基本信息
宋文雄  男  硕导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: songwx@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080501-材料物理与化学
招生方向
相变存储器
阈值转变机理
新型非易失性存储器

教育背景

2009-09--2015-10   上海大学   博士
2005-09--2009-06   武汉科技大学   学士

工作经历

   
工作简历
2017-11~2023-06,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员、副研究员
2015-10~2017-10,中国工程物理研究院北京计算科学研究中心, 博士后
2009-09~2015-10,上海大学, 博士
2005-09~2009-06,武汉科技大学, 学士

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 2019年中国材料研究学会科学技术奖, 一等奖, 省级, 2019
专利成果
( 1 ) 相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN109935688B

( 2 ) 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112397644A

( 3 ) 一种石墨烯-相变材料结构、存储器单元及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111725396A

( 4 ) 一种相变材料结构、存储器单元及其制作方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111725397A

( 5 ) 一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: 202010058952.4

出版信息

   
发表论文
(1) Fabrication of stable multi-level resistance states in a Nb-doped Ge2Sb2Te5 device, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2023, 第 3 作者
(2) Toward the Speed Limit of Phase Change Memory, Advanced Materials, 2023, 第 2 作者
(3) Minimizing the Programming Power of Phase Change Memory by Using Graphene Nanoribbon Edge‐Contact, ADVANCED SCIENCE, 2022, 第 13 作者
(4) Study of Er-Sb and Er-Te parental alloys used in phase change memory, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2022, 通讯作者
(5) Designing artificial carbon clusters using Ge2Sb2Te5/C superlattice-like structure for phase change applications, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 第 2 作者
(6) Phase-change memory based on matched Ge-Te, Sb-Te, and In-Te octahedrons: Improved electrical performances and robust thermal stability, INFOMAT, 2021, 第 3 作者
(7) Observing the spontaneous formation of a sub-critical nucleus in a phase-change amorphous material from ab initio molecular dynamics, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2021, 通讯作者
(8) High performance of Er-doped Sb2Te material used in phase change memory, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 通讯作者
(9) Rules of hierarchical melt and coordinate bond to design crystallization in doped phase change materials, NATURE COMMUNICATIONS, 2021, 通讯作者
(10) Improving the performance of phase-change memory by grain refinement, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 通讯作者
(11) Phase change memory based on Ta–Sb–Te alloy –Towards a universal memory, MATERIALS TODAY PHYSICS, 2020, 第 5 作者
(12) Microscopic Mechanism of Carbon-Dopant Manipulating Device Performance in CGeSbTe-Based Phase Change Random Access Memory, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 通讯作者
(13) The effect of thickness on texture of Ge2Sb2Te5 phase-change films, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2020, 第 8 作者
(14) Direct atomic insight into the role of dopants in phase-change materials, NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 第 2 作者
(15) Electrical switching properties and structural characteristics of GeSe-GeTe films, NANOSCALE, 2019, 通讯作者
(16) Sc-Centered Octahedron Enables High-Speed Phase Change Memory with Improved Data Retention and Reduced Power Consumption, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 第 8 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 碳掺杂锗锑碲相变存储材料非晶形核、晶粒细化及低功耗的机理研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2022-12
( 2 ) 相变材料与阈值转变开关材料优选及其阈值转变机理研究, 参与, 国家任务, 2019-01--2022-12
( 3 ) Bi2X3基超晶格相变材料与器件及其低功耗高速阈值转变机理, 参与, 国家任务, 2022-01--2025-12
( 4 ) 新型存储的物理机理研究, 参与, 中国科学院计划, 2020-01--2024-12
( 5 ) 新一代高速低功耗嵌入式相变存储芯片, 参与, 地方任务, 2020-01--2024-12
( 6 ) 三维相变存储芯片关键材料的AI筛选及实验验证, 负责人, 国家任务, 2023-03--2027-02