基本信息
胡淑红  女  硕导  中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: hush@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 上海市虹口区
邮政编码: 200086

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
薄膜生长,光电子器件

教育背景

1998-07--2001-09 浙江大学 博士

工作经历

   
工作简历
2004-06--今 中科院上海技术物理研究所 副研究员
2001-07--2004-05 中科院上海技术物理研究所 助理研究员
1995-09--1998-07 兰州理工大学 讲师

专利与奖励

   
专利成果
(1) 铟砷锑厚膜材料的制备方法,发明,2007,第1作者,专利号:200710172699.x
(2) 锑化镓量子点的液相外延制备方法,发明,2011,第1作者,专利号:201110316126.6

出版信息

   
发表论文
(1) GaSb量子点液相外延生长研究,红外毫米波报,2013,第1作者
(2) High quality mid-infrared InAs film grown on (100) GaSb substrate by LPE using a ternary melt,Proc. of SPIE ,2011,第2作者
(3) LPE growth and characterization of mid-infrared InAsSb film on InAs substrate,J.Cryst. Growth,2011,第3作者
(4) Dielectric functions and the interband critical points of InAsSb films grown by a modified LPE techniques,Physica B,2010,第1作者
(5) High quallity of InAsSb epilayer with cutoff wavelength longer than 10 um grown on GaAs by the modified LPE technique,J. Crys. Growth,2009,第1作者
(6) Modified LPE technique growtn and properties of long wavelength InAsSb thick film,J. Alloys and Compd.,2008,第1作者
(7) The preparation and Optical waveguide property of metal alkoxide solution derived PZT thick films,Appl.Phys. Lett.,2004,第1作者

科研活动

   
科研项目
(1) InAs基半导体材料的热光伏效应及其在低温辐射体热光伏发电中的应用基础研究,主持,国家级,2013-01--2016-12
(2) 面向火车红外轴温探测器应用的inAsSb红外探测器材料的生长研究,主持,省级,2010-01--2012-01
(3) 硅基长波红外材料InAsSb单晶的生长及其性能研究,主持,国家级,2007-01--2008-01
(4) InAsSb单晶的生长及其性能研究,主持,省级,2006-06--2008-06

指导学生

已指导学生

孙常鸿  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

邱锋  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学  

吕英飞  博士研究生  080903-微电子学与固体电子学