基本信息
杨身园  女  硕导  中国科学院半导体研究所
电子邮件: syyang@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号2号楼501
邮政编码: 100083

招生信息

   
招生专业
070205-凝聚态物理
085400-电子信息
招生方向
半导体材料和纳米体系的第一性原理计算,半导体表面和界面

教育背景

2006-03--2008-08   美国田纳西大学,橡树岭国家实验室   访问学者
2003-09--2008-09   中国科学院物理研究所   博士
1999-09--2003-07   北京师范大学物理学系   学士

工作经历

   
工作简历
2011-09~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2008-08~2011-08,美国劳伦斯伯克利国家实验室, 博士后
2006-03~2008-08,美国田纳西大学,橡树岭国家实验室, 访问学者
2003-09~2008-09,中国科学院物理研究所, 博士
1999-09~2003-07,北京师范大学物理学系, 学士

教授课程

半导体功能材料设计
半导体信息材料设计

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 2019中国新锐科技人物突出成就奖, 其他, 2019

出版信息

   
发表论文
(1) Flexible graphene-assisted van der Waals epitaxy growth of crack-free AlN epilayer on SiC by lattice engineering, Appl. Surf. Sci., 2020, 第 1 作者
(2) Direct Growth of Nanopatterned Graphene on Sapphire and Its Application in Light Emitting Diodes, Adv. Funct. Mater., 2020, 第 6 作者
(3) Quasi-2D Growth of Aluminum Nitride Film on Graphene for Boosting Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes, Adv. Sci., 2020, 第 4 作者
(4) A Linear Relationship between the Charge Transfer Amount and Level Alignment in Molecule/Two-Dimensional Adsorption Systems, ACS Omega, 2020, 通讯作者
(5) High-Performance 5.1 nm In-Plane Janus WSeTe Schottky Barrier Field Effect Transistors, Nanoscale, 2020, 第 3 作者
(6) Atomic mechanism of strong interactions at the graphene/sapphire interface, Nature Communications, 2019, 通讯作者
(7) Improved epitaxy of AlN film for deep-ultraviolet light-emitting diodes enabled by graphene, Adv. Mater., 2019, 第 4 作者
(8) Large band edge tunability in colloidal nanoplatelets, Nano Lett., 2019, 第 3 作者
(9) Graphene-assisted quasi-van der Waals epitaxy of AlN film for ultraviolet light emitting diodes on nano-patterned sapphire substrate, Appl. Phys. Lett., 2019, 通讯作者
(10) High-Brightness Blue Light-Emitting Diodes Enabled by a Directly Grown Graphene Buffer Layer, Adv. Mater., 2018, 其他(合作组作者)
(11) Antiferromagnetic ferromagnetic transition in zigzag graphene nanoribbons induced by substitutional doping, Chin. Phys. B, 2018, 第 1 作者
(12) The effect of Bi composition on the electrical properties of InP1–xBix, Science China Physics Mechanics and Astronomy, 2017, 通讯作者
(13) Uniaxial strain modulated electronic structures of CdX (X = S, Se, Te) from first-principles calculations: a comparison between bulk and nanowires, Chin. Phys. B, 2017, 通讯作者
(14) Structural and electronic propertiesof zigzag graphene nanoribbons on Si(001) substrates, Chin. Phys. Lett., 2015, 通讯作者
(15) N-doped zigzag graphene nanoribbons on Si(001): a first-principles calculation, Chin. Phys. Lett., 2015, 通讯作者
(16) Tuning semiconductor band edge energies for solar photocatalysis via surface ligand passivation, Nano Lett. , 2012, 第 1 作者
(17) Tuning the electronic structure of II-VI and III-V semiconductors with biaxial strain, Appl. Phys. Lett. , 2011, 第 1 作者
(18) Strain-induced band gap modification in coherent core/shell nanostructures, Nano Lett. , 2010, 第 1 作者
(19) Interaction between hydrogen molecules and metallofullerenes, J. Chem. Phys. , 2009, 第 2 作者
(20) Generic guiding principle for the prediction of metal-induced reconstructions of compound semiconductor surfaces, Phys. Rev. B, 2008, 第 1 作者
(21) Electron transfer and localization in endohedral metallofullerenes: Ab initio density functional theory calculations, Phys. Rev. B , 2008, 第 1 作者
(22) Energetics and kinetics of Ti clustering on neutral and charged C60 surfaces, J. Chem. Phys. , 2008, 第 1 作者
(23) Calcium as a superior coating metal in functionalization of carbon fullerenes for high-capacity hydrogen storage, Phys. Rev. Lett. , 2008, 第 2 作者
(24) Charged fullerenes as high-capacity hydrogen storage media, Nano Lett. , 2007, 第 2 作者
(25) Flexible graphene-assisted van der Waals epitaxy growth of crack-free AlN epilayer on SiC by lattice engineering, Appl. Surf. Sci., 2000, 第 2 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 石墨烯纳米带与衬底相互作用的第一性原理研究, 主持, 国家级, 2013-01--2015-12
( 2 ) 分立量子点可控高效纳米发光器件机理及制备基础研究, 参与, 国家级, 2013-01--2017-12
( 3 ) 2.8-4.0微米室温高性能半导体激光器材料和器件制备研究, 参与, 国家级, 2014-01--2018-08
( 4 ) II-VI族半导体芯/壳纳米线异质结中的应变与掺杂, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
( 5 ) 二维电子材料及纳米量子器件的研究和原位分析仪器, 参与, 国家级, 2015-01--2020-12
( 6 ) 基于遂穿及混合机制的超陡摆幅新原理器件技术, 主持, 国家级, 2019-08--2023-07
( 7 ) 远程范德瓦尔斯外延机制的理论研究, 主持, 国家级, 2021-01--2024-12
( 8 ) 石墨烯晶圆衬底上高品质氮化物的制备与生长机制研究, 参与, 国家级, 2020-06--2025-05
参与会议
(1)石墨烯 /蓝宝石界面结构的第一性原理研究    2019年全国半导体物理学术会议   2019-07-09
(2)基于石墨烯的范德华外延生长应力释放机制研究   中国物理学会2018秋季学术会议   2018-09-13
(3)First-Principles Study on Nonlinear Variation of Electron Concentration in InPBi Materials   2016-07-24
(4)InPBi合金中电子浓度非线性变化的第一性原理研究   中国物理学会2015年秋季学术会议   杨身园,魏冠男,骆军委,李树深   2015-09-10
(5)Tuning the electronic structure of II-VI semiconductors and nanostructures for energy applications   Shenyuan Yang   2011-03-24
(6)Tuning semiconductor band edge energies via surface ligand passivation   Shenyuan Yang, D. Prendergast, and J. B. Neaton   2011-03-23
(7)Strain-induced band gap modification in coherent core/shell nanostructures   Shenyuan Yang, D. Prendergast, and J. B. Neaton   2010-10-01
(8)Charge separation and electronic level alignment in multicomponent CdSe/CdTe nanostructures from first principles   Shenyuan Yang, D. Prendergast, and J. B. Neaton   2010-04-09
(9)Electronic level alignment in multicomponent CdSe/CdTe nanostructures from first principles   Shenyuan Yang, D. Prendergast, and J. B. Neaton   2010-03-15