基本信息
赵治国  男  硕导  其他
电子邮件: zhaozhiguo@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

研究领域

新型纳米存储器件与集成技术

三维存储器工艺与器件

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
新型纳米存储器件与集成技术
三维存储器工艺与器件

教育背景

2003-09--2006-03   天津大学   工学硕士
1997-09--2001-07   长安大学   工学学士

工作经历

   
工作简历
2012-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师
2010-09~2011-09,United Microelectronics Corporation(Singapore Branch), 资深工程师
2006-05~2010-09,中芯国际集成电路制造(北京)有限责任公司, 资深工程师
社会兼职
2016-04-04-今,长江存储科技有限责任公司, 助理技术总监

出版信息

   
发表论文
[1] 赵治国, 张永奎, 朱慧珑, 张严波, 秦长亮, 张青竹, 张月, 赵超, 存储器研发中心. 小尺寸器件的金属栅平坦化新技术. 真空科学与技术学报[J]. 2016, 36(9): 1030-1033, http://159.226.55.106/handle/172511/16102.

[2] Xu Miao, Yin Huaxiang, Zhu Huilong, Ma Xiaolong, Xu Weijia, Zhang Yongkui, Zhao Zhiguo, Luo Jun, Yang Hong, Li Chunlong, Meng Lingkuan, Hong Peizheng, Xiang Jinjuan, Gao Jianfeng, Xu Qiang, Xiong Wenjuan, Wang Dahai, Li Junfeng, Zhao Chao, Chen Dapeng, Yang Simon, Ye Tianchun. Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs. Journal of Semiconductors[J]. 2015, 36(4): 044007-1, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1091059.

[3] Zhang, Yanbo, Zhu, Huilong, Wu, Hao, Zhang, Yongkui, Zhao, Zhiguo, Zhong, Jian, Yang, Hong, Liang, Qingqing, Wang, Dahai, Li, Junfeng, Jia, Cheng, Liu, Jinbiao, Zhao, Yuyin, Li, Chunlong, Meng, Lingkuan, Hong, Peizhen, Li, Junjie, Xu, Qiang, Gao, Jianfeng, He, Xiaobin, Lu, Yihong, Zhang, Yue, Yang, Tao, Wang, Yao, Cui, Hushan, Zhao, Chao, Yin, Huaxiang, Zhong, Huicai, Yin, Haizhou, Yan, Jiang, Wang, Wenwu, Chen, Dapeng, Yu, Hongyu, Yang, Simon, Ye, Tianchun. Planar Bulk MOSFETs With Self-Aligned Pocket Well to Improve Short-Channel Effects and Enhance Device Performance. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2015, 62(5): 1411-1418, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1091057.

[4] Zhao Zhiguo. Finfet Gate Etch Towards 16nm Node CMOS Technology. ECS Transactions. 2014, 

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 专项先导工艺中心流片验证, 参与, 国家级, 2011-01--2017-12
( 2 ) 体硅FinFET与关键工艺研究, 参与, 国家级, 2013-01--2017-12
( 3 ) 面向IC的超快激光精密切割, 参与, 国家级, 2018-05--2021-05