080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息

半导体器件与集成技术
高可靠性器件辐射效应

2006-09--2011-07   中国科学院新疆理化技术研究所   博士

   

2020-05~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2016-10~2020-05,北京中科新微特科技开发股份有限公司, 副总经理
2011-07~2016-09,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2006-09~2011-07,中国科学院新疆理化技术研究所, 博士

   

（ 1 ） 一种器件热传导无损失效分析方法及装置, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN106841240A

（ 2 ） 一种板级系统局部芯片辐照装置, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN205317864U

（ 3 ） 一种功率VDMOS器件低温远程在线测试系统, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103675639A

（ 4 ） 一种具有纵向屏蔽栅的Trench MOSFET及其加工方法, 2014, 第 4 作者, 专利号: CN103904119A

（ 5 ） 一种具有网状外延结构的超结MOSFET, 2014, 第 5 作者, 专利号: CN103904120A

（ 6 ） 一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN203588990U

（ 7 ） 封装元器件的高温存储架, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN203521387U

   

（1） System Anslysis and PHM Methods for Power Devices Based on Physics-of-Failure, International Conference on Dependable Systems and Their Applications, 2017, 第 2 作者
（2） 国产中高压抗辐照功率MOSFET单粒子效应, Single event effects for domestic radiation-hardened power MOSFET devices, 太赫兹科学与电子信息学报, 2016, 第 1 作者
（3） Prognostics and Health Management for VDMOS Basedon Physics-of-Failure, 2016, 第 3 作者
（4） Failure Analysis of the VDMOS Device with VSD and RDS (on) Exceeded Limit Based on Reliability Physics, 2016, 第 2 作者
（5） 半导体器件金铝键合的寿命研究, Study on the Lifetime of Gold-Aluminum Bonding in Semiconductor Devices, 微电子学, 2015, 第 3 作者
（6） 功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究, Investigation into Low Dose Rate Radiation Damage Effects of Radiation Hardened Power VDMOS Devices, 微电子学, 2013, 第 1 作者
（7） PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究, Research on Enhanced Low Dose Rate Sensitivity Effect for PMOSFET Used in Space Dosimeter, 原子能科学技术, 2013, 第 1 作者
（8） The effects of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO_2-Si_3N_4 films, CHINESE PHYSICS B, 2013, 通讯作者
（9） 星用功率VDMOS器件SEGR效应研究, Single event effects of power VDMOS device used in satellites, 核技术, 2012, 第 2 作者
（10） Research on the total dose effects for domestic VDMOS devices used in satellite, ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 通讯作者
（11） 国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究, Research on the total dose effects for domestic VDMOS devices used in satellite, 物理学报, 2012, 第 1 作者

   

（ 1 ） 空间辐射环境下Trench MOSFET的单粒子效应机理及其评估方法研究, 参与, 地方任务, 2020-07--2023-06
（ 2 ） 75W P沟道场效应晶体管, 参与, 国家任务, 2018-01--2021-12
（ 3 ） PMOS场效应管-RCS7382T2, 参与, 国家任务, 2017-01--2021-12
（ 4 ） MOS型场效应晶体管-兼容57160, 参与, 国家任务, 2017-01--2021-12
（ 5 ） 场效应晶体管-仿制7465, 参与, 国家任务, 2015-06--2021-05
（ 6 ） 场效应晶体管-仿制9150, 参与, 国家任务, 2015-06--2021-05

（1）功率VDMOS器件单粒子辐射损伤效应研究    第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)   2014-01-01
（2）功率VDMOS器件瞬态剂量率辐照机理及加固方法   中国核学会学术年会   2013-09-11
（3）国产抗辐照功率VDMOS器件在航天中应用   全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会   2013-07-22
（4）一种抗核加固功率VDMOS器件瞬时电离辐射效应研究 一种抗核加固功率VDMOS器件瞬时电离辐射效应研究    第十六届全国核电子学与核探测技术学术年会   2012-08-15