基本信息
耿玓  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: digeng@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
IGZO 3D DRAM
先进显示技术
氧化物薄膜晶体管

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 制备共面型铟镓锌氧薄膜晶体管的方法及薄膜晶体管, [[[", 第 4 作者, 专利号: [[[CN111696868A]]]

( 2 ) 一种晶体管及存储器, 2023, 第 2 作者, 专利号: 2023102125617

( 3 ) 一种TFT沟道缺陷态密度的提取方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113658881A

( 4 ) 一种磁随机存储器数据写入方法及写入装置, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN113643737A

( 5 ) 一种像素电路、显示设备及像素补偿方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113487994A

( 6 ) 一种栅极驱动电路、驱动方法及GOA电路, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113380172A

( 7 ) 一种栅极驱动装置、驱动方法、栅极驱动设备和显示系统, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113380198A

( 8 ) 一种显示阵列的驱动电路及驱动方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111445842B

( 9 ) 一种像素电路、像素电路的驱动方法及显示装置, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113096589A

( 10 ) 一种发光驱动电路、方法及显示驱动电路, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112992042A

( 11 ) 薄膜晶体管的设计方法, 2021, 第 4 作者, 专利号: CN112307625A

( 12 ) 基于氧化锌纳米线的压力传感器及其制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN112271250A

( 13 ) 基于薄膜晶体管的压力传感器及其制备方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN112271247A

( 14 ) 基于氧化物纳米线的压力传感器结构及其制备方法, 2021, 第 6 作者, 专利号: CN112271248A

( 15 ) 一种模拟人工感知神经元的方法及电路, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111985633A

( 16 ) 一种对检测到的信号进行处理的方法及电路, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN111933197A

( 17 ) 铟镓锌氧薄膜晶体管的掺杂方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111710609A

( 18 ) 共面铟镓锌氧薄膜晶体管及其制备方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111682074A

( 19 ) 一种二维材料超晶格器件及制作方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111653613A

( 20 ) 一种双栅薄膜晶体管及其制作方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111640673A

( 21 ) 一种形成金属引线的方法及二维材料器件, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN111640662A

( 22 ) 可应用于同时发光的像素电路及其驱动方法、显示装置, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111489696A

( 23 ) 具有电压补偿功能的像素电路及其驱动方法、显示面板, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111489697A

( 24 ) 一种多介质检测传感器及其制作方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111415993A

( 25 ) 像素补偿电路及其控制方法、显示驱动装置、显示设备, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111383598A

( 26 ) 光学晶体管及其制备方法, 2020, 第 9 作者, 专利号: CN111048622A

( 27 ) 阻变存储器的制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN110459676A

( 28 ) 场效应晶体管及其制备方法, 2019, 专利号: CN110323277A

( 29 ) 一种薄膜晶体管及制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110190131A

( 30 ) 纳米级晶体管及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110176489A

( 31 ) 场效应晶体管制备方法及场效应晶体管, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110112073A

( 32 ) 场效应晶体管及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110098256A

( 33 ) 场效应晶体管制备方法及场效应晶体管, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110061063A

( 34 ) 阻变存储器的制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109920911A

( 35 ) 阻变存储器, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109904314A

( 36 ) 基于二维材料的晶体管及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109671781A

( 37 ) 一种阻变存储器, 2019, 专利号: CN109585648A

( 38 ) 一种阻变存储器, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109585648A

( 39 ) 一种阻变存储器的制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109524544A

( 40 ) 无边框显示结构及无边框显示器, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109272957A

( 41 ) 像素扫描的驱动电路及方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109243357A

( 42 ) 基于纳米带的晶体管及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN109119485A

( 43 ) 一种用于测量二维半导体材料的磁阻的装置及其制作方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108807211A

( 44 ) 像素补偿电路, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108806606A

( 45 ) 像素补偿电路, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107967896A

( 46 ) 一种阻变存储器的制备方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102569651A

出版信息

   
发表论文
(1) First Demonstration of Dual-Gate IGZO 2T0C DRAM with Novel Read Operation, One Bit Line in Single Cell, ION=1500 µA/µm@VDS=1V and Retention Time>300s, 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022, 第 13 作者
(2) Inter-Layer Dielectric Engineering for Monolithic Stacking 4F2 -2T0C DRAM with Channel-All-Around (CAA) IGZO FET to Achieve Good Reliability (>10^4 s Bias Stress, >10^12 Cycles Endurance), 2022 International Electron Devices Meeting (IEDM), 2022, 通讯作者
(3) Vertical Channel-All-Around (CAA) IGZO FET under 50 nm CD with High Read Current of 32.8 μA/μm (Vth + 1 V), Well-performed Thermal Stability up to 120 ℃ for Low Latency, High-density 2T0C 3D DRAM Application, 2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2022, 通讯作者
(4) Novel TFT-Based emission driver in high performance AMOLED display applications, ORGANIC ELECTRONICS, 2021, 通讯作者
(5) Analytical Surface Potential-Based Compact Model for Independent Dual Gate a-IGZO TFT, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2021, 第11作者
(6) A Novel Dynamic Time Method for Organic Light-Emitting Diode Degradation Estimation in Display Application, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2021, 通讯作者
(7) Understanding the adsorption behavior of small molecule in MoS2 device based on first-principles calculations, MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2021, 第 4 作者
(8) Analog Monolayer MoS2 Transistor with Record-high Intrinsic Gain (> 100 dB) and Ultra-low Saturation Voltage (< 0.1 V) by Source Engineering, 2021 Symposium on VLSI Technology, 2021, 第11作者
(9) Spike Encoding with Optic Sensory Neurons Enable a Pulse Coupled Neural Network for Ultraviolet Image Segmentation, NANO LETTERS, 2020, 第 9 作者
(10) A New Surface Potential Based Compact Model for Independent Dual Gate a-IGZO TFT: Experimental Verification and Circuit Demonstration, 2020 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM), 2020, 通讯作者
(11) Study of Positive-Gate-Bias-Induced Hump Phenomenon in Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 通讯作者
(12) Investigation of positive bias temperature instability for monolayer polycrystalline MoS2 field-effect transistors, Investigation of positive bias temperature instability for monolayer polycrystalline MoS2 field-effect transistors, SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2020, 第 6 作者
(13) Possible Luttinger liquid behavior of edge transport in monolayer transition metal dichalcogenide crystals, NATURE COMMUNICATIONS, 2020, 第 15 作者
(14) In-pixel temperature sensor for high-luminance active matrix micro-light-emitting diode display using low-temperature polycrystalline silicon and oxide thin-film-transistors, JOURNAL OF THE SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY, 2020, 第 5 作者
(15) Understanding the transport mechanism of organic-inorganic perovskite solar cells: The effect of exciton or free-charge on diffusion length, ORGANIC ELECTRONICS, 2019, 第 3 作者
(16) Optimization of Electrical Properties of MoS2 Field-Effect Transistors by Dipole Layer Coulombic Interaction With Trap States, PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2019, 第 10 作者
(17) Charge transport mechanism in low temperature polycrystalline silicon (LTPS) thin-film transistors, AIP ADVANCES, 2019, 第 3 作者
(18) A Dual-Functional IGZO-Based Device With Schottky Diode Rectifying and Resistance Switching Behaviors, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 第11作者
(19) Room Temperature-Processed a-IGZO Schottky Diode for Rectifying Circuit and Bipolar 1D1R Crossbar Applications, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 第11作者
(20) Anomalous Positive Bias Stress Instability in MoS2 Transistors With High-Hydrogen-Concentration SiO2 Gate Dielectrics, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 通讯作者
(21) Field-Dependent Mobility Enhancement and Contact Resistance in a-IGZO TFTs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 第 8 作者
(22) Thickness of accumulation layer in amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors by Kelvin Probe Force Microscopy, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 通讯作者
(23) Dynamic Time Evolutionary Aging Analysis for Device-Circuit Lifetime Estimation of Thin-Film Transistors, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 通讯作者
(24) A Review for Compact Model of Thin-Film Transistors (TFTs), MICROMACHINES, 2018, 第 4 作者
(25) A New Velocity Saturation Model of MoS2 Field-Effect Transistors, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 通讯作者
(26) A review for polaron dependent charge transport in organic semiconductor, ORGANIC ELECTRONICS, 2018, 第 3 作者
(27) A new surface-potential-based compact model for the MoS2 field effect transistors in active matrix display applications, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 第 6 作者
(28) Photoelectric Plasticity in Oxide Thin Film Transistors with Tunable Synaptic Functions, ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 其他(合作组作者)

科研活动

   
科研项目
( 1 ) Micro-LED驱动关键技术研究, 负责人, 中国科学院计划, 2023-01--2024-12
( 2 ) 基于原子层沉积氧化物半导体薄膜晶体管的 Micro-LED 驱动研究, 负责人, 国家任务, 2022-11--2025-10
( 3 ) 高密度三维IGZO DRAM存储器ALD, 负责人, 境内委托项目, 2022-01--2024-12