基本信息
徐静波  男  硕导  其他
电子邮件: xujingbo@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路三号
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
085400-电子信息
招生方向
计算机技术
物联网工程与技术
射频、微波器件与电路集成技术

教育背景

2005-06--2008-06   中国科学院微电子研究所   博士
2003-10--2004-09   中国电子科技集团公司第十三研究所   联合培养
2002-07--2005-05   河北工业大学   硕士
1998-09--2002-06   河北工业大学   学士

工作经历

   
工作简历
2010-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2010-03~2015-11,中国科学院物联网研究发展中心、江苏物联网研究发展中心, 外派参与筹建物联网中心
2008-07~2010-09,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2005-06~2008-06,中国科学院微电子研究所, 博士
2003-10~2004-09,中国电子科技集团公司第十三研究所, 联合培养
2002-07~2005-05,河北工业大学, 硕士
1998-09~2002-06,河北工业大学, 学士

教授课程

知识产权法

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 基于自组织神经网络的心电信号分类方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201610256973.0
( 2 ) 基于埃尔米特函数的心电特征提取方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 201610258219.0
( 3 ) 声表面波传感器, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610727889.2
( 4 ) 或非门逻辑单元及其形成方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL 200810227463.6
( 5 ) 非门逻辑电路及其形成方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL 200810227459.X
( 6 ) 增强型背栅氧化锌米线场效应晶体管及其制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL 200810227461.7
( 7 ) 一种ZnO背栅纳米线场效应管的制备方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: ZL 200810223353.2
( 8 ) 单片集成GaAs基ED MHEMT的制作方法, 2008, 第 4 作者, 专利号: ZL 200810103226.9
( 9 ) 单片集成GaAs基ED MHEMT的制作方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: ZL 200810103226.9
( 10 ) 实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法, 2008, 第 4 作者, 专利号: ZL200810103255.5
( 11 ) 实现ZnO纳米线到场效应管衬底淀积和定位的方法, 2008, 第 4 作者, 专利号: ZL 200810103254.0
( 12 ) 在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法, 2008, 第 4 作者, 专利号: ZL 200810103256.X
( 13 ) 在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: ZL 200810103227.3
( 14 ) 单片集成增强耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法 , 2008, 第 3 作者, 专利号: ZL 2008 1 0102205.5
( 15 ) 实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法, 2008, 第 3 作者, 专利号: ZL200810102206.X
( 16 ) 适用于增强型InGaP AlGaAs InGaAs PHEMT器件的栅退火方法, 2007, 第 2 作者, 专利号: ZL 2007 1 0303895.6
( 17 ) 单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构, 2007, 第 1 作者, 专利号: ZL 200710178311.7
( 18 ) 单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构, 2007, 第 1 作者, 专利号: ZL 200710178321.0
( 19 ) 制作单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管的方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: ZL 200710178320.6
( 20 ) 制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: ZL 200710178310.2
( 21 ) 单片集成的环形振荡器与分频器电路及其处理方法, 2007, 第 1 作者, 专利号: ZL 200710177793.4
( 22 ) 高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料结构, 2007, 第 1 作者, 专利号: ZL 200710063375.2

出版信息

   
发表论文
(1) 基于自组织神经网络的QRS波聚类方法, 传感器与微系统, 2017, 第 3 作者
(2) 基于改进K均值聚类生成匹配模板的心搏分类方法 传感器与微系统, ECG beat Classification method based on Match Template Generated by Developed k-means Clustering, 传感器与微系统, 2017, 第 2 作者
(3) 基于IOCP的远程心电监测系统设计 微型机与应用, Design of Remote ECG Monitoring System Based on IOCP, 微型机与应用, 2017, 第 2 作者
(4) 长期日常血压监测及日常行为干预对高血压控制的影响, 心血管病防治知识, 2016, 第 1 作者
(5) 太赫兹时域光谱法测定高电子迁移率晶体管的截止工作频率, 激光与光电子学进展, 2012, 通讯作者
(6) Device research on GaAs-based InAlAsInGaAs metamorphic highelectron mobility transistors grown by metal organic chemical vapourdeposition, Chin. Phys. B , 2010, 第 1 作者
(7) ZnO纳米线场效应管的制备及光电特性, 半导体学报, 2009, 第 4 作者
(8) The research on suspended ZnO nanowire field-effect transistor, Chin. Phys. B , 2009, 第 4 作者
(9) 利用电子束光刻技术实现200 nm 栅长GaAs基MHEMT器件, 200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography , Chinese Science Bulletin, 2008, 第 1 作者
(10) 1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC, 半导体学报, 2008, 第 1 作者
(11) Left-Handed Metamaterials for RL and Microwave Filter Miniaturization, 2008 IEEE MTT-S International Microwave Workshop Series on Art of Miniaturizing RF and Microwave Passive Components, 2008, 第 3 作者
(12) Power Characteristics of Metamorphic In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As HEMTs on GaAs Substrates with T-Shaped Gate, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
(13) GaAs基ED PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
(14) 200nm Gate Length Metamorphic In0.52Al0.48AsIn0.6Ga0.4As HEMTs on GaAs Substrates with 110GHz ft, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
(15) Gate Annealing of an Enhancement-mode InGaPAlGaAsInGaAs PHEMT, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
(16) 单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管,  Monolithic integration of 0.8μm gate-length GaAs-based InGaPAlGaAsInGaAs enhancement- and depletion-mode PHEMTs, 半导体学报, 2007, 第 1 作者
(17) Abstraction of Small Signal Equivalent Circuit Parameters of Enhancement-Mode InGaP AlGaAs InGaAs PHEMT, 半导体学报, 2007, 第 1 作者
(18) 一种InGaAs InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法, 半导体学报, 2007, 通讯作者
(19) Ultrahigh-Speed Lattice-Matched In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As HEMTs with 218GHz Cutoff Frequency, 半导体学报, 2007, 通讯作者
(20)  磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究, 物理学报, 2007, 通讯作者
(21) MBE生长高2-DEG面密度InP基PHEMT外延材料, 半导体技术, 2005, 第 1 作者
(22) 

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 基于纳米操控技术的ZnO纳米线传感器制备技术研究, 主持, 国家级, 2009-08--2010-08
( 2 ) 氧化锌一维纳米线场效应晶体管的研究, 主持, 市地级, 2008-07--2009-07
( 3 ) W波段MHEMT功率器件, 主持, 市地级, 2006-10--2008-09
( 4 ) 新一代化合物半导体电子器件与电路研究——新结构InP基HEMT和增强/耗尽(E/D)型HEMT, 参与, 国家级, 2002-10--2008-10
( 5 ) 支持压力感知的低功耗三维触控屏研发, 参与, 省级, 2011-03--2013-03
( 6 )  物联网核心芯片及应用技术, 参与, 部委级, 2015-07--2017-06