基本信息
张泽洪  男  博导  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电子邮件: zhzhang2010@sinano.ac.cn
通信地址: 苏州纳米所A605
邮政编码:

招生信息

   
招生专业
080501-材料物理与化学
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
半导体设备
碳化硅外延生长

教育背景

2002-08--2005-12   美国南卡莱罗纳大学   博士
1999-09--2002-08   中科院半导体所   硕士
1993-09--1999-07   清华大学   学士

工作经历

   
工作简历
2006-07~2011-08,美国硅谷应用材料公司, 资深关键客户技术师
2005-12~2006-07,美国南卡莱罗纳大学, 博士后
2002-08~2005-12,美国南卡莱罗纳大学, 博士
1999-09~2002-08,中科院半导体所, 硕士
1993-09~1999-07,清华大学, 学士

出版信息

   
发表论文
(1) Characteristics of dislocation half-loop arrays in 4H-SiC homo-epilayer, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2007, 
(2) Mechanism of eliminating basal plane dislocations in SiC thin films by epitaxy on an etched substrate, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 
(3) Propagation of stacking faults from surface damage in SiC PiN diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 
(4) Basal plane dislocation-free epitaxy of silicon carbide, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 
(5) Evolution of basal plane dislocations during 4H-silicon carbide homoepitaxy, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 生产型桶式MOCVD设备的研制, 负责人, 国家任务, 2011-08--2013-12
( 2 ) 碳化硅石墨烯生长用高温CVD设备的研制, 负责人, 国家任务, 2013-01--2014-12
参与会议
(1)An approach to trace defects propagation during SiC epitaxy   国际碳化硅与相关材料大会   Y. Fan, L. Zhang, Z. Zhang, B. Zhang, T. Sudarshan   2013-10-04
(2)无   第12届全国MOCVD学术会议   无   2012-04-09
(3)无   无   2012-03-13