基本信息
张建军  男  博导  中国科学院物理研究所
电子邮件: jjzhang@iphy.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区中关村南三街8号
邮政编码: 100190

招生信息

   
招生专业
080502-材料学
070205-凝聚态物理
085600-材料与化工
招生方向
硅基量子计算
硅基光电子材料与器件

教育背景

2007-05--2010-04   奥地利林茨约翰开普勒大学   博士第二阶段,博士
2005-11--2007-04   德国斯图加特马普固体研究所   博士第一阶段
2001-09--2004-06   湘潭大学   硕士
1997-09--2001-06   湘潭大学   学士

工作经历

   
工作简历
2014-07~现在, 中国科学院物理研究所, ****特聘研究员
2013-04~2014-06,澳大利亚新南威尔士大学量子计算与通讯技术卓越中心, Vice-Chancellor's Postdoctoral Research Fellow
2010-05~2013-03,德国德累斯顿莱布尼兹固体与材料研究所, 博士后
2007-05~2010-04,奥地利林茨约翰开普勒大学, 博士第二阶段,博士
2005-11~2007-04,德国斯图加特马普固体研究所, 博士第一阶段
2004-07~2005-10,湘潭大学, 助教
2001-09~2004-06,湘潭大学, 硕士
1997-09~2001-06,湘潭大学, 学士

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 国家优秀自费留学生奖学金, , 部委级, 2009

出版信息

   
发表论文
(1) Evolution of epitaxial semiconductor nanodots and nanowires from supersaturated wetting layers, Chemical Society Reviews, 2015, 第 1 作者
(2) Self-organized evolution of Ge/Si(001) into intersecting bundles of horizontal nanowires during annealing, Applied Physics Letters, 2013, 第 1 作者
(3) Strain-induced self-assembly of Ge nanodashes, nanodumbbells and dot chains on Si(001), Applied Physics Letters , 2013, 第 1 作者
(4) Monolithic growth of ultrathin Ge nanowires on Si(001), Physical Review Letters, 2012, 第 1 作者
(5) Anomalous smoothing preceding island formation during growth on patterned substrates, Physical Review Letters, 2012, 第 4 作者
(6) Collective shape oscillations of SiGe islands on pit-patterned Si intermixing, Physical Review Letters, 2010, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 新型二维异质结构中电子自旋, 参与, 国家任务, 2015-01--2019-12
( 2 ) 硅和绝缘体上硅衬底上有序锗纳米线的生长、表征和物性研究, 负责人, 国家任务, 2016-01--2019-12
( 3 ) 面向光信息处理功能的新型纳米等离激元器件研究, 参与, 国家任务, 2015-01--2019-12
( 4 ) 高质量硅基半导体量子芯片材料研究, 负责人, 国家任务, 2016-07--2021-06
( 5 ) 硅基半导体材料与器件, 负责人, 国家任务, 2023-01--2027-12
( 6 ) 锗空穴量子比特高质量材料和器件, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12