基本信息
王兴军  男  博导  中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: xjwang@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 上海市玉田路500号
邮政编码: 200083

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
070205-凝聚态物理
招生方向
低维半导体光学性质
光和物质的相互作用

教育背景

1995-09--2000-07   复旦大学   博士
1991-09--1995-07   上海交通大学   学士
学历
研究生
学位
理学博士

工作经历

   
工作简历
2010-03~现在, 中科院上海技术物理所, 研究员
2006-01~2010-03,瑞典林雪平大学, 博士后
2004-03~2005-12,日本东北大金属研究所, 非常任讲师
2000-08~2003-12,复旦大学, 教师

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种简单有效地抑制荧光干扰的光调制反射光谱检测系统, 发明, 2020, 第 1 作者, 专利号: ZL 2017 1 0411167.0

出版信息

   
发表论文
(1) Lattice-optimized GaAsSb/InP heterojunction towards both efficient carrier confinement and thermal dissipation, physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters, 2020, 通讯作者
(2) Effects of Bi incorporation on recombination processes in wurtzite GaBiAs nanowires, Nanotechnology 31 (22), 225706, 2020, 其他(合作组作者)
(3) An Electrically Controlled Wavelength-Tunable Nanoribbon Laser, Acs Nano, I4 (3), 3397-3404, 2020, 其他(合作组作者)
(4) Enhanced luminescence properties of InAs nanowires via organic and inorganic sulfide passivation, Nanotechnology 30, 445704, 2019, 通讯作者
(5) Band Structure of Wurtzite GaBiAs Nanowires, Nano Lett 19 (9), 6454-6460., 2019, 通讯作者
(6) Effect of exciton transfer on recombination dynamics in vertically nonuniform GaAsSb epilayers, Appl. Phys. Lett. 114, 252101, 2019, 通讯作者
(7) Raman spectroscopic determination of hole concentration in undoped GaAsBi, Semiconductor Science and Technology 34, 015008, 2019, 通讯作者
(8) Arsenic-induced faceted lateral nanoprisms array on Si (1 0 3) surface, Applied Surface Science 463, 713, 2019, 第 1 作者
(9) Effect of thermal annealing on carrier localization and efficiency of spin detection in GaAsSb epilayers grown on InP, Aip Advance 8, 045021, 2018, 通讯作者
(10) Photoreflectance and photoreflectance excitation study of optical transitions in GaAsBi/GaAs heterostructure, J. Appl. Phys 123, 035702, 2018, 通讯作者
(11) The ambipolar evolution of a high-erformance WSe2 transistor assisted by a ferroelectric polymer, Nanotechnology 29,105202, 2018, 其他(合作组作者)
(12) Enhancement of direct and indirect exciton emissions in few-layer WSe2 at high temperatures, Materials Research Express 5,066209, 2018, 通讯作者
(13) Low temperature photo-induced carrier dynamics in the GaAs 0.985 N 0.015 alloy, Journal of Alloys and Compounds, 2017, 第 3 作者
(14) A modified optics based technique for suppressing spurious signals in photoreflectance spectra, The Review of scientific instruments, 2017, 通讯作者
(15) Interlayer Transition and Infrared Photodetection in Atomically Thin Type-II MoTe2/MoS2 van der Waals Heterostructures, Acs Nano, 2016, 其他(合作组作者)
(16) An investigation of exciton behavior in type-II self-assembled GaSb/GaAs quantum dots, Nanotechnology 27 (62),065602, 2016, 第 4 作者
(17) Increase in the efficiency of spin detection based on GaAsSb by applying a longitudinal magnetic field or a postgrowth annealing process, Applied Physics Express 9 (2), 021201, 2016, 通讯作者
(18) Optical spin polarization and Hanle effect in GaAsSb: Temperature dependence, Appl. Phys. Lett 105 (8), 082104, 2014, 通讯作者
(19) Efficient room-temperature nuclear spin hyperpolarization of a defect atom in a semiconductor, Nature Communications, 2013, 第 2 作者
(20) Effects of Ni-coating on ZnO nanowires: A Raman scattering study , J. Appl. Phys , 2013, 第 2 作者
(21) Effect of hyperfine-induced spin mixing on the defect-enabled spin blockade and spin filtering in GaNAs , Phys. Rev. B , 2013, 第 2 作者
(22) Defects in N, O and N, Zn implanted ZnO bulk crystals , J. Appl. Phys , 2013, 第 2 作者
(23) Origin of the redshift of the luminescence peak in InGaN light-emitting diodes exposed to Co-60 γ-ray irradiation, J. Appl. Phys, 2012, 通讯作者
(24) Sub-millisecond dynamic nuclear spin hyperpolarization in a semiconductor:A case study from PIn antisite in InP, Phys. Rev. B, 2012, 第 1 作者
(25) Effects of P implantation and post-implantation annealing on defect formation in ZnO, J. Appl. Phys, 2012, 第 1 作者
(26) Room-temperature spin injection and spin loss across a GaNAs/GaAs interface, Appl. Phys. Lett, 2011, 第 2 作者
(27) Effect of postgrowth hydrogen treatment on defects in GaNP , Appl. Phys. Lett, 2011, 第 2 作者
(28) Electron spin filtering by thin GaNAs/GaAs multiquantum wells, Appl. Phys. Lett, 2010, 第 2 作者
(29) Dominant recombination centers in Ga(In)NAs alloys: Ga interstitials, Appl. Phys. Lett , 2009, 第 1 作者
(30) Oxygen and zinc vacancies in as-grown ZnO single crystals, J. Phys.: D, 2009, 第 1 作者
(31) Room-temperature defect-engineered spin filter based on a non-magnetic semiconductor, Nature Materials , 2009, 第 1 作者
(32) Effect of stoichiometry on defect formation in ZnO epilayers grown by molecular -beam-epitaxy: an optically detected magnetic resonance study, J. Appl. Phys, 2008, 第 1 作者
(33) Bandgap properties of Zn1-xCdxO alloys grown by molecular-beam-epitaxy, Appl. Phys. Lett, 2006, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 基于GaNAs体系缺陷调控的新型自旋过滤器的物理特性研究, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12
( 2 ) 基于III-V族稀氮半导体中缺陷的自旋过滤器机理研究, 主持, 省级, 2011-10--2013-09
( 3 ) 光电功能材料中痕量缺陷与杂质光电行为研究, 主持, 部委级, 2011-08--2014-08
( 4 ) GaAsBi纳米线的光学及其缺陷特性的研究, 主持, 省级, 2018-06--2021-05
( 5 ) Bi诱导GaAs纳米线形成的缺陷及其调控的光学极化特性的研究, 主持, 国家级, 2019-01--2022-12
参与会议
(1)Effect of Bismuth-induced control Phase of GaAs Nanowires on Optical Polarization   王兴军   2018-10-08

指导学生

已指导学生

姜祎祎  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张斌  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

朱思新  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学