080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
080902-电路与系统

高可靠集成电路设计，存内计算电路研究，集成电路可靠性技术研究

2014-09--2019-06   中国科学院大学   博士

   

2023-12~现在, 中国科学院微电子研究所, 博士生导师
2023-11~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2018-03~2023-11,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2014-09~2019-06,中国科学院大学, 博士
2011-10~2018-02,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2009-07~2011-09,中国科学院微电子研究所, 研究实习员

   

（ 1 ） 存储器验证电路以及验证方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN110111833B

（ 2 ） 一种可控电阻型抗XX加固存储单元, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202018011056.3

（ 3 ） 一种可调电容型抗XX加固储存单元, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202018011051.0

（ 4 ） 一种集成芯片的制作方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN106407556B

（ 5 ） 一种电路仿真方法及装置, 2016, 第 1 作者, 专利号: CN106126815A

   

（1） Back gate impact on SEU characterization of a Double SOI 4k-bit SRAM, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2022, 
（2） Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM, MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 
（3） 一种新型隧穿场效应晶体管, A New Type of Tunneling-FET, 半导体技术, 2019, 第 5 作者
（4） Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM, 2016 13TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2016, 第 1 作者
（5） Experimental Study of Single Event Upset and Single Event Latch-up in SOI SRAM, 2016, 第 1 作者

   

（ 1 ） 基于SOI工艺的高可靠存储器研制, 负责人, 中国科学院计划, 2018-03--2021-12
（ 2 ） SRAM, 负责人, 国家任务, 2017-12--2021-06
（ 3 ） XXX存储器, 参与, 国家任务, 2014-10--2018-11
（ 4 ） SOI集成电路技术研究, 参与, 其他国际合作项目, 2020-01--2022-12
（ 5 ） 新型可调控SOI技术研究, 参与, 中国科学院计划, 2019-07--2022-06
（ 6 ） DRAM外围电路设计, 负责人, 其他国际合作项目, 2021-12--2023-12
（ 7 ） 高可靠SOI 存储器, 负责人, 国家任务, 2022-12--2025-12
（ 8 ） 新型存储器件加固设计研究, 负责人, 国家任务, 2022-10--2025-09