基本信息
都安彦  男  博导  中国科学院微电子研究所
电子邮件： duanyan@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
器件可靠性和失效分析
集成电路先导工艺技术

工作经历

   
工作简历
2014-10~2017-09,Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd (Taiwan), TechicalManager,TEM developing Department,
2010-04~2014-09,GLOBALFOUNDRIES, Principal Member of Tech Staff/QRA-Failure Analysis
2007-11~2010-04,Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd Singapore, Member of Tech staff,
2002-07~2007-10,Institute of microelectronics (IME) Singapore, Senior Research Engineer
1996-04~2002-06,Tech Semiconductor Singapore PTE. LTD(now Micron DRAM fab), Senior Engineer in Failure Analysis

专利与奖励

   
专利成果
（ 1 ） 确定器件故障点的测试方法及装置、存储介质, 2021, 第 11 作者, 专利号: CN112649699A

（ 2 ） 一种电子器件及其制作方法、集成电路和电子设备, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111211110A

（ 3 ） 一种高精度的刻蚀方法, 2020, 第 4 作者, 专利号: CN110867373A

（ 4 ） 一种自对准双重图形的制备方法、硬掩模图案, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110335813A

（ 5 ） 一种半导体器件及其制作方法及包括该器件的电子设备, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN110224029A

（ 6 ） 一种基板及其制备方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103289158A