080903-微电子学与固体电子学

功率半导体器件,宽禁带碳化硅电力电子器件及集成技术

2012-09--2016-06   中国科学院微电子研究所   博士
2006-09--2009-06   四川大学   硕士
2002-09--2006-06   四川大学   本科

   

（ 1 ） RC-IGBT器件及其制备方法, 专利授权, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN108649068B

（ 2 ） N沟道SiC IGBT器件的制作方法, 发明专利, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN111508837A

（ 3 ） 抗闩锁绝缘栅双极晶体管器件, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111223922A

（ 4 ） 一种碳化硅绝缘栅双极晶体管及其制作方法, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111048580A

（ 5 ） 超级结肖特基二极管与其制作方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108336129A

（ 6 ） 一种终端与有源区形成弱电连接的结构及其设计方法, 发明专利, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN103839991B

（ 7 ） 逆导型IGBT的背面结构及其制备方法, 发明专利, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN103872110B

（ 8 ） 一种碳化硅功率器件终端及其制作方法, 发明专利, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN107658213A

（ 9 ） 一种碳化硅器件终端及其制作方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107507859A

（ 10 ） 碳化硅功率器件终端及其制作方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107293599A

（ 11 ） TI-IGBT的制作方法, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN104979283A

（ 12 ） 一种TI-IGBT器件, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103872053A

（ 13 ） 一种功率器件—TI-IGBT的结构及其制备方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103839992A

（ 14 ） 一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN104009072A

（ 15 ） 一种隧穿型逆导IGBT及其制造方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103872113A

（ 16 ） 逆导型IGBT的制备方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103871876A

（ 17 ） 逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法, 发明专利, 2014, 第 2 作者, 专利号: CN103855089A

（ 18 ） 超结的制作方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103854999A

（ 19 ） 内透明集电极绝缘栅双极晶体管及其制作方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103854998A

（ 20 ） 一种逆导型IGBT器件, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103855199A

（ 21 ） 一种逆导型IGBT器件及其形成方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103855198A

（ 22 ） 用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103839993A

（ 23 ） 一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法, 发明专利, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103839989A

（ 24 ） 一种IGBT的版图, 实用新型, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN203521422U

（ 25 ） 一种低压RB-IGBT的制备方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103617955A

（ 26 ） 一种中高压IGBT终端, 实用新型, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN203134805U

（ 27 ） 一种半导体功率器件, 实用新型, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN203026509U

（ 28 ） 一种逆导型IGBT的背面版图布局, 实用新型, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN202977426U

（ 29 ） 一种高压半导体器件及其终端, 实用新型, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN202839619U

（ 30 ） 绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102856352A

（ 31 ） 微穿通型IGBT器件及其制作方法, 发明专利, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN102856353A

（ 32 ） 结终端延伸结构及其制造方法, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102842609A

（ 33 ） 一种场限环结构, 实用新型, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN202111097U

   

[1] 成国栋, 陆江, 翟露青, 白云, 田晓丽, 左欣欣, 杨成樾, 汤益丹, 陈宏, 刘新宇. 槽栅型SiC MOSFET器件单粒子响应特性研究. 微电子学. 2022, 52(3): 466-472, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7108025315.
[2] Liu, Jiawei, Lu, Jiang, Tian, Xiaoli, Chen, Hong, Bai, Yun, Liu, Xinyu. Reliability enhanced SiC MOSFET with partially widened retrograde P-well structure. ELECTRONICS LETTERS[J]. 2020, 56(23): 1273-+, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000588389600020.
[3] 冯旺, 田晓丽, 陆江, 白云. 碳化硅绝缘栅双极型晶体管器件发展概述. 电力电子技术[J]. 2020, 54(10): 1-4, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7103115800.
[4] Lu, Jiang, Liu, Jiawei, Tian, Xiaoli, Chen, Hong, Bai, Yun, Liang, Fei, Liu, Xinyu. 1200 V buried gate fin p-body IGBT with ultralow on-state voltage and good short circuit capability. ELECTRONICS LETTERS[J]. 2020, 56(20): 1082-+, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000581633600022.
[5] 田晓丽. Impact of varied buffer layer design on single-event-reponse of 1.2kV SiC power MOSFETs. Transactions on Electron Devices. 2020, [6] Lu Jiang, Tian Xiaoli, Liu Jiawei, Chen Hong, Liang Fei, Bai Yun, IEEE. A very narrow mesa biased IGBT for ultra-low on-state saturation voltage and a good short circuit ruggedness. 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC)null. 2019, http://apps.webofknowledge.com/CitedFullRecord.do?product=UA&colName=WOS&SID=5CCFccWmJJRAuMzNPjj&search_mode=CitedFullRecord&isickref=WOS:000483036000021.
[7] 田晓丽. Simulation Study on Super-Junction SiC MOSFET with Different PN Pillar Numbers. 2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC). 2019, [8] Lu Jiang, Liu Jiawei, Tian Xiaoli, Chen Hong, Liang Fei, Bai Yun, IEEE. High Performance SEB Hardened Trench Power MOSFFT with Partially Widened Split Gate and Trench Source. 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC)null. 2019, http://apps.webofknowledge.com/CitedFullRecord.do?product=UA&colName=WOS&SID=5CCFccWmJJRAuMzNPjj&search_mode=CitedFullRecord&isickref=WOS:000483036000281.
[9] Lu Xiaofei, Tian Xiaoli, Deng Xiaochuan, Bai Yun, Zhang Jinping, Li Xuan, Lu Jiang, Zhu Hao, Zhong Wei, IEEE. Design and Optimization of Ultrahigh Voltage CSL p-channel 4H-SiC IGBT. 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC)null. 2019, http://apps.webofknowledge.com/CitedFullRecord.do?product=UA&colName=WOS&SID=5CCFccWmJJRAuMzNPjj&search_mode=CitedFullRecord&isickref=WOS:000483036000133.
[10] Sun, Yue, Kang, Xuanwu, Zheng, Yingkui, Lu, Jiang, Tian, Xiaoli, Wei, Ke, Wu, Hao, Wang, Wenbo, Liu, Xinyu, Zhang, Guoqi. Review of the Recent Progress on GaN-Based Vertical Power Schottky Barrier Diodes (SBDs). ELECTRONICSnull. 2019, 8(5): https://doaj.org/article/a2552996f16e4d98913c6cc9bf22432c.
[11] Guo Xinyu, Tian Xiaoli, Bai Yun, Lei Tianmin, Han Zhonglin, Song Guan, IEEE. Simulation Study on Super-Junction SiC MOSF1FIT with Different PN Pillar Numbers. 2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC)null. 2019, http://apps.webofknowledge.com/CitedFullRecord.do?product=UA&colName=WOS&SID=5CCFccWmJJRAuMzNPjj&search_mode=CitedFullRecord&isickref=WOS:000483036000100.
[12] 田晓丽. Simulation Study for the Structural Cell Design Optimization of 15kV SiC p-Channel IGBTs. Materials Science Forum. 2019, [13] Yang, Fei, Chen, Hong, Tian, Xiaoli, Bai, Yun, Zhu, Yangjun. Investigation on Current Crowding Effect in IGBTs. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES[J]. 2018, 65(2): 636-640, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000423124500039.
[14] Tan Ben, Tian XiaoLi, Lu Jiang, Bai Yun, Deng XiaoChuan, Li ChengZhan, Liu XinYu, Jiang YL, Tang TA, Ye F. Design and Optimization of Four-Region Multistep Field Limiting Rings for 10kV 4H-SiC IGBTs. 2018 14TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT)null. 2018, 828-830, http://apps.webofknowledge.com/CitedFullRecord.do?product=UA&colName=WOS&SID=5CCFccWmJJRAuMzNPjj&search_mode=CitedFullRecord&isickref=WOS:000458919700244.
[15] Tian XiaoLi, Lu Jiang, Bai Yun, Chen Hong, Liu XinYu, Jiang YL, Tang TA, Ye F. An Improved Edge Termination Structure to Optimize 3.3kV IGBTs Ruggedness. 2018 14TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT)null. 2018, 356-358, http://apps.webofknowledge.com/CitedFullRecord.do?product=UA&colName=WOS&SID=5CCFccWmJJRAuMzNPjj&search_mode=CitedFullRecord&isickref=WOS:000458919700109.
[16] 谭骥, 卢烁今, 田晓丽, 腾渊, 杨飞, 张广银, 沈千行. IGBT感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究. 物理学报[J]. 2016, http://159.226.55.106/handle/172511/16263.
[17] Tian Xiaoli, Lu Jiang, Teng Yuan, Zhang Wenliang, Lu Shuojin, Zhu Yangjun. Backside optimization for improving avalanche breakdown behavior of 4.5 kV IGBT. JOURNALOFSEMICONDUCTORS[J]. 2015, 36(3): 034008-1-034008-3, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1089325.
[18] Dai Qingyun, Tian Xiaoli, Zhang Wenliang, Lu Shuojin, Zhu Yangjun. 4500 V SPT~+ IGBT optimization on static and dynamic losses. JOURNAL OF SEMICONDUCTORS[J]. 2015, 36(9): 44007-1, http://sciencechina.cn/gw.jsp?action=detail.jsp&internal_id=5555973&detailType=1.
[19] 田晓丽. Backside optimization for improving avalanche breakdowm behavior of 4.5kV IGBT. Journal of Semiconductors. 2015, [20] 田晓丽. A Novel Optimization Design for 3.3kV Injection-Enhanced Gate Transistor. JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2014, [21] Zhang, Wenliang, Zhu, Yangjun, Lu, Shuojin, Tian, Xiaoli, Teng, Yuan. Increase of the Reliability of the Junction Terminations of Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor by Appropriate Backside Layout Design. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS[J]. 2014, 35(12): 1281-1283, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1089320.
[22] Lu Jiang, Tian Xiaoli, Lu Shuojin, Zhou Hongyu, Zhu Yangjun, Han Zhengsheng. Dynamic avalanche behavior of power MOSFETs and IGBTs under unclamped inductive switching conditions. JOURNAL OF SEMICONDUCTORS[J]. 2013, 34(3): 034002-1, http://sciencechina.cn/gw.jsp?action=detail.jsp&internal_id=4870032&detailType=1.
[23] 张文亮, 田晓丽, 谈景, 朱阳军. 逆导型IGBT发展概述. 半导体技术[J]. 2012, 37(11): 836-841, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1089300.

（1） 功率半导体器件基础, 电子工业出版社, 2013-02, 第 5 作者

   

（ 1 ） 功率模块测试与验证, 负责人, 国家任务, 2013-01--2020-06
（ 2 ） 车用高温大电流SiC芯片研发, 负责人, 国家任务, 2017-06--2021-12
（ 3 ） 3300V 超高压电力电子器件产业化开发, 负责人, 中国科学院计划, 2016-06--2019-12
（ 4 ） “新型电力电子器件联合研发中心”项目, 参与, 企业委托, 2017-01--2022-12
（ 5 ） 轨道交通用高压大电流SiC芯片研制与可靠性研究, 负责人, 地方任务, 2019-11--2022-11
（ 6 ） 超高压碳化硅电力电子器件产业化开发, 负责人, 中国科学院计划, 2022-01--2024-01
（ 7 ） 应用于汽车电子的IGBT产品开发, 负责人, 国家任务, 2022-01--2024-12

已指导学生

冯旺  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨雨  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

现指导学生

王二俊  硕士研究生  085400-电子信息  

魏巍  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

徐堃慧  硕士研究生  085400-电子信息