基本信息
丁武昌  男  硕导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: dingwuchang@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 100029
部门/实验室:高频高压中心

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
化合物半导体器件与电路,器件模型

教育背景

2004-09--2009-06   中国科学院研究生院   博士
2000-09--2004-06   中国科学技术大学   学士

工作经历

   
工作简历
2011-10~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2011-06~2011-10,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2009-06~2011-06,中国科学院微电子研究所, 博士后
社会兼职
   

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
   
专利成果
   

出版信息

   
发表论文
(1) Ultra-thin 20nm-PECVD-Si3N4 surface passivation in T-shaped gate InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs and its impact on DC and RF performance, Solid-State Electronics, 2016, 第 3 作者
(2) Design of two dimensional silicon nanowire arrays for antireflection and light trappingin silicon solar cells, Journal of Applied Physics, 2014, 第 1 作者
(3) Numerical simulation and modeling of spectral conversion by silicon nanocrystals with multiple exciton generation, Journal of Applied Physics, 2011, 第 1 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
   
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生