基本信息
张颖  女  硕导  中国科学院高能物理研究所
电子邮件: zhangying83@ihep.ac.cn
通信地址: 高能所主楼B224
邮政编码:
部门/实验室:实验物理中心

招生信息

   
招生专业
082703-核技术及应用
招生方向
集成电路芯片设计,硅像素探测器研究

教育背景

2008-10--2012-10   法国斯特拉斯堡大学   博士
2006-09--2008-10   哈尔滨工业大学   硕士
2002-09--2006-08   哈尔滨工业大学   学士

工作经历

   
工作简历
2012-11~现在, 中国科学院高能所, 副研究员

出版信息

   
发表论文
(1) A Monolithic Active Pixel Sensor prototype for the CEPC vertex detector, Nuclear Instrument and Methods in Physics Research A, 2019, 通讯作者
(2) Charge collection and non-ionizing radiation tolerance of CMOS pixel sensors using a 0.18 μm CMOS process, Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A (2016), 2016, 第 1 作者
(3) A High-sensitivity Low-power CMOS Sensor for a Future Neutron Personal Dosimeter, Microelectronics Journal, 2012, 第 1 作者
(4) Design of a Monolithic CMOS Sensor for High Eciency Neutron Counting, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2012, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 基于CMOS工艺的单片式像素探测器关键技术研究, 主持, 市地级, 2013-10--2016-10
( 2 ) 单片式CMOS硅像素探测器前端电路的设计, 主持, 市地级, 2015-03--2016-03
( 3 ) CEPC半导体探测器研究, 参与, 市地级, 2014-06--2015-05
( 4 ) 面向未来正负电子对撞机顶点探测器的CMOS像素探测器芯片设计和架构的研究, 主持, 国家级, 2016-01--2018-12
( 5 ) 基于CMOS工艺的单片式中子探测器原型芯片设计, 主持, 市地级, 2019-01--2019-12
( 6 ) 高能环形正负电子对撞机关键技术研发和验证, 参与, 国家级, 2018-06--2023-06
参与会议
(1)CEPC CMOS硅像素探测器研究进展   核探测与核电子学国家重点实验室2016年年会   2016-05-12
(2)Charge collection and non-ionizing radiation tolerance of CMOS Pixel Sensors using the 0.18 μm CMOS process   2015-09-25