基本信息
徐科  男  博导  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电子邮件: kxu2006@sinano.ac.cn
通信地址: 苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
邮政编码: 215123

研究领域

氮化物外延用衬底材料的晶体生长,氮化物材料和器件的研究和研发

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
080502-材料学
080402-测试计量技术及仪器
招生方向


教育背景

   
学历
-- 研究生
学位
-- 博士

工作经历

 学习经历:
1988年至1995年就读于西安交通大学,获学士、硕士学位,1998年于中科院上海光学精密机械研究所获博士学位。

工作经历:
1999年至2002年在日本千叶大学光电子研究中心博士后、讲师,2002年至2004年在日本科学技术振兴事业团,参加超高速省电力高性能纳米器件/系统研发项目,项目特聘研究员,2004年至2006年任职于北京大学物理学院,2006年8月起为中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员、博士生导师,现任纳米测试分析平台主任、学术委员会副主任,所长助理。 

社会兼职:
于2007年9月由中共苏州工业园区工作委员会及苏州工业园区管理委员会评为苏州工业园区首届科技领军人才;于2007年9月由苏州市科技局评选为苏州市姑苏创新创业领军人才;于2007年12月由江苏省人才工作领导小组评选为苏省高层次创业创新人才;于2009年9月,经过激烈的竞争与选拔,由中国科学院联想学院管理委员会评为“联想之星”创业CEO特训班第一期优秀学员。
目前还担任江苏省青年常委,江苏省信息化委员会副理事长,江苏省纳米产业联盟副理事长,江苏省纳米加工、测试与工程化技术平台第一届技术委员会委员。

专利与奖励

奖励信息:
     2010年荣获第十三届中国科协“求是杰出青年奖-成果转化奖” 
     2009年荣获江苏省新长征突击手称号 
     2008年“联想之星”创业CEO特训班“优秀学员”称号 
     2008年江苏省“333高层次人才培养工程”,青年学术带头人 
     2008年“江苏省高层次创业创新人才引进计划”双创人才奖 
     2007年苏州市首届姑苏创新创业科技领军人才奖 
     2007年苏州工业园区首届科技领军人才奖 
    1998年度中国科学院院长优秀奖 


专利信息:
1. A. Yoshikawa and K. Xu, Group III-nitride heterostructures based devices and the fabrication processing, application number: 2002-280082
申请范围:日本,美国,欧洲,韩国,中国大陆和台湾

2. 自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法,康香宁、胡晓东、王琦、章蓓、杨志坚、徐科、陈志忠、于彤军、秦志新、张国义,国内,发明专利,申请号:200510011195.0

3. 高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法, 康香宁、章 蓓、陈 勇、包 魁、徐 科、张国义、陈志忠、胡晓东,国内,发明专利,申请号:200510073285.2

4. 一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法,李 睿、胡晓东、徐 科、代 涛、陈伟华、胡成余、包 魁、王彦杰、张国义,国内,发明专利,申请号:200710121505.3

5. 用于外延生长的原位应力光学控制装置,王建峰、徐科、朱建军、杨辉,国内,发明专利,申请号:200720039487.X

6. 一种制备三族氮化物衬底的方法,徐科、杨辉、王建峰、张宝顺,国内,发明专利,申请号:200710023555.8

7. 用于外延生长的原位应力光学监控方法及系统,王建峰、徐科、朱建军、杨辉,国内,发明专利,申请号:200710023556.2

8. 高温金属有机化学气相淀积反应器,王怀兵、杨辉、徐科、张宝顺、梁俊吾,国内,发明专利,申请号:200810025396.X

9. 分离外延层与衬底的方法,王建峰、徐科、张永红,国内,发明专利,申请号:200810200190.6

10. 一种硅基图形衬底上生长外延层的方法,朱建军、徐科、王建峰,国内,发明专利,申请号:200810200193.X

11. 半导体异质衬底及其生长方法,徐科、李清文、王建峰,国内,发明专利,申请号:200810200191.0

12. 发光二极管用钇铝石榴石粉体的制备方法,曾雄辉、徐科、张锦平、张露、黄凯,国内,发明专利,申请号:200810243124.7

13. 一种制备有机半导体红荧烯微-纳米线的方法,曾雄辉、徐科、张锦平、张露、黄凯,国内,发明专利,申请号:200810243123.2

14. 一种掺杂稀土元素的化合物半导体材料及其生长方法,曾雄辉、王建峰、徐科、任国强、张永红、杨辉,国内,发明专利,申请号:200910247541.3

15. 一种掺杂稀土元素的荧光粉及其制备方法,曾雄辉、徐科、王建峰、任国强,国内,发明专利,申请号:200910247542.8

16. 一种评估Ⅲ族氮化物单晶表面位错的检测方法,刘争晖、钟海舰、徐科、王明月,国内,发明专利,申请号:200910025456.2

17. 一种半导体衬底的生长方法,任国强、徐科、王建峰、张育民,国内,发明专利,申请号:200910055732.X

18. 发光二级管及其生长方法,王建峰、徐科、任国强、张育民,国内,发明专利,申请号:200910055731.5

19. 一种真空原子力显微镜及其使用方法,秦华、刘争晖、钟海舰、樊英民、徐科,国内,发明专利,申请号:200910030522.5

20. 一种利用氨热法生长氮化物的反应装置,任国强、王建峰、徐科、张永红、杨辉, 国内,发明专利,申请号:200910247539.6

21. 气相外延工艺中的掺杂方法及其装置,张育民、王建峰、任国强、徐科,国内,发明专利,申请号:200910196421.5

22. 具有自剥离功能的衬底以及剥离外延层的方法,王建峰、任国强、刘建奇、徐科,国内,发明专利,申请号:200910196420.0

23. 半导体材料的生长方法以及半导体衬底,刘建奇、任国强、王建峰、徐科、杨辉,国内,发明专利,申请号:200910247543.2

24. 金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法,曾雄辉,徐科,王建峰,任国强,包峰,黄凯,张锦平,国内,发明专利,申请号:201010017134.6

25. 一种有机单晶晶体管阵列及其制备方法,曾雄辉、张鹏强、徐科、包峰、黄凯、张锦平,国内,发明专利,申请号:201010122792.1

26. 分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法, 曾雄辉、徐科、王建峰、任国强、黄凯、包峰、张锦平,国内,发明专利,申请号:201010017135.0


出版信息

发表论文:(选列代表性论文)
        
 Title: Effects of film polarities on InN growth by molecular-beam epitaxy
Author(s): Xu K; Yoshikawa A
Source: APPLIED PHYSICS LETTERS Volume: 83 Issue: 2 Pages: 251-253 Published: 2003
Times Cited: 125 

   Title: Structure, stress state and piezoelectric property of GaN nanopyramid arrays
Author(s): Liu JQ; Wang JF; Gong XJ; Huang J; Xu K(通信作者); Zhou TF; Zhong HJ; Qiu YX; Cai DM; Ren GQ; Yang H
Source: APEX (accepted) 

Title: Analysis of Modified Williamson-Hall Plots on GaN Layers
Author(s): Liu JQ; Qiu Y X; Wang J F; Xu K(通信作者); Yang H
Source: CHIN. PHYS. LETT. Volume:28, No. 1 Page: 016101 Published: 2011 

Title: Growth behavior of GaN film along non-polar [1 1 –2 0] directions
Author(s): Gong XJ; Xu K(通信作者); Wang JF; Yang H; Bian LF; Zhang JP; Xu ZJ
Source: Physica B Volume: 406 Pages: 36–39 Published: 2011 

Title: Anisotropic characteristics of a-plane GaN films grown on gamma-LiAlO2 (302) substrates by MOCVD
Author(s): Jia, TT; Zhou, SM; Teng, H; Lin H; Wang J; Liu JQ; Qiu YX; Huang J; Huang K; Bao F; Xu K
Source: APPLIED SURFACE SCIENCE Volume: 257 Issue: 4 Page: 1181-1184 Published: 2010 

Title: Influence of the electronic states anisotropy on the band gap pressure coefficient of InxGa1-xN alloys
Author(s): Shi L; Xu K (通信作者); Xiong KL; Yang H; Ni J
Source: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Volume: 106 Issue:11 Article Number: 113511 Published: 2009

科研活动

参加会议:
1. 徐科, 新一代激光投影显示关键技术--氮化镓材料生长及蓝光激光器研究进展,全国光电子与量子电子学技术大会, 2011年3月, 北京,中国
2. 徐科, 杨辉, 新一代全彩色投影显示技术关键-氮化物半导体材料生长和蓝、绿激光器研究进展,第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会, 2010年11月, 苏州, 中国
3. 徐科, 王建峰, GaN Substrates Grown By Hydride Vapor Phase Epitaxialthe, The 16th International Conference on Crystal Growth ICCG-16, Aug. 9, 2010, Beijing, China
4. K. Xu et al, ICNS-8, Oct.17, 2009, Jieju Island, Korea
5. K. Xu et al, POEM2009, Wuhan, China
6. G. Y. Zhang, K. Xu, X.D. Hu, B. Zhang, et al, Material Aspects of GaN-based Laser Diode, The 6th International Symposium on Blue Light Emitting Diode and Blue Laser, May 19, 2006, Montpellier, France
7. A. Yoshikawa, Y. Ishitani, K. Xu, X. Q. Wang, M. Yoshitani, W. Terashima and N. Hashimoto, Towards Fabrication of Device Quality InN-based III-Nitrides Nano-Heterostructures: Growth and Properties of Thick InN Films, InN-based SQW/MQW Structures, and Quantum Dots by RF-MBE, 2004 MRS Falling Meeting, Nov.29, 2004, Boston MA, USA
8. K. Xu and A. Yoshikawa, InN epitaxial growth and the film properties, International Conference on Physics Education and Frontier Research (The Fourth Joint Meeting of Chinese Physicists Worldwide), June 28, 2004, Shanghai, China
9. K. Xu and A. Yoshikawa, Effects of polarity on rf-MBE growth of very thick and high-quality InN films, E-MRS 2004, spring meeting, May 24~28, 2004, Strasbourg, France
10. K. Xu, W. Terashima, T. Hata, N. Hashimoto, M. Yoshitani, B. Cao, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa, In-situ and real-time spectroscopic ellipsometry investigation on molecular-beam epitaxial growth of GaN, The Third International Conference on Spectroscopic Ellipsometry, July 6~11, 2003, Vienna, Austria
11. K. Xu and A. Yoshikawa, InN based III-nitrides: a new emerging material system for applications in optical communication devices, The 8th Opto-Electronics and Communications Conference, October 13-16, 2003, Shanghai, P. R. China
12. K. Xu, Y. Ishitani and A. Yoshikawa, Growth and properties of InN epilayers by rf-MBE with in-situ monitoring of spectroscopic ellipsometry, RHEED and CAICISS, the First Asia-pacific Workshop on Widegap Semiconductors, March 9~12, Awajishima, Japan
13. A. Yoshikawa, K. Xu, W. Terashima, N. Hashimoto, M. Yoshitani, B. Cao, S. Choe, and Y. Ishitani, Controlled epitaxy of InN by RF-MBE; the role of N-polarity and In-polarity surfaces on MBE growth of InN epilayers, The Fifth International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLLED-2004), March 13~15, 2004, Gyeongju, Korea.
14. A. Yoshikawa, and K. Xu, In Situ Investigation on Polarity Conversion Process of GaN and AlN in MBE and MOVPE Growth, the Eighth IUMRS International Conference on Electronic Materials (ICEM 2002), June 11, 2002, Xi’an, China
15. A. Yoshikawa, K. Xu, Polarity selection process and polarity manipulation of GaN in MOVPE and RF-MBE growth, 4th International Workshop on MBE and VPE Growth Physics and Technology, Sept. 23~28, 2001, Warsaw, Poland
16. A. Yoshikawa, K. Xu, Y. Taniyasu, and K. Takahashi, Spectroscopic Ellipsometry In-situ Monitoring/control of GaN Epitaxial Growth in MOVPE and MBE, Physics of
Light-Matter Coupling in Nitrides II, September 26~29, 2001, Rome, Italy
17. A. Yoshikawa, K. Xu, Polarity controlled growth of III-nitrides and their potential applications in optoelectronic devices, The 2002 International Topical Meeting on Optics in Computing-OC2002, Taipei
18. A. Yoshikawa, K. Xu, A.W. Jia, K. Takahashi, Polarity-controlled growth of GaN on Sapphire Substrate by MOVPE and RF-MBE, China-Japan Workshop on III-Nitrides, March 12, 2001, Shanghai, China

指导学生

已指导学生

杨重寅  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

刘建奇  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

现指导学生

王志高  硕士研究生  080501-材料物理与化学  

黄俊  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

刘宗亮  硕士研究生  080901-物理电子学  

韩佰祥  硕士研究生  070205-凝聚态物理  

张敏  博士研究生  070205-凝聚态物理  

黄增立  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

张竞存  硕士研究生  070205-凝聚态物理  

苏旭军  博士研究生  080501-材料物理与化学