基本信息
丁芃  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: dingpeng@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 100029
部门/实验室:高频高压中心

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
射频微波器件与电路集成技术

教育背景

2007-09--2011-01   北京航空航天大学   工学博士
2004-09--2007-04   北京航空航天大学   理学硕士
2000-09--2004-06   北京航空航天大学   理学学士
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2016-01~现在, 中国科学院微电子研究所, 高级工程师
2012-10~2015-12,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2010-12~2012-09,中国科学院物理研究所, 博士后
社会兼职
   

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
   
专利成果
   

出版信息

   
发表论文
(1) Si3N4/Al2O3 Stack Layer Passivation for InAlAs/InGaAsInP-based HEMTs with Good DC and RF Performances, Journal ofthe Electron Devices Society, 2018, 第 1 作者
(2) Comparative study of Si3N4-PECVD and Al2O3-ALD surface passivation in T-shaped gate InAlAs/InGaAs InP based HEMTs, Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2018, 第 2 作者
(3) Analysis of passivation techniques in InPHEMTsand implementation of an analytical model of fT based on the small signal equivalent circuit, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 第 2 作者
(4) Ultra-thin 20 nm-PECVD-Si3N4 Surface Passivation in T-Shaped Gate InAlAs/InGaAsInP-Based HEMTs and Its Impact on DC and RF Performance, Solid State Electronics, 2016, 第 1 作者
(5) fT=260 GHz and fmax=607 GHz of 100 nm-gate In0.7Ga0.3As HEMTs with Gm,max=1441 mS/mm, Journal of Semiconductors, 2016, 第 2 作者
(6) fmax = 521 GHz的InP基In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMT器件, 第十三届全国MOCVD学术会议, 2014, 第 1 作者
(7) 100 nm gate length InAlAs/InGaAsInP-based HEMT with fT=249 GHz and fmax=415 GHz, Chinese Physics B, 2014, 第 2 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) InP基THz放大器研究, 主持, 国家级, 2018-01--2019-12
( 2 ) InP基THz宽带功率放大器芯片, 主持, 国家级, 2018-01--2019-12
( 3 ) 太赫兹HEMT器件基础研究, 参与, 国家级, 2015-01--2019-12
参与会议
(1)fmax = 521 GHz的InP基In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMT器件   第十三届全国MOCVD学术会议   2014-05-19

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生

现指导学生

杨哲  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学