相变存储器材料、器件、纳米工艺与芯片三维集成

优先考虑微电子、半导体、集成电路科学、物理、材料类背景；勤勉务实，具有独立思考、自主学习能力，良好的中英文沟通、表达能力，有实践动手经历，对科研热情专注，有探索精神和强烈的好奇心。

080903-微电子学与固体电子学

相变存储材料与器件
存储芯片集成工艺
新型信息存储器件与前沿应用

2009-09--2014-07   中国科学院大学   工学博士
2005-09--2009-07   华东师范大学   理学学士

2020-09~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 研究员
2017-08~2020-07,德国马普学会微结构物理研究所, 博士后
2014-07~2017-07,新加坡科技设计大学, 博士后

   

（1） 中国科学院杰出科技成就奖, , 部委级, 2022
（2） 全国颠覆性技术创新大赛总决赛优胜奖, , 部委级, 2022
（3） 上海市浦江（A类）人才计划, 省级, 2021
（4） 国家海外高层次人才, , 国家级, 2021
（5） 上海市海外高层次人才, , 省级, 2021
（6） 上海市优秀博士论文, 省级, 2016
（7） UCAS-BHP BILLITON SCHOLARSHIP, 部委级, 2013

（ 1 ） 一种相变存储器单元及其制备方法, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112635667A

（ 2 ） 一种存储器及其制作方法, 发明专利, 2016, 第 7 作者, 专利号: CN105322090A

（ 3 ） 一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法, 发明专利, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103531710A

（ 4 ） 一种Ti-Sb 2 Te 3 相变存储材料, 发明专利, 2013, 第 6 作者, 专利号: CN102593355B

（ 5 ） 用于高温环境的N-Ge-Te相变存储材料及制备方法, 发明专利, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102623632A

（ 6 ） 用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料, 发明专利, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102610745A

（ 7 ） 一种电阻式随机存取存储器及其制造方法, 发明专利, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN102254927A

（ 8 ） 用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法, 发明专利, 2011, 第 6 作者, 专利号: CN102134698A

（ 9 ） 用于相变存储器的Si-Sb-Te材料, 发明专利, 2011, 第 5 作者, 专利号: CN102130298A

（ 10 ） 用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料, 发明专利, 2010, 第 1 作者, 专利号: CN101924180A

   

（1） 300mm integration of a scalable phase change material spacer by inductively coupled plasma etching, MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2023, 通讯作者
（2） Nanoscale Phase Change Material Array by Sub-Resolution Assist Feature for Storage Class Memory Application, NANOMATERIALS, 2023, 通讯作者
（3） The effect of slurry pH on the chemical mechanical planarization of a carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2022, 通讯作者
（4） Ionitronic manipulation of current-induced domain wall motion in synthetic antiferromagnets, NATURE COMMUNICATIONS, 2021, 第 2 作者
（5） Design of c-Axis-Oriented Pnictogen Chalcogenides, ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2021, 通讯作者
（6） Increased Efficiency of Current-Induced Motion of Chiral Domain Walls by Interface Engineering, ADVANCED MATERIALS, 2021, 第 2 作者
（7） Giant Transition-State Quasiparticle Spin-Hall Effect in an Exchange-Spin-Split Superconductor Detected by Nonlocal Magnon Spin Transport, ACS NANO, 2020, 第 3 作者
（8） Resistance modulation in Ge2Sb2Te5, Resistance modulation in Ge2Sb2Te5, JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2020, 第 3 作者
（9） Wide Bandgap Phase Change Material Tuned Visible Photonics, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2019, 第 7 作者
（10） Sb2Te3 and Its Superlattices: Optimization by Statistical Design, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 第 2 作者
（11） Understanding phase-change materials with unexpectedly low resistance drift for phase-change memories, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2018, 通讯作者
（12） Tunable Mid-Infrared Phase-Change Metasurface, ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2018, 第 3 作者
（13） Tuneable Thermal Emission Using Chalcogenide Metasurface, ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2018, 第 5 作者
（14） Avalanche atomic switching in strain engineered Sb2Te3-GeTe interfacial phase-change memory cells, NANO FUTURES, 2017, 通讯作者
（15） Laser switching and characterisation of chalcogenides: systems, measurements, and applicability to photonics Invited, OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2017, 第 2 作者
（16） Phase-Change Memory Materials by Design: A Strain Engineering Approach, ADVANCED MATERIALS, 2016, 通讯作者
（17） Evolutionary design of interfacial phase change van der Waals heterostructures, NANOSCALE, 2016, 第 2 作者
（18） Oxygen Tuned Local Structure and Phase-Change Performance of Germanium Telluride, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2016, 通讯作者
（19） 相变存储器材料研究, Study of phase change materials for phase change random access memory, 中国科学. 物理学, 力学, 天文学, 2016, 第 3 作者
（20） Strain-engineered diffusive atomic switching in two-dimensional crystals, NATURE COMMUNICATIONS, 2016, 第 2 作者
（21） Study on WSb3Te material for phase-change memory applications, APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 第 2 作者
（22） A zero density change phase change memory material: GeTe-O structural characteristics upon crystallisation, SCIENTIFIC REPORTS, 2015, 通讯作者
（23） RESET Distribution Improvement of Phase Change Memory: The Impact of Pre-Programming, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 第 4 作者
（24） Understanding Phase-Change Behaviors of Carbon-Doped Ge2Sb2Te5 for Phase-Change Memory Application, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2014, 第 1 作者
（25） High thermal stability and low density variation of carbon-doped Ge2Sb2Te5 for phase-change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 3 作者
（26） Nitrogen-doped Sb-rich Si-Sb-Te phase-change material for high-performance phase-change memory, ACTA MATERIALIA, 2013, 第 1 作者
（27） Sb含量对GeTe-Sb相变薄膜电学性能和微观结构的影响, The characteristics of GeTe-Sb thin films with different Sb concentration for phase change memory, 电子显微学报, 2013, 第 2 作者
（28） A simple method used to evaluate phase-change materials based on focused-ion beam technique, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 第 6 作者
（29） Phase transition characteristics of Al-Sb phase change materials for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 通讯作者
（30） Investigation on nitrogen-doped Ge2Sb2Te5 material for phase-change memory application, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2013, 第 2 作者
（31） Ti10Sb60Te30 for phase change memory with high-temperature data retention and rapid crystallization speed, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 7 作者
（32） Investigation on Sb-rich Sb–Se–Te phase-change material for phase change memory application, JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2012, 第 5 作者
（33） W-Sb-Te phase-change material: A candidate for the trade-off between programming speed and data retention, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 8 作者
（34） Improved Thermal Stability and Electrical Properties for Al-Sb-Te Based Phase-Change Memory, ECS SOLID STATE LETTERS, 2012, 第 8 作者
（35） Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2012, 第 5 作者
（36） Carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material: A candidate for high-density phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 通讯作者
（37） Study on Interface Adhesion between Phase Change Material Film and SiO2 Layer by Nanoscratch Test, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 通讯作者
（38） Investigation on phase change behaviors of Si-Sb-Te alloy: The effect of tellurium segregation, MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS.NEW FUNCTIONAL MATERIALS AND EMERGING DEVICE ARCHITECTURES FOR NONVOLATILE MEMORIES, 2011, 第 1 作者
（39） Investigation of Sb-rich Si2Sb2+x Te-6 material for phase change random access memory application, APPLIEDPHYSICSAMATERIALSSCIENCEPROCESSING, 2011, 通讯作者
（40） Investigation of phase transition behaviors of the nitrogen-doped Sb-rich Si–Sb–Te films for phase-change memory, THIN SOLID FILMS, 2011, 第 1 作者
（41） N-doped Sb2Te phase change materials for higher data retention, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2011, 第 7 作者
（42） Si-Sb-Te materials for phase change memory applications, NANOTECHNOLOGY, 2011, 第 4 作者
（43） Sb-rich Si-Sb-Te phase change material for multilevel data storage: The degree of disorder in the crystalline state, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 通讯作者
（44） Al1.3Sb3Te material for phase change memory application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 8 作者
（45） Sb-rich Si-Sb-Te Phase-Change Material for Phase-Change Random Access Memory Applications, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2011, 第 2 作者
（46） Nano composite Si2Sb2Te film for phase change memory, THIN SOLID FILMS, 2011, 第 6 作者
（47） Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 第 5 作者
（48） Study of phase change memory cell with inserting buffer layer, PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 7 NO 3-4, 2010, 
（49） Au-197 irradiation study of phase-change memory cell with GeSbTe alloy, PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2010, 第 2 作者
（50） Si2Sb2Te6 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application, APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2009, 第 1 作者

   

（ 1 ） Bi2X3基超晶格相变材料与器件及其低功耗高速阈值转变机理, 负责人, 国家任务, 2022-01--2025-12
（ 2 ） 高密度超晶格相变材料与器件及其转变机理研究, 负责人, 地方任务, 2021-10--2023-09
（ 3 ） 超晶格相变存储器原子级界面调控与机理, 负责人, 研究所自主部署, 2021-01--2023-12
（ 4 ） 超晶格相变存储器研究, 负责人, 研究所自主部署, 2020-06--2022-05
（ 5 ） 下一代信息存储技术, 负责人, 国家任务, 2022-01--2024-12

（1）Racetrack memory by design: enhanced current induced domain wall motion through interfacial engineering   2019-09-20
（2）Design of Highly C-Axis Oriented Bismuth Chalcogenides for Strain Engineered Interfacial Phase Change Memory   2017-04-20
（3）Strain Engineered Diffusive Atomic Switching in Chalcogenide Heterostructure Superlattices   2016-03-31
（4）Strained interfacial phase-change memory based on GeTe-SbxTe1-x superlattices   2015-09-06

现指导学生

陈嬗雯  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

方文成，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，已毕业

李程兴，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，已毕业

王若冰，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，已毕业

张家睿，硕士研究生，080500-材料科学与工程，已毕业

郑加，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，在读

万子琦，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，在读

陈雨晴，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，在读

邹茜茜，博士研究生，080500-材料科学与工程，在读

刘瑾，硕士研究生，080500-材料科学与工程，在读

王志强，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，在读

周靖博，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，在读

禹宁，博士研究生，080903-微电子学与固体电子学，在读