMS/detail/detail.aspx?dbcode=CJFQ&dbname=CJFDAUTO&filename=FGXB202105011&v=MjQ0ODF5clRiTEc0SE5ETXFvOUVaWVI4ZVgxTHV4WVM3RGgxVDNxVHJXTTFGckNVUjd1ZlllUnZGeXZtVXJyTkk=.
[6] Liu, Yuxian, Yang, Guowen, Wang, Zhenfu, Li, Te, Tang, Song, Zhao, Yuliang, Lan, Yu, Demir, Abdullah. High-power operation and lateral divergence angle reduction of broad-area laser diodes at 976 nm. OPTICS AND LASER TECHNOLOGY[J]. 2021, 141: http://dx.doi.org/10.1016/j.optlastec.2021.107145.
[7] 常奕栋, 王贞福, 张晓颖, 杨国文, 李特, 杜宇琦, 赵宇亮, 刘育衔, 兰宇. 808 nm半导体激光芯片波导优化与效率特性分析. 发光学报[J]. 2021, 42(7): 1040-1048, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7105119044.
[8] 兰宇, 杨国文, 刘育衔, 赵宇亮, 王贞福, 李特. 808nm broad-area laser diodes designed for high efficiency at high-temperature. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY[J]. 2021, 36: [9] 李波, 王贞福, 仇伯仓, 杨国文, 李特, 赵宇亮, 刘育衔, 王刚, 白少博, 杜宇琦. 高功率半导体激光阵列的高温特性机理. 发光学报[J]. 2020, 41(9): 1158-1164, [10] 李波, 王贞福, 仇伯仓, 杨国文, 李特, 赵宇亮, 刘育衔, 王刚, 白少博. 高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能的影响. 光子学报[J]. 2020, 49(9): 25-32, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7102689228.
[11] Zhao Yuliang, Wang Zhenfu, Yang Guowen, Li Te, Song Yunfei, Qi Luhan, Wang Gang, Liu Yuxian, Li Bo, Bai Shaobo, Zhu J, Chen W, Zhang Z, Zhong M, Wang P, Qiu J. Research on 940nm kilowatt high efficiency quasi-continuous diode laser bars. 14TH NATIONAL CONFERENCE ON LASER TECHNOLOGY AND OPTOELECTRONICS (LTO 2019)null. 2019, 11170: [12] Wang, Zhenfu, Li, Te, Yang, Guowen, Song, Yunfei. Development of 808 nm Quasi-Continuous Wave Laser Diode Bar with 600 W Output Power. ZHONGGUO JIGUANG/CHINESE JOURNAL OF LASERS[J]. 2017, 44(6): http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/29185.
[13] Song YunFei, Wang ZhenFu, Li Te, Yang GuoWen. Efficiency analysis of 808 nm laser diode array under different operating temperatures. ACTA PHYSICA SINICA[J]. 2017, 66(10): http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/29177.
[14] Wang, Zhenfu, Li, Te, Yang, Guowen, Song, Yunfei. High power, high efficiency continuous-wave 808 nm laser diode arrays. OPTICS AND LASER TECHNOLOGY[J]. 2017, 97: 297-301, http://dx.doi.org/10.1016/j.optlastec.2017.07.015.
[15] 王贞福, 李特, 杨国文, 宋云菲. 808nm准连续600W高功率半导体激光芯片研制. 中国激光[J]. 2017, 44(6): 0601004-1, [16] Li, T, Hao, E, Zhang, Y. High power, 1060-nm diode laser with an asymmetric hetero-waveguide. QUANTUM ELECTRONICS[J]. 2015, 45(7): 607-609, [17] Li Te, Hao ErJuan, Zhang Yue. An asymmetric heterostructure waveguide structure for semiconductor lasers. JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES[J]. 2015, 34(5): 613-618, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000364267400017.
[18] 李特. Optimization of waveguide structure of high power 1060nm diode laser. Journal of infrared millimeter waves. 2012, [19] 李特. Optimization of active region for promising uncooled continuous wave 1.55_m high power diode laser. Laser Physics Letter. 2012, 

   

（ 1 ） Xxx 半导体激光泵浦源, 负责人, 国家任务, 2018-03--2019-09
（ 2 ） 高效率960nm 半导体激光器研究, 负责人, 地方任务, 2018-01--2019-12
（ 3 ） 高效率1500nm半导体激光器研究, 负责人, 地方任务, 2017-01--2018-12
（ 4 ） 高功率、高特征温度InP基半导体激光器研究, 负责人, 地方任务, 2016-11--2018-11
（ 5 ） Xxx 半导体激光器件, 负责人, 国家任务, 2020-09--2022-07
（ 6 ） xxx高功率半导体激光研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2021-12
（ 7 ） 隧道结千瓦级高功率半导体激光器研究, 负责人, 研究所自主部署, 2021-11--2022-12
（ 8 ） 808nm半导体激光产业化, 负责人, 境内委托项目, 2021-07--2022-06
（ 9 ） xxx热管理特性及演示验证, 负责人, 国家任务, 2022-08--2024-08

现指导学生

邓丽婷  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

黄维洲  硕士研究生  080901-物理电子学  

马雪欢  博士研究生  080901-物理电子学  

孟庆楷  硕士研究生  085400-电子信息