基本信息
蔡道林  男  硕导  中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件: caidl@mail.sim.ac.cn
通信地址: 上海市长宁路865号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
微电子技术

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 八面体基元理论指导发现新型相变材料与其在128Mb存储芯片中应用, 一等奖, 其他, 2019
专利成果
( 1 ) 一种二极管选通阵列中串联电阻及理想因子的测量方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: 202011156695.4
( 2 ) 一种预测不同写操作下的相变存储器单元热稳定性的方法, 2020, 第 2 作者, 专利号: 202010651804.3
( 3 ) 一种数据的多级存储方法、系统、电子设备及存储介质, 2019, 第 2 作者, 专利号: cn201911178667.X
( 4 ) 一种阶梯脉冲确定方法、系统及存储介质, 2019, 第 3 作者, 专利号: CN201910743318.1
( 5 ) 一种阶梯脉冲的确认方法、装置、电子设备和存储介质, 2019, 第 2 作者, 专利号: cn201910699840.4
( 6 ) 相变储存器控制装置、相变储存器控制方法、电子装置及存储介质, 2019, 第 1 作者, 专利号: cn201910196702.4
( 7 ) 电压电流测试 自动切换电路、相变单元测试系统及方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN201710749389.3
( 8 ) 一种用于相变存储单元电流测试的SET退火优化电路及方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107068198
( 9 ) 一种存储单元负载电压的测试方法及测试电路, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107886993A
( 10 ) 一种具有保持力测试功能的相变存储器, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610349687.9
( 11 ) 相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: cn2016101785963
( 12 ) 一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610140946.7
( 13 ) 一种相变存储器和提高其疲劳寿命的操作方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN201610118179X

出版信息

   
发表论文
(1) 12-State Multi-level Cell Storage Implemented in 128 Mb Phase Change Memory Chip, Nanoscale, 2021, 第 2 作者
(2) Endurance Improvement of Phase Change Memory Based on High and Narrow RESET, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2020, 第 2 作者
(3) Reliability Modelling and Prediction Method for Phase Change Memory Using Optimal Pulse Conditions, Journal of Shanghai Jiao Tong University (Science), 2020, 第 2 作者
(4) An Optimized Fast Stair-case Set Pulse with Variable Width for Phase Change Random Access Memory, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2020, 第 3 作者
(5) Microscopic mechanism of carbon-dopant manipulating device performance in CGeSbTe-based phase change random access memory, ACS Applied Materials & Interfaces, 2020, 第 2 作者
(6) RESET current optimization for phase change memory based on the sub-threshold slope, Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 第 3 作者
(7) The impact of the electrode performance on the endurance properties of the phase change memory, IEEE Transactions on device and materials reliability, 2019, 第 2 作者
(8) Three-dimensional simulations of RESET operation in phase-change random access memory with blade-type like phase change layer by finite element modeling, Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 第 3 作者
(9) High performance of multilevel-cell phase change memory device with good endurance reliability, Semiconductor Science and Technology, 2019, 第 3 作者
(10) Investigation on the Scaling Performances of Carbon Doped Ge2Sb2Te5 Thin Films for Phase Change Random Access Memory in a 40 nm Process, Physica States Solidi A-Application and Materials Science, 2019, 第 2 作者
(11) Analysis and optimization of read/write reliability for 12F2 cross-point ultra-fast phase change memory, Semiconductor Science and Technology, 2019, 第 3 作者
(12) First Set Pulse Impacts on Set Resistance Distribution of Phase Change Random Access Memory, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2019, 第 2 作者
(13) Subsequent Set Pulse Impacts on Set Resistance Distribution of Phase Change Memory, Semiconductor Science and Technology, 2019, 第 2 作者
(14) A candidate for high-speed and high-density phase change memory application, Materials Science in Semiconductor Processing, 2019, 第 2 作者
(15) The Influence of the Bitline Length on the Resistance Consistency in Phase Change Memory Array, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 第 2 作者
(16) Relaxation Oscillations in Ge2Sb2Te5-Based Phase Change Memory Devices Memory, Chinese Physics Letters, 2016, 第 2 作者
(17) Reduction of Reset Current in Phase Change Memory by Pre-Programming, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2016, 第 2 作者
(18) Endurance characteristics of phase change memory cells, Journal of Semiconductors, 2016, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 复合载荷下相变存储器保持力特性及其机理研究, 主持, 国家级, 2019-01--2022-12