基本信息
李豫东  男  博导  中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件: lydong@ms.xjb.ac.cn
通信地址: 新疆乌鲁木齐市北京南路40-1号
邮政编码: 830011

研究领域

1. 电子元器件辐射效应机理

2. 电子器件与系统抗辐射加固

3. 机器视觉与机器人系统

招生信息

      抗辐射加固技术是为保证电子系统、仪器等在辐射环境中仍能完好并可靠地完成各种预定功能而采取的各种技术措施。该领域是航天、空间物理、核物理、微电子、材料和计算机等多个学科相互渗透和交叉的领域。我们将招收相关领域的优秀本科毕业生攻读硕博士学位,未来可从事半导体、航天、机器人等行业的科研及技术开发工作。

招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
080902-电路与系统
招生方向
光电材料与器件的辐射效应
半导体光电材料的辐射效应
电路与系统集成技术

教育背景

2004-09--2009-06   中国科学院长春光学精密机械与物理研究所   博士
2000-09--2004-07   吉林大学   学士
学历
博士

学位
博士

工作经历

   
工作简历
2017-10~现在, 中国科学院新疆理化技术研究所, 党委委员、研究室副主任、研究员
2014-11~2017-10,中国科学院新疆理化技术研究所, 研究员
2009-11~2014-10,中国科学院新疆理化技术研究所, 副研究员
2009-07~2009-10,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员
社会兼职
2018-02-08-今,中国科学院元器件专家组, 专家

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 纳米集成电路辐射效应评估关键技术及应用, 一等奖, 省级, 2021
(2) 星用光电成像器件辐射效应与抗辐射加固研究, 一等奖, 省级, 2018
(3) 新疆青年科技奖, 一等奖, 省级, 2016
(4) 星用双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究, 一等奖, 省级, 2015
专利成果
( 1 ) 一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710507786.X

( 2 ) 一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710507965.3

( 3 ) 一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710507516.9

( 4 ) 辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传感器满阱的测试方法, 发明专利, 2017, 第 2 作者, 专利号: 201710205736.6

( 5 ) 快速鉴别辐照后互补金属氧化物半导体传感器随机电码信号的方法, 发明专利, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201710200747.5

( 6 ) 用于焦平面成像器件绝对光谱响应的通用快速测量方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710130429.6

( 7 ) 辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法, 发明专利, 2017, 第 1 作者, 专利号: 201710077573.8

( 8 ) 一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤的测试方法, 发明专利, 2016, 第 5 作者, 专利号: 201610720572.6

( 9 ) 用于元器件电离辐照的X射线辐照方法, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610516217.7

( 10 ) 用于晶片级器件辐射效应试验的X射线辐照测试设备, 发明专利, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201610516216.2

( 11 ) 一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统, 发明专利, 2015, 第 3 作者, 专利号: 201510305312.8

( 12 ) 基于p-i-n结构的位移损伤剂量探测方法, 发明专利, 2014, 第 5 作者, 专利号: 201410629535.5

( 13 ) 一种用于光电成像器件光谱辐射损伤的测试方法, 发明专利, 2013, 第 1 作者, 专利号: 201310609114.1

出版信息

   
发表论文
[1] 玛丽娅·黑尼, 陈馨芸, 雷琪琪, 艾尔肯·阿不都瓦衣提, 李豫东, 郭旗, 何承发. 100 keV质子辐照InGaAs单结太阳电池性能退化机理研究. 太阳能学报[J]. 2023, 44(5): 146-151, [2] 陈加伟, 李豫东, 玛丽娅·黑尼, 李钰, 郭旗. 850nm垂直腔面发射激光器的辐射效应. 红外与激光工程[J]. 2022, 51(5): 179-184, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107453799.
[3] 陈加伟, 李豫东, 玛丽娅·黑尼, 郭旗, 刘希言. 850 nm垂直腔面发射激光器的辐射效应和仿真. 核技术[J]. 2022, 45(11): 31-36, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7108357469.
[4] Jiawei Chen, Yudong Li, 玛丽娅·黑尼, Qi Guo, Dong Zhou, Lin Wen. Annealing effects of 850 nm vertical-cavity surface-emitting lasers after proton irradiation. HELIYON[J]. 2022, 8(9): https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC9489973/.
[5] Zhikang Yang, Lin Wen, Yudong Li, Bingkai Liu, Jing Fu, Jie Feng, Yihao Cui. Total Ionizing Dose Effects of the Color CMOS Image Sensor at Different Bias. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics[J]. 2022, 16: 1-7, [6] 王海川, 冯婕, 李豫东. 强辐射环境下CMOS图像传感器噪声对相机分辨率的影响. 原子能科学技术[J]. 2022, 56(4): 775-782, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7107024043.
[7] 傅婧, 蔡毓龙, 李豫东, 冯婕, 文林, 周东, 郭旗. 质子辐照下正照式和背照式图像传感器的单粒子瞬态效应. 物理学报[J]. 2022, 71(5): 182-189, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7106724342.
[8] 周书星, 方仁凤, 魏彦锋, 陈传亮, 曹文彧, 张欣, 艾立鹍, 李豫东, 郭旗. 磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计. 物理学报[J]. 2022, 71(3): 290-297, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7106507270.
[9] Chen, Jiawei, Li, Yudong, 玛丽娅·黑尼, Liu, Bingkai, Guo, Qi, Ren, Xiaotang, He, Chengfa. Displacement damage effects in proton irradiated vertical-cavity surface-emitting lasers. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS[J]. 2022, 61(1): [10] Liu, Bingkai, Li, Yudong, Wen, Lin, Zhou, Dong, Feng, Jie, Zhang, Xiang, Cai, Yulong, Fu, Jing, Guo, Qi. Investigation of random telegraph signal in CMOS image sensors irradiated by protons.. JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY[J]. 2021, 58(5): 610-619, http://apps.webofknowledge.com/CitedFullRecord.do?product=UA&colName=WOS&SID=5CCFccWmJJRAuMzNPjj&search_mode=CitedFullRecord&isickref=WOS:000591747200001.
[11] 李钰, 文林, 周东, 李豫东, 郭旗. 高能质子辐照导致电荷耦合器件性能退化研究. 现代应用物理[J]. 2021, 12(3): 147-152, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7105904429.
[12] 冯婕, 李豫东, 傅婧, 文林, 郭旗. 10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究. 原子能科学技术[J]. 2021, 55(12): 2135-2142, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7106175454.
[13] Liu Bingkai, Li Yudong, Wen Lin, Zhou Dong, Feng Jie, Zhang Xiang, Cai Yulong, Fu Jing, Guo Qi. Analysis of Dark Signal Degradation Caused by 1 MeV Neutron Irradiation on Backside-Illuminated CMOS Image Sensors. CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS[J]. 2021, 30(1): 180-184, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7104127717.
[14] Fu, Jing, Feng, Jie, Li, YuDong, Guo, Qi, Wei, Ying, Wen, Lin, Zhou, Dong, Zhang, Xiang, Cai, YuLong, Liu, BingKai. Effect of proton radiation on 8T CMOS image sensors for space applications. RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS[J]. 2021, 176(7-8): 612-620, http://dx.doi.org/10.1080/10420150.2021.1898391.
[15] 傅婧, 李豫东, 冯婕, 文林, 郭旗. 8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究. 原子能科学技术[J]. 2021, 55(12): 2128-2134, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7106175453.
[16] 刘炳凯, 李豫东, 文林, 周东, 郭旗. 辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号. 原子能科学技术[J]. 2021, 55(12): 2143-2150, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7106175455.
[17] 魏莹, 文林, 李豫东, 郭旗. 电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真. 数值计算与计算机应用[J]. 2020, 41(2): 143-150, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7102372382.
[18] 雷琪琪, 郭旗, 艾尔肯阿不都瓦衣提, 玛丽娅黑尼, 李豫东, 王保顺, 王涛, 莫镜辉, 庄玉, 陈加伟. GaAsN/GaAs量子阱在1 MeV电子束辐照下的退化规律. 发光学报[J]. 2020, 41(5): 603-609, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7101528876.
[19] Cai, Yulong, Wen, Lin, Li, Yudong, Guo, Qi, Zhou, Dong, Feng, Jie, Zhang, Xiang, Liu, Bingkai, Fu, Jing. Single-Event Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SET and SEL. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE[J]. 2020, 67(8): 1861-1868, http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2020.3000275.
[20] Zhang, Xiang, Li, Yudong, Wen, Lin, Feng, Jie, Zhou, Dong, Cai, Yulong, Liu, Bingkai, Fu, Jing, Guo, Qi. Displacement damage effects induced by fast neutron in backside-illuminated CMOS image sensors. JOURNAL OF NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY[J]. 2020, 57(9): 1015-1021, http://dx.doi.org/10.1080/00223131.2020.1751323.
[21] Liu, Bingkai, Li, Yudong, Wen, Lin, Zhou, Dong, Feng, Jie, Zhang, Xiang, Cai, Yulong, Fu, Jing, Chen, Jiawei, Guo, Qi. Study of dark current random telegraph signal in proton-irradiated backside illuminated CMOS image sensors. RESULTS IN PHYSICS[J]. 2020, 19(12): http://dx.doi.org/10.1016/j.rinp.2020.103443.
[22] Liu, Bingkai, Li, Yudong, Wen, Lin, Zhou, Dong, Feng, Jie, Ma, Lindong, Zhang, Xiang, Cai, Yulong, Wang, Zhiming, Fu, Jing, Guo, Qi, Ma, Ding. A study of hot pixels induced by proton and neutron irradiations in charge coupled devices. RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS[J]. 2020, 175(5-6): 540-550, https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000532610100013.
[23] 蔡毓龙, 李豫东, 文林, 冯婕, 郭旗. 0.18μm CMOS有源像素图像传感器质子辐照效应. 红外与激光工程[J]. 2020, 49(7): 183-188, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7102535560.
[24] 王志铭, 周东, 李豫东, 文林, 马林东, 张翔, 郭旗. 1 MeV电子室温辐照对中波HgCdTe光伏器件暗电流的影响. 现代应用物理[J]. 2019, 10(3): 59-65, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7100130933.
[25] Xu, Yannan, Bi, Jinshun, Li, Yudong, Xi, Kai, Fan, Linjie, Liu, Ming, Sandip, M, Luo, Li. The total ionizing dose effects of X-ray irradiation on graphene/Si Schottky diodes with a HfO2 insertion layer. MICROELECTRONICS RELIABILITY[J]. 2019, 100: http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2019.06.047.
[26] Xu, Yan, Heini, Maliya, Shen, Xiaobao, Aierken, Abuduwayiti, Zhao, Xiaofan, Sailai, Momin, Lu, Wu, Tan, Ming, Wu, Yuanyuan, Lu, Shulong, Li, Yudong, Guo, Qi. Spectral and electrical properties of 3 MeV and 10 MeV proton irradiated InGaAsP single junction solar cell. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS[J]. 2019, 58(3): http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5685.
[27] 王志铭, 周东, 郭旗, 李豫东, 文林, 马林东, 张翔, 蔡毓龙, 刘炳凯. γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究. 红外与激光工程[J]. 2019, 192-199, https://kns.cnki.net/KCMS/detail/detail.aspx?dbcode=CJFD&dbname=CJFDLAST2019&filename=HWYJ201909027&v=MDc3MzJGeTdnVnJ6SUxUclNaTEc0SDlqTXBvOUhZNFI4ZVgxTHV4WVM3RGgxVDNxVHJXTTFGckNVUjd1ZlkrZHI=.
[28] Cai, YuLong, Guo, Qi, Li, YuDong, Wen, Lin, Zhou, Dong, Feng, Jie, Ma, LinDong, Zhang, Xiang, Wang, TianHui. Heavy ion-induced single event effects in active pixel sensor array. SOLID-STATE ELECTRONICS[J]. 2019, 152(2): 93-99, http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5645.
[29] 李豫东. Heavy ion-induced single event effcts in active pixel sensor array. Solid State Electronics. 2019, [30] Xie, Yahong, Cheng, Jian, Liu, Haichao, Liu, Junli, Maitituersun, Buhaidiqie, Ma, Junhong, Qiang, Yue, Shi, Haokun, Geng, Cong, Li, Yudong, Yang, Guihua. Co-Ni alloy@carbon aerogels for improving the efficiency and air stability of perovskite solar cells and its hysteresis mechanism. CARBON[J]. 2019, 154(12): 322-329, http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7196, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/6897298, http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&KeyUT=WOS:000488203600037&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&UsrCustomerID=3a85505900f77cc629623c3f2907beab.
[31] Zhang, XingYao, Guo, Qi, Li, YuDong, Wen, Lin. Total ionizing dose and synergistic effects of magnetoresistive random-access memory. NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES[J]. 2018, 29(8): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675982267.
[32] Zhou, Dong, Wu, Liangcai, Wen, Lin, Ma, Liya, Zhang, Xingyao, Li, Yudong, Guo, Qi, Song, Zhitang. Electron-beam-irradiation-induced crystallization of amorphous solid phase change materials. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS[J]. 2018, 57(4): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000427883300001.
[33] Ma, LinDong, Li, YuDong, Wen, Lin, Feng, Jie, Zhang, Xiang, Wang, TianHui, Cai, YuLong, Wang, ZhiMing, Guo, Qi. Total ionizing dose effects in pinned photodiode complementary metal-oxide-semiconductor transistor active pixel sensor. CHINESE PHYSICS B[J]. 2018, 27(10): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=676565812.
[34] 王田珲, 李豫东, 文林, 冯婕, 蔡毓龙, 马林东, 张翔, 郭旗. CMOS图像传感器在质子辐照下热像素的产生和变化规律. 发光学报[J]. 2018, 39(12): 1697-1704, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=676861200.
[35] 汪朝敏, 文林, 李豫东, 郭旗. γ射线及质子辐照导致CCD光谱响应退化的机制. 发光学报[J]. 2018, 39(2): 244-250, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7000473928.
[36] 马林东, 郭旗, 李豫东, 文林. 电子辐照导致CMOS图像传感器性能退化. 现代应用物理[J]. 2018, 9(4): 72-75, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7001052639.
[37] 冯婕, 张兴尧, 于新, 李豫东, 文林, 郭旗, 何承发, 周东. 不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析. 现代应用物理[J]. 2018, 9(2): 65-68, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=7000687175.
[38] 李豫东. 质子辐射导致CCD 热像素产生的机制研究. 微电子学. 2018, [39] Hu, Shaogang, Liu, Yang, Chen, Tupei, Guo, Qi, Li, YuDong, Zhang, XingYao, Deng, L J, Yu, Qi, Yin, You, Hosaka, Sumio. gamma-Ray Radiation Effects on an HfO2-Based Resistive Memory Device. IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY[J]. 2018, 17(1): 61-64, http://dx.doi.org/10.1109/TNANO.2017.2661818.
[40] Zhang, Xiang, Li, YuDong, Wen, Lin, Zhou, Dong, Feng, Jie, Ma, LinDong, Wang, TianHui, Cai, YuLong, Wang, ZhiMing, Guo, Qi. Radiation Effects Due to 3 MeV Proton Irradiations on Back-Side Illuminated CMOS Image Sensors. CHINESE PHYSICS LETTERS[J]. 2018, 35(7): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=675657221.
[41] Xiaofan ZHAO, Maliya HEINI, Momin SAILAI, Abuduwayiti AIERKEN, Qi GUO, Yudong LI, Shulong LU, Pan DAI, Yuanyuan WU, Ming TAN. 1-MeV electron irradiation effects on InGaAsP/InGaAs double-junction solar cell and its component subcells. 中国科学:信息科学(英文版)[J]. 2017, 60(12): 113-115, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=673840356.
[42] 冯婕, 李豫东, 文林, 郭旗. CMOS传感器辐射损伤对视觉位姿测量系统性能的影响机制. 红外与激光工程[J]. 2017, 46(0S1): 69-73, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=WD72878974717167504849559049484950.
[43] 于新, 郭旗, 李豫东, 何承发, 文林, 张兴尧, 周东. 3MeV质子辐照条件下DC/DC位移损伤机理研究. 现代应用物理[J]. 2017, 8(4): 37-42, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433023.
[44] Zhao, Xiaofan, Heini, Maliya, Sailai, Momin, Aierken, Abuduwayiti, Guo, Qi, Li, Yudong, Lu, Shulong, Dai, Pan, Wu, Yuanyuan, Tan, Ming. 1-MeV electron irradiation effects on InGaAsP/InGaAs double-junction solar cell and its component subcells. SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES. 2017, 60(12): http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=673840356.
[45] 周东, 林加木, 李豫东, 乔辉, 文林, 玛丽娅·黑尼, 冯婕, 郭旗. 1MeV电子辐照对HgCdTe材料红外透射光谱的影响. 现代应用物理[J]. 2017, 8(4): 52-56, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433026.
[46] Zhao Xiaofan, Heini Maliya, Sailai Momin, Aierken Abuduwayiti, Guo Qi, Li Yudong, Lu Shulong, Dai Pan, Wu Yuanyuan, Tan Ming. 1-MeV electron irradiation effects on InGaAsP/InGaAs double-junction solar cell and its component subcells. 中国科学:信息科学(英文版)[J]. 2017, 60(12): 120403-1, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=673840356.
[47] 文林, 李豫东, 冯婕, 郭旗, 何承发, 周东, 张兴尧, 于新, 玛丽娅·黑尼. 基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法. 现代应用物理[J]. 2017, 8(4): 28-31, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433021.
[48] 李豫东. Analysis of proton and g-ray radiation effects on CMOS active pixel sensors. Chin. Phys. B. 2017, [49] 张兴尧, 李豫东, 文林, 于新, 郭旗. 不同偏置条件下InP DHBT电离总剂量效应与退火效应. 现代应用物理[J]. 2017, 8(4): 57-62, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433027.
[50] Ma, Lindong, Li, Yudong, Guo, Qi, Wen, Lin, Zhou, Dong, Feng, Jie, Liu, Yuan, Zeng, Junzhe, Zhang, Xiang, Wang, Tianhui. Analysis of proton and gamma-ray radiation effects on CMOS active pixel sensors. CHINESE PHYSICS B[J]. 2017, 26(11): https://www.webofscience.com/wos/woscc/full-record/WOS:000415072400012.
[51] 李豫东. CMOS图像传感器光子转移曲线辐照后的退化机理. 光学精密工程. 2017, [52] 冯婕, 文林, 李豫东, 郭旗. 基于热像素的CCD电荷转移效率在轨测试方法. 现代应用物理[J]. 2017, 8(4): 63-67, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433028.
[53] 荀明珠, 李豫东, 郭旗, 何承发, 于新, 于钢, 文林, 张兴尧. 基于X射线的晶圆级器件辐照与辐射效应参数提取设备的设计与实现. 发光学报[J]. 2017, 38(6): 828-834, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=672500589.
[54] 李豫东, 文林, 郭旗, 何承发, 周东, 冯婕, 张兴尧, 于新. CMOS图像传感器饱和输出电压的辐照效应及损伤机理研究. 现代应用物理[J]. 2017, 8(4): 22-27, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=674433020.
[55] 玛丽娅, 郭旗, 艾尔肯, 李豫东, 李占行, 文林, 周东. In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究. 光学学报[J]. 2017, 37(2): 0216002-1, http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/1146158.
[56] 玛丽娅, 李豫东, 郭旗, 刘昌举, 文林, 汪波. CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究. 发光学报[J]. 2017, 38(2): 182-187, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=671328861.
[57] 汪波, 李豫东, 郭旗, 汪朝敏, 文林. 电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应. 发光学报[J]. 2016, 44-49, http://lib.cqvip.com/Qikan/Article/Detail?id=667808190.
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科研活动

   
科研项目
( 1 ) 基于像素单元的CMOS图像传感器辐射损伤机理研究, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
( 2 ) TDI-CCD辐射效应研究, 主持, 部委级, 2011-01--2012-12
( 3 ) CCD的辐射效应及评估方法研究, 主持, 部委级, 2009-07--2013-06
( 4 ) 空间辐射对高灵敏度CCD性能的影响, 主持, 国家级, 2014-07--2015-06
( 5 ) 晶片级辐照与辐射效应参数提取设备, 主持, 部委级, 2014-01--2015-12
( 6 ) CCD的空间位移辐射损伤效应研究, 主持, 部委级, 2013-09--2017-08
( 7 ) 背照式CMOS图像传感器像素结构的累积辐射效应与机理研究, 主持, 国家级, 2017-01--2020-12
( 8 ) 电子元器件辐射效应基础数据库研究, 主持, 国家级, 2018-01--2020-12
( 9 ) 钴源试验技术, 参与, 国家级, 2011-01--2015-12
( 10 ) 质子位移效应试验技术, 参与, 国家级, 2014-01--2018-06
( 11 ) 中子导致图像传感器热像素的机理与评估方法, 主持, 国家级, 2017-01--2018-12
( 12 ) CIS单粒子效应试验评估技术, 参与, 国家级, 2017-01--2018-12
( 13 ) 强核辐射环境下电子系统抗辐射加固技术, 主持, 部委级, 2020-01--2022-12
参与会议
(1)A Radiation-Tolerant, High Performance SPAD for SiPMs Implemented in CMOS Technology   2013年IEEE核科学与技术学术年会   2016-11-01
(2)科学级CCD与商用CCD的电离辐射损伤研究   2013年IEEE核科学与技术学术年会   李豫东   2013-10-28
(3)CCD的总剂量效应及加固方法研究   第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议   李豫东   2011-11-17
(4)光电成像器件抗辐射性能检测设备的研制   第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会    李豫东   2011-11-15

指导学生

已指导学生

王海娇  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王帆  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

慎小宝  硕士研究生  080901-物理电子学  

王田珲  硕士研究生  080901-物理电子学  

现指导学生

陈加伟  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

王海川  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘炳凯  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学