080902-电路与系统
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息

电子系统设计自动化（EDA）
多物理场建模与仿真工具
异构集成仿真与软件工具

2008-09--2011-07   北京化工大学   研究生/工学博士
2006-09--2008-07   北京化工大学   研究生/理学硕士
2000-09--2004-07   吉林大学   本科/理学学士

   

2011-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 助理研究员，副研究员，研究员
2008-09~2011-07,北京化工大学, 研究生/工学博士
2006-09~2008-07,北京化工大学, 研究生/理学硕士
2000-09~2004-07,吉林大学, 本科/理学学士

   

（1） 28nm及特色先导工艺集成电路设计产业化关键技术与应用, 三等奖, 省级, 2018
（2） 28nm及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术及应用, 二等奖, 省级, 2018

（ 1 ） 等效物性参数确定方法及装置, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116629188A

（ 2 ） 一种CMP离散数据曲面重构方法及装置, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN110858413B

（ 3 ） 一种确定CMP工艺蝶形缺陷位置的方法及装置, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113486626A

（ 4 ） CMP芯片表面形貌仿真模型的实现方法及仿真系统, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN112131820A

（ 5 ） 基于多重自由网格的化学机械研磨工艺缺陷处理方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111581810A

（ 6 ） CMP研磨率的优化方法和优化控制系统, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111291483A

（ 7 ） 一种CMP研磨率计算方法和仿真系统, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111079287A

（ 8 ） 一种两组分研磨粒子CMP建模仿真方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111046565A

（ 9 ） 一种CMP离散数据曲面重构方法及装置, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN110858413A

（ 10 ） 一种计算CMP研磨去除率的方法及装置, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110039440A

（ 11 ） 一种W CMP多物理工艺仿真方法及系统, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109686410A

（ 12 ） 一种CMP仿真模型的建立方法及系统, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109299485A

（ 13 ） 一种FinFET器件浅沟道隔离的平坦化仿真方法及系统, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108875107A

（ 14 ） 一种高k金属栅的化学机械研磨工艺建模方法和装置, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108875098A

（ 15 ） 一种CMP工艺仿真方法和系统, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108491662A

（ 16 ） 一种FinFET器件的CMP工艺建模方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108228943A

（ 17 ） 一种CMP工艺仿真方法和系统, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107885892A

（ 18 ） 一种CMP模型参数优化方法和装置, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107633103A

（ 19 ） 一种高k金属栅表面形貌仿真的方法及系统, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107153718A

（ 20 ） 一种CMP工艺仿真方法及仿真系统, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107145614A

（ 21 ） 一种预测表面活性剂热力学性质的方法及系统, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106339517A

（ 22 ） 一种确定表面活性剂溶解吸附行为的方法及系统, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106326519A

（ 23 ） 一种沟槽淀积表面形貌仿真的方法及系统, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN106156384A

（ 24 ） 一种高分子表面活性剂溶剂化效应的计算方法和系统, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105808832A

（ 25 ） 一种高分子表面活性剂的结构稳定性判断方法及系统, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105808933A

（ 26 ） 一种抛光粒子的设计方法、抛光粒子及研磨液, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105619267A

（ 27 ） 芯片表面接触压力计算方法及变尺度可制造性设计方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105631082A

（ 28 ） 一种可制造性设计仿真器设计方法及系统, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN105426648A

（ 29 ） 一种表面形貌仿真的方法及系统, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104985522A

（ 30 ） CMP仿真模型中研磨垫与芯片表面接触压力的计算方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN104021247A

（ 31 ） 一种化学机械研磨液配置优化的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103231311A

（ 32 ） 一种化学机械研磨液配置优化的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103236397A

（ 33 ） 一种化学机械研磨工艺中晶圆表面清洗液配置的优化方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103231304A

（ 34 ） 一种芯片表面形貌仿真的方法及装置, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103226627A

（ 35 ） 确定铝金属栅芯片表面形貌的方法和系统, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103123922A

（ 36 ） 一种铝栅CMP协同计算模型的仿真及优化方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103020383A

（ 37 ） 铝栅CMP化学反应动力学仿真及版图设计优化方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN103020384A

（ 38 ） 计算晶圆表面研磨去除率的方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN102945304A

（ 39 ） 铝金属栅化学机械研磨去除率的确定方法和系统, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102832114A

（ 40 ） 化学机械研磨去除率计算的方法及设备, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102799793A

（ 41 ） 化学机械抛光研磨液动压分布和研磨去除率的确定方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102509712A

（ 42 ） 基于浅沟道隔离技术的化学机械研磨终点检测方法及系统, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102390036A

   

（1） A Multiscale Anisotropic Thermal Model of Chiplet Heterogeneous Integration System, IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 2024, 通讯作者
（2） An Efficient Thermal Model of Wafer-scale Heterogeneous Systems for Steady-state Temperature Prediction, Microelectronics Reliability, 2023, 通讯作者
（3） Efficient transient thermal analysis of chiplet heterogeneous integration, APPLIED THERMAL ENGINEERING, 2023, 通讯作者
（4） A Physics-Based Chip-Scale Surface Profile Model for Tungsten Chemical Mechanical Planarization, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2023, 通讯作者
（5） Equivalent thermal model of through silicon via and bump for advanced packaging of integrated circuits, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2022, 通讯作者
（6） A Material Removal Rate Model for Tungsten Chemical Mechanical Planarization, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2022, 通讯作者
（7） A Neural Network-Based Approach to Material Removal Rate Prediction for Copper Chemical Mechanical Planarization, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 通讯作者
（8） A Wafer-Scale Material Removal Rate Model for Chemical Mechanical Planarization, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 通讯作者
（9） A Wafer-Scale Material Removal Rate Model for Chemical Mechanical Planarization, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2019, 通讯作者
（10） A Material Removal Rate Model for Tungsten Chemical Mechanical Planarization, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2019, 通讯作者
（11） Integral Equation Prediction of the Structure of Alternating Copolymer Nanocomposites near a Substrate, LANGMUIR, 2018, 通讯作者
（12） Integral Equation Prediction of the Structure of Alternating Copolymer Nanocomposites near a Substrate, LANGMUIR, 2018, 通讯作者
（13） An Oxide Chemical Mechanical Planarization Model for HKMG Structures, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 第 2 作者
（14） Effect of Non-Ionic Surfactant on Chemical Mechanical Planarization Performance in Alkaline Copper Slurry, INTERNATIONAL JOURNAL OF PRECISION ENGINEERING AND MANUFACTURING, 2018, 通讯作者
（15） Influence of slurry components on copper CMP performance in alkaline slurry, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2017, 通讯作者
（16） Influence of slurry components on copper CMP performance in alkaline slurry, Microelectron. Eng., 2017, 第 1 作者
（17） Phase separation of comb polymer nanocomposites, Soft Matter, 2016, 通讯作者
（18） Phase separation of comb polymer nanocomposite melts, SOFT MATTER, 2016, 通讯作者
（19） A chip-scale chemical mechanical planarization model for copper interconnect structures, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 通讯作者
（20） A Chemical Mechanical Planarization Model Including Global Pressure Distribution and Feature Size Effects, IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS PACKAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY, 2016, 通讯作者
（21） Integral equation prediction of structure of nanocomposites with polymer-grafted nanoparticles near solid surface, POLYMER, 2016, 通讯作者
（22） Thermodynamics of Ice Nucleation in Liquid Water, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY B, 2015, 第 3 作者
（23） A chemical mechanical planarization model for aluminum gate structures, MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2015, 通讯作者
（24） A Material Removal Rate Model for Aluminum Gate Chemical Mechanical Planarization, ECSJOURNALOFSOLIDSTATESCIENCEANDTECHNOLOGY, 2015, 通讯作者
（25） Integral equation theory for atactic polystyrene nanocomposite melts with a multi-site model, JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 2014, 通讯作者
（26） Structure and effective interactions of comb polymer nanocomposite melts, JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 2014, 通讯作者
（27） An aluminum gate chemical mechanical planarization model for HKMG process incorporating chemical and mechanical effects, ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2014, 通讯作者
（28） A Feature Scale Greenwood-Williamson Model for Metal Chemical Mechanical Planarization, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2013, 通讯作者
（29） A wafer-scale material removal rate profile model for copper chemical mechanical planarization, INTERNATIONAL JOURNAL OF MACHINE TOOLS & MANUFACTURE, 2011, 
（30） Structure of poly(ethylene glycol)-water mixture studied by polymer reference interaction site model theory, JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 2010, 第 1 作者
（31） Integral Equation Theory for Gas Sorption and Swelling of Glassy Atactic Polystyrene, INDUSTRIAL & ENGINEERING CHEMISTRY RESEARCH, 2010, 第 1 作者
（32） Description of the Structure of Polystyrene with Six-Site Semiflexible Model, MACROMOLECULES, 2009, 第 1 作者
（33） Improved radial distribution functions for Coulomb charged fluid based on first-order mean spherical approximation, JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 2008, 第 1 作者

   

（ 1 ） 关键EDA工具, 负责人, 其他, 2022-09--2026-09
（ 2 ） 小芯片集成电热仿真, 负责人, 中国科学院计划, 2022-10--2025-10
（ 3 ） 集成芯片XXX仿真方法, 负责人, 国家任务, 2024-01--2026-12
（ 4 ） 器件工艺仿真与智能EDA, 参与, 中国科学院计划, 2023-01--2025-12