基本信息
邓惠勇  男  硕导  中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: hydeng@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 上海市玉田路500号中科院上海技术物理研究所物理室
邮政编码: 200083

招生信息

   
招生专业
070205-凝聚态物理
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体材料与器件

教育背景

2003-09--2006-06   中国科学院上海技术物理研究所   博士
2000-09--2003-06   武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室   硕士
1996-09--2000-06   武汉理工大学材料学院   本科

工作经历

   
工作简历
2010-12~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2010-03~2011-03,美国佛罗里达州立大学, 访问学者
2006-07~2010-11,中国科学院上海技术物理研究所, 助理研究员

专利与奖励

   
专利成果
( 1 ) 一种制备InAsSb量子点的方法, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: ZL201110354641
( 2 ) 一种防止母液大面积残留的液相外延石墨舟, 发明, 2011, 第 4 作者, 专利号: CN 101586252
( 3 ) 一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201310148741.X
( 4 ) 一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 201410121076.X
( 5 ) 一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201310043657.1
( 6 ) 一种制备InAs0.2Sb0.8量子点的方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 201410121105.2
( 7 ) 一种可连续生长多层膜的防止母液残留的液相外延石墨舟, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: 201110355330.9

出版信息

   
发表论文
(1) Anomalous thermoelectricity in strained Bi2Te3 films, Sci. Rep., 2016, 通讯作者
(2) Bulk photovoltaic effect at infrared wavelength in strained Bi2Te3 films, APL Mater., 2016, 通讯作者
(3) High-quality Bi2Te3 single crystalline films on flexible substrates and bendable photodetectors, Chin. Phys. Lett., 2016, 通讯作者
(4) Evolution of Raman spectra in n-InAs wafer with annealing temperature, Appl. Surf. Sci., 2014, 第 1 作者
(5) Growth and microstructures of ultrathin Bi2Te3 nanoplates by modified hot wall epitaxy, Nano, 2014, 通讯作者
(6) Surface oxidation properties in a topological insulator Bi2Te3 Film, Chin. Phys. Lett., 2013, 通讯作者
(7) Microstructural characterization of Bi2Te3 thin films prepared by hot wall epitaxy, Proc. of SPIE, 2013, 通讯作者
(8) Damage buildup and annealing characteristics in Be-implanted InAs0.93Sb0.07 film, Nuclear Instruments_Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2012, 通讯作者
(9) LPE growth and characterization of mid-infrared InAs0.85Sb0.15 film on InAs substrate, Journal of Crystal Growth, 2011, 通讯作者
(10) Lattice expansion and evolution of damage buildup in Be-implanted InAs, Nuclear Instruments_Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2011, 通讯作者
(11) Thickness and mosaic morphology of InAs films grown by LPE supercooling technique, Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 2011, 第 1 作者
(12) Temperature dependence of photoluminescence property in BaIn2O4, Chinese Optics Letters, 2011, 第 1 作者
(13) Electronic transitions and hybrid resonance in InAsSb films by reflectance spectra, Applied Physics Letters, 2010, 第 1 作者
(14) Electrical property of infrared-sensitive InAs solar cells, Chinese Physics Letters, 2010, 第 1 作者
(15) Microstructure Characterization of InAs0.93Sb0.07 Films Grown by Ramp-cooled Liquid Phase Epitaxy, Materials Characterization, 2007, 第 1 作者
(16) InAs0.96Sb0.04红外薄膜的光学性质研究, 红外与毫米波学报, 2007, 第 1 作者
(17) High-lying Interband Transitions and Optical Properties of InAs1-xSbx Films, Physical Review B, 2006, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 用于太阳能电池的InAsSb红外光伏器件的研究, 主持, 国家级, 2009-01--2011-12
( 2 ) InAsSb红外光伏太阳能电池的研究, 主持, 省级, 2008-10--2010-10
( 3 ) 红外光区太阳电池的研究, 主持, 部委级, 2008-11--2010-11
( 4 ) InAsSb量子点的制备及其多激子产生效应的研究, 主持, 省级, 2012-07--2015-06
( 5 ) 基于碲锌镉晶体的X射线探测器的研究, 主持, 市地级, 2013-01--2015-06
( 6 ) 长波红外焦平面器件基础理论与关键技术, 参与, 国家级, 2013-01--2017-12
( 7 ) GaAs:Te长波长BIB探测器的研究, 主持, 市地级, 2013-07--2015-06
( 8 ) 碲锌镉面阵探测器材料与器件研究, 参与, 国家级, 2016-07--2020-06
( 9 ) 高质量柔性Bi2Te3薄膜的制备及其红外光电性质的研究, 主持, 省级, 2016-07--2019-06
( 10 ) 高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证, 参与, 国家级, 2012-01--2016-08
( 11 ) 柔性红外光电探测器基础理论与关键技术研究, 参与, 部委级, 2016-08--2021-07
参与会议
(1)InAsSb红外薄膜的制备与光电性质   上海市有色金属学会、金属学会半导体材料专业委员会2011年学术年会(第19届)   邓惠勇   2011-12-07
(2)Optical and Photovoltaic Properties of InAsSb Infrared Films   邓惠勇,王奇伟,戴宁   2011-11-02

指导学生

已指导学生

郭建华  01  19245  

现指导学生

刘雨从  01  19245  

王超  01  19245