基本信息
黄凯  男  硕导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: khuang@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁区长宁路865号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
离子束、异质集成、射频MEMS

教育背景

2013-07--2018-06   中国科学院上海微系统与信息技术研究所   博士研究生

工作经历

   
工作简历
2018-07~2021-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员
2013-07~2018-06,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士研究生

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 单片式混合集成声波谐振器阵列及其制备方法, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN111817678B

( 2 ) 一种提高单晶压电薄膜厚度均匀性的方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111834519B

( 3 ) 一种热释电红外探测器的制备方法及热释电红外探测器, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111864046B

( 4 ) 一种单光子源的制备方法及单光子源和集成光学器件, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN111564534B

( 5 ) 一种表面均匀性优化的压电单晶薄膜制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111834520B

( 6 ) 一种多层膜结构衬底上的压电单晶薄膜及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111834518B

( 7 ) 一种可调光栅耦合器, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111751927B

( 8 ) 一种临时键合和解键合方法、载片结构及应用, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111834279B

( 9 ) 一种多材料共平面的异质集成结构及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN113066749A

( 10 ) 一种1550nm波段单光子源的制备方法及单光子源和光学器件, 2021, 第 5 作者, 专利号: CN111564533B

( 11 ) 一种薄膜体声波谐振器的制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN107508569B

( 12 ) 一种异质衬底上的薄膜结构及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111883649B

( 13 ) 一种声波谐振器及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112688657A

( 14 ) 一种衬底基板/压电材料薄膜结构及其制备方法和应用, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111884616B

( 15 ) 一种异质压电薄膜结构及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111883644B

( 16 ) 一种可集成式中红外光探测器及其制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN111883643B

( 17 ) 异质键合结构的制备方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN111383915B

( 18 ) 异质键合结构翘曲度的调节方法及后处理方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN111383914B

( 19 ) 一种提升热释电晶圆等离子体激活均匀性的方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112490346A

( 20 ) 一种异质结构薄膜衬底的制备方法, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112467024A

( 21 ) 一种键合结构中的薄膜晶圆和剩余晶圆的分离方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN112420512A

( 22 ) 异质薄膜结构的制备方法, 2021, 第 3 作者, 专利号: CN110880920B

( 23 ) 一种高频可调节磁场探测器的制备方法及磁场探测器, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111880124A

( 24 ) 一种基于LNOI光子平台的硅光探测器及其制备方法, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN111834473A

( 25 ) 一种高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111540710A

( 26 ) 一种金刚石基异质集成氮化镓薄膜与晶体管的微电子器件及其制备方法, 2020, 第 6 作者, 专利号: CN111540684A

( 27 ) 一种制备晶圆级异质集成衬底的设备, 2020, 第 5 作者, 专利号: CN211150519U

( 28 ) 一种带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法和应用, 2020, 第 3 作者, 专利号: CN110867381A

( 29 ) 可调控电磁波吸收的超材料晶体结构及其制备方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN110632687A

( 30 ) 高频声波谐振器及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110601674A

( 31 ) 高频声波谐振器及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN110572135A

( 32 ) 衬底上薄膜的制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110534474A

( 33 ) 异质薄膜复合结构及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110391131A

( 34 ) 含氧单晶薄膜的制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN110223912A

( 35 ) 一种高频声表面波谐振器及其制备方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN110138356A

( 36 ) 单晶压电薄膜异质衬底的制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN110137341A

( 37 ) 异质结构的制备方法, 2019, 第 2 作者, 专利号: CN109904065A

( 38 ) 一种硅基异质集成碳化硅薄膜结构的制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109686656A

( 39 ) 一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109678106A

( 40 ) 一种氧化镓半导体结构及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: CN109671612A

( 41 ) 一种高平坦度异质集成薄膜结构的制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: CN109671618A

( 42 ) 一种异质结构的制备方法, 2019, 第 6 作者, 专利号: CN109427538A

( 43 ) 基于单晶压电薄膜的声波谐振器及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN108493326A

( 44 ) 一种薄膜异质结构的制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108493334A

( 45 ) 一种薄膜异质结构的制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN108336219A

( 46 ) Ge复合衬底、衬底外延结构及其制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: CN107195534A

( 47 ) 晶圆键合方法及异质衬底制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN106711027A

( 48 ) 一种InP薄膜异质衬底的制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106711026A

( 49 ) 一种大尺寸III‑V异质衬底的制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: CN106653583A

( 50 ) 利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN106209003A

( 51 ) 一种用于制造支撑衬底上的单晶材料薄层结构的方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105957831A

( 52 ) 一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105895576A

( 53 ) 利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: CN105895801A

( 54 ) 一种InP薄膜复合衬底的制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN105374664A

( 55 ) 一种相变型氧化钒材料及其制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: CN105088166A

出版信息

   
发表论文
(1) High yield preparation of flexible single-crystalline 4H-silicon carbide nanomembranes via buried micro-trenches, OPTICAL MATERIALS, 2021, 第 7 作者
(2) High-Q microresonators on 4H-silicon-carbide-on-insulator platform for nonlinear photonics, LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS, 2021, 第 13 作者
(3) Surface Acoustic Wave Resonators Using Lithium Niobate on Silicon Carbide Platform, PROCEEDINGS OF THE 2020 IEEE/MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM (IMS), 2020, 第 7 作者
(4) High-quality factor, high-confinement microring resonators in 4H-silicon carbide-on-insulator, OPTICS EXPRESS, 2019, 第 6 作者
(5) 基于离子束剥离与转移技术的异质集成材料研究, 2018, 第 1 作者
(6) 3d local manipulation of the metal-insulator transition behavior in vo2 thin film by defect-induced lattice engineering, ADVANCED MATERIALS INTERFACES, 2018, 第 7 作者
(7) Silicon-on-insulator with hybrid orientations for heterogeneous integration of gan on si (100) substrate, AIP ADVANCES, 2018, 第 3 作者
(8) 硅锗界面热应力的控制及晶圆级GeOI的制备, Thermal Stress Control of Si-Ge Interface and Fabrication of Wafer Scale GeOI, 半导体技术, 2018, 第 2 作者
(9) Ultra-dense planar metallic nanowire arrays with extremely large anisotropic optical and magnetic properties, Ultra-dense planar metallic nanowire arrays with extremely large anisotropic optical and magnetic properties, 纳米研究:英文版, 2018, 第 8 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 基于离子束剥离技术的绝缘体上的碳化硅制备及器件研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2022-12