基本信息
奚衍罡  男  博导  其他
电子邮件: xiyg@sari.ac.cn
通信地址: 上海浦东张江高科园海科路99号上海高等研究院2号楼413B
邮政编码: 201210

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
081001-通信与信息系统
085400-电子信息
招生方向
LED,,太阳能,智能控制
光电器件
半导体材料

教育背景

2002-08--2006-12   Rensselaer Polytechnic Institute   理学博士
1999-09--2003-06   复旦大学   理学硕士
1995-09--1999-06   复旦大学   理学学士

工作经历

   
工作简历
2014-03~2014-05,中科院上海高等研究院, 研究员
2013-06~2014-03,ProEnergy Technology, 创始人兼首席技术官
2012-12~2013-05,ITW-Despatch Industries, 首席技术官
2011-03~2012-12,ITW-Despatch Industries, 高级技术经理
2007-01~2011-03,通用电气全球研发中心, 半导体器件工程师
2002-08~2006-12,Rensselaer Polytechnic Institute, 理学博士
1999-09~2003-06,复旦大学, 理学硕士
1995-09~1999-06,复旦大学, 理学学士
社会兼职
2015-01-01-今,上海科技大学, 特聘教授

专利与奖励

   
奖励信息
(1) %%%%创业大赛三等奖, 三等奖, 国家级, 2013
(2) GE全球研发中心卓越管理奖 (Above and Beyond Award), 特等奖, 研究所(学校), 2011
(3) GE全球研发中心管理奖 (Management Award), 二等奖, 研究所(学校), 2010
(4) GE亚太美国人协会进步领导奖 (Growth Leader Award), 特等奖, 市地级, 2009
(5) GE全球研发中心年度最佳专利申请奖 (Patent Disclosure Award), 一等奖, 研究所(学校), 2008
(6) 材料研究协会(MRS)秋季会议研究生银奖 (Silver Award), 二等奖, 国家级, 2006
专利成果
( 1 ) 渐变折射率材料分布式布拉格反射镜及制造方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201510117057.4
( 2 ) 渐变折射率材料及制造方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201510116902.6
( 3 ) 发光装置及其制造方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 201410318584.7
( 4 ) 发光装置及其制造方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 103121111
( 5 ) IIIA-Transition Metal Nitrides for Light Emitting Diodes and a LED Made Therefrom, 2013, 第 1 作者, 专利号: 2014/109188
( 6 ) Methods of making a transparent layer and a photovoltaic device, 2013, 第 5 作者, 专利号: 2013/0109124 A1
( 7 ) Method of making transparent conductive oxide layer and a photovoltaic device, 2012, 第 5 作者, 专利号: 2012/0164785 A1
( 8 ) Heat strengthening of a glass superstrate for thin film photovoltaic devices, 2011, 第 1 作者, 专利号: 2013/0098111 A1
( 9 ) Photovoltaic devices, 2010, 第 5 作者, 专利号: 2012/0080070 A1
( 10 ) Photovoltaic devices, 2010, 第 5 作者, 专利号: 2012/0080067 A1
( 11 ) Photovoltaic devices, 2010, 第 5 作者, 专利号: 2012/0080066 A1
( 12 ) Nanostructured anti-reflection coatings and associated methods and devices, 2009, 第 1 作者, 专利号: 2010/0259823 A1
( 13 ) Layer for thin film Photovoltaics and a solar cell made therefrom, 2009, 第 3 作者, 专利号: 2011/0100447 A1
( 14 ) Layer for thin film Photovoltaics and a solar cell made therefrom, 2009, 第 4 作者, 专利号: 2010/0243056 A1
( 15 ) Method and system for depositing multiple materials on a substrates, 2009, 第 5 作者, 专利号: 2011/0104398 A1

出版信息

   
发表论文
(1) Improved Superior firing stability resulting in cell performance improvement in high volume production,  Proc. of the 27th EPVSEC, 2012, 第 2 作者
(2) Kinetic study of Al-mole fraction in AlxGa1–xN grown on c-plane sapphire and AlN bulk substrates by metal-organic vapor-phase epitaxy, Applied Physics Letters, 2007, 第 1 作者
(3) Comparative study of n-type AlGaN grown on sapphire by using a superlattice layer and a low temperature AlN interlayer, Journal of Crystal Growth, 2007, 第 1 作者
(4) Optimization of high quality AlN epitaxially grown on (0001) sapphire by metal-organic vapor-phase epitaxy, Journal of Electronic Materials, 2007, 第 1 作者
(5) Very high quality AlN grown on (0001) sapphire by metal-organic vapor phase epitaxy, Applied Physics Letters , 2006, 第 1 作者
(6) Quantitative assessment of diffusivity and specularity of surface-textured reflectors for light extraction in light-emitting diodes, Journal of Vacuum Science and Technology A, 2006, 第 1 作者
(7) Junction and carrier temperature measurements in deep-ultraviolet light-emitting diodes using three different methods, Applied Physics Letters, 2005, 第 1 作者
(8) Junction temperature in ultraviolet light-emitting diodes, Japanese Journal of Applied Physics, 2005, 第 1 作者
(9) Junction-temperature measurements in GaN UV light-emitting diodes using the diode forward voltage, Applied Physics Letters, 2004, 第 1 作者
(10) Second-order optical nonlinearity in bulk PbO/B2O3 glass, Optics Communications, 2002, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 新型低成本硅衬底LED光源模组技术研究, 主持, 国家级, 2015-01--2017-12
( 2 ) 新型金属氮化物薄膜材料在硅基LED器件应用的研发, 主持, 国家级, 2015-04--2017-03
( 3 ) 绿色智能室内环境控制, 主持, 国家级, 2015-06--2019-05
( 4 ) 中科院%%择优资助, 主持, 部委级, 2016-01--2018-12