基本信息
任迪远  男  博导  中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件: rendy@ms.xjb.ac.cn
通信地址: 乌鲁木齐北京南路40-1号
邮政编码: 830011
部门/实验室:材料物理与化学研究室

研究领域

   

招生信息

   
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
082703-核技术及应用
招生方向
微电子学
固体辐射物理

教育背景

1972-07--1976-04   新疆大学   大学
学历
   
学位
   

工作经历

   
工作简历
2010-06~现在, 新疆理化所, 研究员
2002-03~2010-06,新疆理化所, 所长,研究员
1999-10~2002-03,新疆物理所, 所长,研究员
1997-07~1999-10,新疆物理所, 常务副所长,研究员
1995-07~1997-07,新疆物理所, 研究员,副所长
1986-07~1995-07,新疆物理所, 助研,副研
1977-09~1986-09,新疆物理所, 助工
1976-04~1977-09,新疆昌吉报社, 校对
1972-07~1976-04,新疆大学, 大学
1969-02~1972-07,国营芳草湖农场, 接受再教育
社会兼职
2012-01-01-2014-12-31,国家973项目评审专家, 评委
2011-07-10-2013-07-31,新疆核学会, 理事长
2011-01-01-2014-12-31,国家973项目评审专家, 评委

教授课程

   

专利与奖励

   
奖励信息
(1) 双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究, 一等奖, 省级, 2009
(2) 不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性, 一等奖, 省级, 2005
(3) 多元纳米压敏陶瓷材料及片式器件研制, 二等奖, 省级, 2001
(4) PMOS剂量计的研制, 三等奖, 省级, 1999
(5) 星用抗高电离总剂量器件和电路系统辐射损伤机理研究, 三等奖, 院级, 1998
(6) 抗高电离辐射MOS新介质与损伤模拟分析技术的研究, 二等奖, 省级, 1997
(7) 抗辐射加固技术——元器件新结构新工艺研究, 一等奖, 院级, 1992
(8) CMOS电路电离辐射效应及其加固的研究, 三等奖, 国家级, 1992
(9) CMOS电路电离辐射效应及其加固的研究, 二等奖, 院级, 1989
(10) CMOS电路辐射效应及其加固, 三等奖, 院级, 1986
专利成果
   

出版信息

   
发表论文
(1) 不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应, 原子能科学技术, 2011, 第 3 作者
(2) 10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应, 核电子学与探测技术, 2011, 第 3 作者
(3) The enhanced low dose rate sensitivity of a linear voltage regulator with different biases, Journal of Semiconductors, 2011, 第 3 作者
(4) 不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应, 原子能科学技术, 2011, 第 3 作者
(5) 工艺条件对双极晶体管ELDRS效应的影响, 原子能科学技术, 2010, 第 2 作者
(6) ELDRS and dose-rate dependence of vertical NPN transistor, Chiense Physics C, 2009, 第 3 作者
(7) 不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性, 物理学报, 2009, 第 3 作者
(8) 不同60Coγ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应, 原子能科学技术, 2009, 第 3 作者
(9) An Accelerated Simulation Method for ELDRS of Bipolar Operational Amplifiers Using a Dose-Rate Switching Experiment, Journal of Semiconductors, 2008, 第 2 作者
(10) 双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究, 固体电子学研究与进展, 2006, 第 1 作者
发表著作
   

科研活动

   
科研项目
( 1 ) 低剂量率辐射效应研究, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
( 2 ) 辐射效应试验研究, 主持, 研究所(学校), 2011-01--2016-12
( 3 ) 低剂量率辐射损伤研究, 主持, 部委级, 2011-06--2014-12
参与会议
   

合作情况

   
项目协作单位
   

指导学生