080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
140100-集成电路科学与工程

射频、微波器件与电路集成技术

2003-09--2008-06   中国科学院半导体研究所   博士研究生 博士
1999-09--2003-07   北京师范大学   本科 学士

   

2019-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2010-09~2019-04,中国科学院微电子研究所, 副研究员
2008-07~2010-09,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2003-09~2008-06,中国科学院半导体研究所, 博士研究生 博士
1999-09~2003-07,北京师范大学, 本科 学士

微波集成电路设计基础

   

（ 1 ） 一种单端口N-path带通滤波器, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116418314A

（ 2 ） 一种电压转换器、方法及电子设备, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115225045A

（ 3 ） 片上变压器及其制作方法, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115083768A

（ 4 ） 一种DC-DC转换器及其驱动电路和相关设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN115051569A

（ 5 ） 一种N-path带通滤波器, 2022, 第 1 作者, 专利号: ZL202123421739.4

（ 6 ） 一种N-path带通滤波器, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN216599567U

（ 7 ） 一种品质因子增强有源滤波器及电子设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114499453A

（ 8 ） 一种品质因子增强有源滤波器及电子设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114499453A

（ 9 ） 一种品质因子增强有源滤波器及电子设备, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114499453A

（ 10 ） 低噪声放大器以及电子设备, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN215420205U

（ 11 ） 一种宽带功分器和宽带功率放大器, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113437942A

（ 12 ） 基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113271067A

（ 13 ） 一种GaN-HEMT器件大信号模型的建模方法, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112906226A

（ 14 ） 一种具有深回退区间的Doherty功率放大器, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN112636697A

（ 15 ） 开关功率放大器, 2020, 第 2 作者, 专利号: CN107196610B

（ 16 ） 开关功率放大器和数字发射机, 2019, 第 1 作者, 专利号: CN109245730A

（ 17 ） HEMT与单刀双掷开关电路, 2018, 第 1 作者, 专利号: CN108717943A

（ 18 ） 一种数字移相器, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN107332538A

（ 19 ） 数字移相器, 2017, 专利号: CN107306123A

（ 20 ） 开关功率放大器, 2017, 第 2 作者, 专利号: CN107196610A

（ 21 ） 一种数字移相器, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103944534A

（ 22 ） 场效应晶体管液体传感器及其制备方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: CN103928525A

（ 23 ） 一种金属-介质-金属结构电容的制作方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103928301A

（ 24 ） 晶体管输出电阻频散特性的测量方法及系统, 2014, 第 3 作者, 专利号: CN103913690A

（ 25 ） 基于钨金属的电子束对准标记的制作方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN103311144A

（ 26 ） 一种测量FET沟道温度的方法, 2013, 第 7 作者, 专利号: CN102313613B

（ 27 ） 一种测量GaN基器件热可靠性的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN102955113A

（ 28 ） 氮化镓基液体传感器及其制备方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102830137A

（ 29 ） 高频内匹配功率器件的封装方法, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102832145A

（ 30 ） 一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102623336A

（ 31 ） 高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN102569390A

（ 32 ） AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102542077A

（ 33 ） 砷化镓衬底改进的快速减薄方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102543665A

（ 34 ） 一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法, 2012, 第 4 作者, 专利号: CN102479745A

（ 35 ） 控制背孔剖面形状的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: CN102456611A

（ 36 ） 一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102427034A

（ 37 ） 一种适用于高频功率器件的稳定网络, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN102340290A

（ 38 ） 改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102339751A

（ 39 ） 一种测量FET沟道温度的装置及方法, 2012, 第 7 作者, 专利号: CN102313613A

（ 40 ） 一种去除高熔点黏附剂的方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102310059A

（ 41 ） 一种高硬度微米研磨液及其配制方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102311717A

（ 42 ） 一种纳米级抛光液及其调配方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN102311706A

（ 43 ） 一种芯片背面金属起镀层结构及其制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102237339A

（ 44 ） 一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102214555A

（ 45 ） 一种对碳化硅晶片进行减薄的方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: CN102214565A

（ 46 ） 具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN102118133A

（ 47 ） 一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN101661921A

   

（1） A High-Efficiency Continuous Class-F GaN MMIC Power Amplifier Using a Novel Harmonic Matching Network, IEEE MICROWAVE AND WIRELESS TECHNOLOGY LETTERS, 2023, 通讯作者
（2） A High-Efficiency Inverse Class-F GaN MMIC Power Amplifier with Compact Output Matching Network, Ieee Transactions on Circuits and Systems Ii-Express Briefs, 2023, 第 1 作者
（3） A monolithic gallium nitride‐based two‐phase synchronous buck converter with high operating frequency, ELECTRONICS LETTERS, 2023, 第 4 作者
（4） Reverse gate leakage mechanism of AlGaN/GaN HEMTs with Au-free gate, Reverse gate leakage mechanism of AlGaN/GaN HEMTs with Au-free gate, CHINESE PHYSICS B, 2023, 通讯作者
（5） A High Efficiency S-band Power Amplifier Based on GaN-on-Si with Bandwidth of 1 GHz, ", 2022 IEEE 16th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2022, 通讯作者
（6） Active 4th-Order N-path Filter with Wide Tuning Bandwidth Range, 2022 IEEE 16th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2022, 通讯作者
（7） A concurrent dual-band low noise amplifier with gain enhancement topology for 2.4/5.2 GHz applications, INFORMACIJE MIDEM, 2022, 通讯作者
（8） GaN数字功率放大器技术进展, Technical Progress of GaN Digital Power Amplifier, 微电子学, 2021, 第 3 作者
（9） Si基超薄势垒InAlN/GaN HEMT开关器件小信号模型, Small-Signal Model of the Si-Based Ultrathin Barrier InAlN/GaN HEMT Switching Device, 半导体技术, 2020, 第 7 作者
（10） Monolithic Integrated High Frequency GaN DC-DC Buck Converters with High Power Density Controlled by Current Mode Logic Level Signal, ELECTRONICS, 2020, 通讯作者
（11） Si基（111）超薄势垒InAlN/GaN HEMT开关起价小信号模型, 半导体器件, 2020, 通讯作者
（12） Trap-assisted tunneling current of ultrathin InAlN/GaN HEMTs on Si (1 1 1) substrate, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, 通讯作者
（13） A large-signal Pspice modeling of GaN-based MIS-HEMTs, SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2019, 其他（合作组作者）
（14） 采用CMOS工艺的C波段5bit数字移相器设计, Design of C-band 5 bit digital phase shifter based on CMOS technology, 微电子学与计算机, 2019, 第 6 作者
（15） GaN HEMT开关器件小信号模型, Small-Signal Model of the GaN HEMT Switch Device, 半导体技术, 2018, 第 6 作者
（16） X波段GaN基小相位移相器设计, Design of X-Band GaN-Based Small Phase Shifters, 半导体技术, 2018, 第 4 作者
（17） High power 3-bit GaN high-pass/low-pass phase shifter for X-band applications, MICROELECTRONICS INTERNATIONAL, 2018, 通讯作者
（18） Analysis of reverse gate leakage mechanism of AlGaN/GaN HEMTs with N2 plasma surface treatment, SOLIDSTATEELECTRONICS, 2018, 通讯作者
（19） An X-band 22.5°/45° digital phase shifter based on switched filter networks, 2017, 38(6): 065001, Journal of Semiconductors, 2017, 通讯作者
（20） X-band 5-bit MMIC phase shifter with GaN HEMT technology, 2017, 136: 18-23, Solid-State Electronics, 2017, 通讯作者
（21） X波段4bit MMIC数字移相器的设计与实现, 半导体集成电路, 2017, 第 3 作者
（22） An X-band 22.5°/45° digital phase shifter based on switched filter networks, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2017, 第 2 作者
（23） High-Power X -Band 5-b GaN Phase Shifter With Monolithic Integrated E/D HEMTs Control Logic, 2017, 64(9): 3627-3633, IEEE transactions on electron devices, 2017, 第 1 作者
（24） X 波段4 bit MMIC 数字移相器的设计与实现， 2017， 42（6）：431-435, 半导体技术, 2017, 通讯作者
（25） 高性能X波段增强型凹栅Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT, High Performance Enhancement-Mode Gate-Recessed Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs for X-band Applications, 微电子学与计算机, 2017, 第 3 作者
（26） X-band 5-bit MMIC phase shifter with GaN HEMT technology, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2017, 通讯作者
（27） High-Power X -Band 5-b GaN Phase Shifter With Monolithic Integrated E/D HEMTs Control Logic, IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES, 2017, 通讯作者
（28） X 波段大相位高低通移相器MMIC 的设计与实现, Design and Implementation of X-Band Large Bit High-Low Pass Phase Shifter MMICs, 半导体技术, 2016, 第 6 作者
（29） Small-signal modeling of GaN HEMT switch with a new intrinsic elements extraction method, CHINESE PHYSICS B, 2016, 第 3 作者
（30） Design of an X-Band 6-Bit Phase Shifter, 2015 8TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPUTATIONAL INTELLIGENCE AND DESIGN (ISCID), VOL 2, 2015, 通讯作者
（31） RobustSiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 第 8 作者
（32） X波段GaN五位数字移相器MMIC的设计, Design of an X-Band GaN 5 bit Digital Phase Shifter MMIC, 电子器件, 2014, 第 3 作者
（33） InP基/GaN基器件与电路在微波毫米波领域“大显身手”, 科学中国人, 2014, 第 4 作者
（34） AlGaN/GaN Based Diodes for Liquid Sensing, AlGaN/GaN Based Diodes for Liquid Sensing, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 通讯作者
（35） Ku-band high power internally matched GaN HEMTs with 1.5GHz bandwidth, MICROELECTRONICS INTERNATIONAL, 2013, 第 4 作者
（36） Electric Field Dependent Drain Current Drift of AlGaN/GaN HEMT, 2013 IEEE INTERNATIONAL INTEGRATED RELIABILITY WORKSHOP FINAL REPORT (IRW), 2013, 第 7 作者
（37） GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性, Reliability of SiN-based MIM capacitors in GaN MMIC, 物理学报, 2012, 第 6 作者
（38） Reliability of SiN-based MIM capacitors in GaN MMIC, ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 第 6 作者
（39） A Ku band internally matched high power GaN HEMT amplifier with over 30% of PAE, A Ku band internally matched high power GaN HEMT amplifier with over 30% of PAE, 半导体学报, 2012, 第 3 作者
（40） A Ku-band high power density AlGaN/GaN HEMT monolithic power amplifier, A Ku-band high power density AlGaN/GaN HEMT monolithic power amplifier, 半导体学报, 2011, 第 3 作者
（41） Investigation on trap by the gate fringe capacitance in GaN HEMT, ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 第 5 作者
（42） Dispersion effect on the current voltage characteristic of AlGaN/GaN high electron mobility transistors, CHINESE PHYSICS B, 2011, 第 5 作者
（43） GaN HEMT栅边缘电容用于缺陷的研究, Investigation on trap by the gate fringe capacitance in GaN HEMT, 物理学报, 2011, 第 5 作者
（44） A Ku-band high power density AlGaN/GaN HEMT monolithic power amplifier, A Ku-band high power density AlGaN/GaN HEMT monolithic power amplifier, JOURNAL OF SEMICONDUCTORS, 2011, 第 3 作者
（45） A C-band GaN based linear power amplifier with 55.7% PAE, SOLID-STATE ELECTRONICS, 2010, 通讯作者
（46） Three-dimensional fluorescence spectral characteristics of dissolved organic carbon in cave drip waters and their responses to environment changes: Four cave systems as an example in Guizhou Province, China, CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2008, 第 4 作者
（47） 基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制, AlGaN/GaN HEMT Based on Native SiC Epitaxy Material, 电子器件, 2007, 第 4 作者
（48） AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取, Extraction of the Small-Signal Equivalent Circuit Parameters of the AlGaN/GaN HEMT Device, 半导体学报, 2007, 第 3 作者
（49） 微波功率器件的扇形线测试电路, A Radial Stub Test Circuit for Microwave Power Devices, 半导体学报, 2006, 第 1 作者

   

（ 1 ） XX波段GaN功率器件及MMIC, 参与, 国家任务, 2010-01--2013-07
（ 2 ） 氮化镓基新型液体传感器研究, 负责人, 国家任务, 2010-01--2013-12
（ 3 ） XX GaN E/D移相器研究, 负责人, 国家任务, 2015-01--2018-12
（ 4 ） XXX波段大功率开关器件研究, 负责人, 国家任务, 2017-01--2019-12
（ 5 ） 5G通信基站功率放大器, 负责人, 国家任务, 2019-09--2020-12
（ 6 ） 硅基氮化镓射频功率核心器件与产业化, 负责人, 中国科学院计划, 2020-01--2022-12
（ 7 ） GaN智能功率芯片, 负责人, 国家任务, 2019-12--2024-12
（ 8 ） 异质键合滤波器研究, 负责人, 国家任务, 2023-06--2027-06