基本信息
钟汇才  男  博导  中国科学院微电子研究所
电子邮件: zhonghuicai@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 100029

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
081203-计算机应用技术
085208-电子与通信工程
招生方向
大数据与人工智能
集成电路先导工艺技术

教育背景

1999-07--2002-05   美国北卡罗纳州立大学   博士
1995-09--1998-07   中国科学院固体物理研究所   硕士

工作经历

   
工作简历
2009-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2007-01~2008-08,美国SanDisk公司, 主管器件工程师
2002-02~2006-09,美国AMD公司, 资深器件工程师

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 中国科学院杰出成就奖, 一等奖, 部委级, 2014
专利成果
( 1 ) 一种SOI衬底和具有SOI衬底的半导体器件及其形成方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010291541.6
( 2 ) 一种衬底结构、半导体器件及其制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010520798.4
( 3 ) 半导体器件及其形成方法、封装结构, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110112565.5
( 4 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010104991.X
( 5 ) Method for modulating flatband voltage of devices having high-k gate, 发明, 2006, 第 1 作者, 专利号: 7033894
( 6 ) 一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010175815.5
( 7 ) 层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010215116.9
( 8 ) 半导体器件结构及其制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010230771.1
( 9 ) 半导体结构及其形成方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010033874.9
( 10 ) 半导体器件及其制作方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010034166.7
( 11 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010111079.7
( 12 ) Semiconductor devices and methods for forming the same including contacting, 发明, 2007, 第 1 作者, 专利号: 7169676
( 13 ) 栅极堆叠的制造方法和半导体器件, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010197080.6
( 14 ) 嵌入式源/漏MOS晶体管及其形成方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 201110112309.6
( 15 ) CMOS gates formed by integrating metals having different work functions, 发明, 2007, 第 2 作者, 专利号: 7176531
( 16 ) 半导体器件的接触的制造方法及具有该接触的半导体器件, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 201010215145.5

出版信息

   
发表论文
(1) 缩小尺寸场效应管器件的载流子迁移率增强技术总体评估与现状, Mobility Enhancement Technology for Scaling of CMOS Devices: Overview and Status, Journal of ELECTRONIC MATERIALS,, 2011, 通讯作者
(2) 在体硅上利用与CMOSFET工艺兼容工艺制备的高性能N型环栅硅纳米管场效应器件, High-Performance Silicon Nanowire Gate-All-Around nMOSFETs Fabricated on Bulk Substrate Using CMOS-Compatible Process, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,, 2011, 通讯作者
(3) 利用反向Halo离子注入来控制场效应管的短沟道效应, On the Control of Short Channel Effect for MOSFETs with Reverse Halo Implantation, IEEE Electronic Device Letters, 2007, 第 2 作者
(4) RuO2作为双金属极硅场效应管电极的电学特性, Electrical properties of RuO2 gate electrodes for dual metal gate Si-CMOS, IEEE Electronic Device Letters, 2001, 第 1 作者

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 集成电路先导工艺研究的器件测试, 主持, 国家级, 2009-12--2012-12
( 2 ) 面向远程医疗和社区医疗信息化的无线物联网技术总体研究, 参与, 国家级, 2011-12--2013-06
( 3 ) 汽车移动物联网总体技术研究, 参与, 国家级, 2012-01--2013-06
( 4 ) 半导体器件测试、分析和参数提取, 主持, 部委级, 2010-08--2012-12
( 5 ) 场发射枪扫描电子显微镜开发和应用, 主持, 国家级, 2014-01--2018-01
( 6 ) 高可靠非挥发存储技术与芯片, 主持, 院级, 2015-01--2019-01

指导学生

已指导学生

陈政  硕士研究生  430110-集成电路工程  

王防防  硕士研究生  085209-集成电路工程  

曾定衡  硕士研究生  430110-集成电路工程  

李弦  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李影  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

李鑫  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张琴  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

童小东  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

江洋  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

龙煌  硕士研究生  085209-集成电路工程  

叶根圣  硕士研究生  085208-电子与通信工程  

乔照海  硕士研究生  085212-软件工程  

王志广  硕士研究生  085212-软件工程  

贾明岳  硕士研究生  085212-软件工程  

徐锐  硕士研究生  085212-软件工程  

高鹴  硕士研究生  085212-软件工程  

赵巍颂  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

王锟朋  硕士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

田敏  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张羽  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

李玥琪  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

杨键刚  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

唐舸宇  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

陈硕  硕士研究生  085208-电子与通信工程