基本信息
解婧  女    中国科学院微电子研究所
电子邮件: xiejing@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
微纳材料与结构,MEMS,生化检测,集成电路装备,二维材料,SPM,Raman,UHV

教育背景

2006-09--2011-07   中国科学院半导体研究所   博士学位
2002-09--2006-07   清华大学电子工程系   学士学位
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2014-09~现在, 中国科学院大学, 岗位教授
2011-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2006-09~2011-07,中国科学院半导体研究所, 博士学位
2002-09~2006-07,清华大学电子工程系, 学士学位
社会兼职
   

教授课程

微电子工艺与装备技术
半导体工艺与制造技术
集成电路制造工艺与设备

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 中国科学院教育教学成果奖, 特等奖, 部委级, 2016
专利成果
( 1 ) 利用原子层沉积制备薄膜的方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201210552777.X
( 2 ) 一种氮化锌薄膜的制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201210545142.7
( 3 ) 一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201210252143.2
( 4 ) 一种多层石墨烯的减薄方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: 201210382524.2
( 5 ) 一种利用混合溶剂相剥离石墨制备石墨烯的方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: 201110428499.2
( 6 ) 一种晶圆级阳极键合方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: 201110395020.X
( 7 ) 一种原位光学检测装置, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201210545135.7
( 8 ) 一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: 201010235870.9
( 9 ) 石墨烯晶片的制备方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201210009208.0
( 10 ) 采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 200910081983.5
( 11 ) 大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 201010235859.2
( 12 ) 一种制备低表面粗糙度氧化锌薄膜的方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201210530718.2
( 13 ) 用于N-Zr共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201210531516.X
( 14 ) 一种原子层沉积制备施主-受主共掺氧化锌薄膜的方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201210533506.X
( 15 ) 原子层沉积的共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201210530523.8
( 16 ) 用于Te-N共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201210531988.5
( 17 ) 基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2016, 第 4 作者, 专利号: 201210530522.3
( 18 ) 用于提高氧化锌薄膜P型稳定性的方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: 201210532370.0
( 19 ) 一种P-N共掺氧化锌薄膜的制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201210530408.0
( 20 ) 一种原子层沉积制备双受主共掺氧化锌薄膜的方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201210532041.6
( 21 ) 一种磷掺杂氧化锌薄膜的制备方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201210530408.0
( 22 ) 一种MOS器件原子层沉积原位制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201610982579.5
( 23 ) 一种原子层沉积系统原位实时检测方法及装置, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201610258332.9
( 24 ) 一种石墨烯表面选区改性加工方法及装置, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201610258555.5
( 25 ) 一种石墨烯薄膜材料的加工方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201810548236.7
( 27 ) 一种石墨烯选区刻蚀的方法及装置, 2018, 第 2 作者, 专利号: 201810557452.8
( 28 ) 一种高精度微流道网络制作方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201811148758.4
( 29 ) 一种微流道网络芯片, 2018, 第 1 作者, 专利号: 201811149868.2
( 30 ) 一种基于金属微观结构的精密模具, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910231904.8
( 31 ) 一种微观零件批量精密加工仪器, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910231902.9
( 32 ) 一种微米级金属件三维成型方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: 201910232149.5

出版信息

   
发表论文
(1) Large area graphene produced via assistance of surface modification, Journal of Semiconductors, 2013, 第 11 作者
(2) High-precision thickness regulation of graphene layers with low energy helium plasma implantation, Nanotechnology, 2012, 第 2 作者
(3) Research on anodic bonding using the hybrid electrode with two-step bonding process, Journal of Semiconductors, 2012, 第 2 作者
(4) An effective approach for restraining electrochemical corrosion of polycrystalline silicon caused by an HF-based solution and its application for mass production of MEMS devices, J. Micromech. Microeng., 2012, 第 2 作者
(5) A Simple Method for Effectively Restrain Electrochemical Corrosion of Polycrystalline Silicon by Hf-Based Solutions, IEEE 24th International Conference on MEMS, 2011, 第 1 作者
(6) Reliable Low-Cost Fabrication and Characterization Methods for Micromechanical Disk Resonators, TRANSDUCERS 2011, 2011, 第 1 作者
(7) Stress and Resistivity Controls on in Situ Boron Doped Lpcvd Polysilicon Films for High-Q Mems Applications, Journal of Semiconductors, 2009, 第 1 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 微纳生化传感材料与器件, 主持, 国家级, 2017-07--2021-06
( 2 ) 双增益原子发射光谱分析仪研制, 主持, 部委级, 2018-01--2019-12
( 3 ) 二维电子材料及纳米量子器件的研究和原位分析仪器, 参与, 国家级, 2015-01--2019-12
( 4 ) 扫描探针显微术关键技术研发团队, 主持, 部委级, 2017-05--2020-04
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生